Реферат: Tвёрдые растворы - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Tвёрдые растворы

Банк рефератов / Физика

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 15 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Введение Актуальность работы. Исследования полупроводник овых твердых растворов связаны с практическим интересом получения нов ых материалов с более высокими физико-механическими свойствами в сравн ении с исходными соединениями. Особый интерес в этом ключе представляют твердые растворы на основе карбида кремния, что обусловлено уникальным и свойствами SiC, наследуемыми создаваемыми твердыми растворами на его ос нове. Специфика термомеханических, электрофизических, физико-химическ их свойств SiC предопределила разнообразие областей применения материал ов на основе этого соединения. Развитие и широкое применение электронно й техники в промышленности вызвало необходимость в создании нового вид а керамических композиционных материалов, проявляющих различные элект рофизические свойства. Сознательное управление процессами их синтеза должно основываться на всестороннем физико-химическом исследовании св ойств индивидуальных компонентов, а также позволять проводить модифиц ирование свойств с точным количественным учетом влияния искусственно вводимых добавок. Создан ие непрерывных твердых растворов карбида кремния с нитридами алюминия и галлия представляет большой интерес в связи с возможностями получени я прямозонного материала для полупроводниковых инжекционных лазеров. В свою очередь твердые растворы карбида кремния с карбидами переходных металлов могут привести к получению узкозонных материалов, также расши ряющих класс материалов электронной техники. Керамика основе этих мате риалов также является весьма перспективным материалом для подложек ин тегральных микросхем, благодаря высокому электросопротивлению и тепло проводности. Поликриста ллические твердые растворы на основе SiC (карбид кремния) являются перспек тивными материалами для электронной техники. Наличие качественных под ложек SiC позволило бы изготавливать приборы, которые применялись бы в так их сферах деятельности как атомная энергетика, топливно-энергетически й комплекс, военная техника. Во многих случаях применения полупяяоводниковых тве рдых растворов, в нашем случае на основе карбида кремния, большое значен ие имеет величина их электропроводности (удельного сопротивления). Вводя различные добавки в со став керамики на основе SiC возможно управлять различными электрофизичес кими свойствами, в частности, теплопроводностью, электропроводностью, у дельным сопротивлением, энергией активации и т.д. Важность и актуальность отмеченной проблема тики определили цель работы. Целью данной работы было исследование растворимости п римесей в SiC и их влияние на электрофизические свойства (в частности, элек тропроводность) твердых растворов на его основе, наследующих свойства, и значительно расширяющих класс материалов для электронной техники. Для достижения поставленно й цели проведены: Подборк а и анализ экспериментальных и справочных данных в рамках компенсацион ной теории. Оценка возмож ности образования твердых растворов на основе карбида кремния и соедин ений типа А3В5 и некоторых карбидов переходных металлов. Изучение влияния различных примес ей на электрофизические свойства твердых растворов на основе SiC. На защиту выносятся результаты анализа растворимости элементов в карбиде кремния в рамках компенсаци онной теории и ее влияние на электрофизические свойства твердых раство ров на основе карбида кремния. В магистерской работе использовались следующие методы исследований: - четырехз ондовый метод исследования температурной зависимости удельного сопро тивления твердых растворов на основе SiC; - определение удельного сопротивления керамики на осно ве карбида кремния и расчеты температурных коэффициентов удельного со противления твердых растворов на основе SiC с различными добавками; - определение оптимальных со ставов твердых растворов на основе SiC с различными добавками, имеющих мин имальные . При анализе те мпературных зависимостей удельного сопротивления использовались мет од наименьших квадратов для определения энергий активации проводимост и и уравнения Аррениуса для коэффициента диффузии. Практическая значимость работы заключается в создании научно – технологического задела в области разработок и соз дания устройств на твердых растворов на основе SiC: Получены образцы твердых растворов на основе SiC. Исследованы некоторые электрофизические свойства твердых растворов на основе SiC, в частности в еличина удельного сопротивления. Определены составы твердых растворов на основе SiC;, облад ающие минимальным значением , т.е. керамические материалы, обладающие те рмостабильными свойствами В настоящее время развитие электроники направлено на и сследование и применение материалов, обладающих необходимыми свойства ми, такими как высокая термическая, химическая и радиационная стойкость . Причем наряду с этим они должны отличаться доступностью и низкой стоим остью, быть нетоксичными и невзрывоопасными. Одним из таких материалов я вляются твердые растворы на основе SiC;, позволяющая управлять, в частности , величиной удельного сопротивления в широких пределах. Научная новизна работы состоит в т ом, что в ней впервые в рамках теории компенсационных уравнений проведен ы оценка диффузии и растворимости и определены условия образования тве рдых растворов на основе SiC с соединениями типа А3В5 и некоторых карбидов п ереходных металлов. Защи щаемые положения: 1. В сист еме SiC - АlN образуются упорядоченные твердые растворы с упорядочением кри сталлической структуры при 70% АlN. 2. Добавки NbС в карбидкремниевую керамику приводят к обра зованию неупорядоченных твердых растворов с максимумом удельного сопр отивления при 30%NbС в керамике, спеченной при температуре 2200оС. 3. Электрофизические свойства кера мики с добавками бора зависит от политипа карбида кремния, формы вхожден ия добавки в керамику и содержания. 4. Определены составы твердых растворов на основе SiC, обла дающие минимальным значением , т.е. керамические материалы, обладающие т ермостабильными свойствами. Реализация результатов работы. Теоретические и практические результаты, пол ученные в магистерской работе могут быть использованы при разработке у стройств на основе карбидкремниевой керамики. Апробация работы. Материалы, содержащие в диплом ной работе, докладывались и обсуждались на научно – практической конфе ренции преподавателей и студентов ДГУ 2013 г. Объем работы. Дипломная работа состоит из 3 глав, общи х выводов, списка литературы и приложений. Работа изложена на 40 стр. текст а; содержит 21 рисунков; 9 таблиц. Список литературы содержит 46 наименований. Глава 1. Обзор литературы Материалы на основе SiC оче нь широко применяются в современной технике в качестве огнеупоров, акти вных элементов электронных и электротехнических устройств, конструкци онных элементов химической и энергетической аппаратуры. Процесс растворимости элементов с вязан непосредственно с диффузией атомов в веществе. Процессы диффузии наиболее ярко проявляются при окислении металлов, образовании интерме таллических соединений и в реакциях твердофазного синтеза многокомпон ентных соединений. В ряде случаев, чаще всего проявляющиеся в тонких пле нках, определяющую роль могут играть гетерогенные реакции на межфазных границах. Диффузия очень распространена и играет важную роль во многих т ехнологических процессах (кристаллизация, легирование и т.д.), а также в фа зовых и структурных превращениях (распад пересыщенных растворов, раств орение и коагуляция части дисперсных фаз, синтез сложных соединений спе канием порошков и т.д.). Особо важное значение имеют диффузионные процесс ы, протекающие в тонкопленочных композициях, состоящие из нескольких ма териалов. §1. Центры с глуб окими уровнями в карбиде кремния. Авторы [1] обобщение имеющихся в настоящее время данных п о параметрам ГЦ в 6Н-, 4Ни 3C-SiC и анализ их свойств с точки зрения возможного вл ияния на характеристики разрабатываемых на основе карбида кремния при борных структур. Карбид к ремния относится к наиболее ярким представителям политипных соединени й. Собственно термин ”политипизм” был специально введен для карборунда, вследствие того, что различные кристаллические формы SiC структурно очен ь близки друг к другу. В настоящее время известно свыше 140 кристаллических модификаций SiC Рис.1. Распо ложение атомов Si и C (светлые и темные кружки соответственно) в плоскости (1120) для политипов SiC 3C, 4Н и 6Н. Обозначения А, В, C соответствуют различным полож ениям атомов в плотноупакованной гексагональной структуре. Значки h и к отмечают гексагональные и кубические положения атомов в решетке соотв етственно. Все известные политипы карбида кремния кристаллизуются по законам плотной шаровой у паковки и представляют собой бинарные структуры, построенные из иденти чных слоев, отличающихся как порядком расположения кубического C или гек сагонального Н слоя, так и числом этих слоев в элементарной ячейке. Для ха рактеристики политипа часто используют обозначения Рамсдела, состоящи е из натурального числа, равного числу слоев в периоде, в направлении, пер пендикулярном базовой плоскости, и буквенного символа, характеризующе го сингонию решетки Браве: C — кубическая, Н — гексагональная, R — ромбоэ дрическая. Наиболее распространенными являются политипы 6Н, 4Н, 15R, 3C (рис. 1). Хо тя расположение ближайших из соседних атомов одинаково для каждого ато ма кремния или углерода во всех политипах, расположение более далеких со седей отличается, что приводит к наличию кристаллографически неэквива лентных положений в решетке SiC (4Н — одно кубическое и одно гексагонально е, 6Н — два кубических и одно гексагональное). В настоящее время не сущест вует удовлетворительной во всех отношениях теории, способной объяснит ь, почему SiC кристаллизуется в виде большого количества политипов. Нет пол ной ясности и в том, какие факторы благоприятствуют образованию того или иного политипа. Известно , что карбид кремния представляет собой полупроводник с непрямой зонной структурой. При этом величина запрещенной зоны существенно зависит от п олитипа и изменяется от 2.39 эВ для 3C-SiC и до 3.3 эВ для 2Н -SiC. Согласно результатам э кспериментальных и теоретических работ, максимум валентной зоны наход ится в центре зоны Бриллюэна, а минимум зоны проводимости расположен на ее границе. С этим связывается сильная зависимость ширины запрещенной з оны от структуры политипа. Согласно спиноорбитальное расщепление вале нтной зоны составляет 10мэВ. В более сложных политипах, чем 2Н и 3C, существует еще одна о собенность зонной структуры. При анализе электронных спектров чередов ание слоев в длиннопериодных политипах можно рассматривать как действ ие на электрон, помещенный в кристалл кубической модификации, некоего св ерхпериодического потенциала. При таком рассмотрении зона проводимост и разбивается на серию подзон. На основании таких представлений может бы ть объяснена анизотропия эффективных масс в политипах, ее зависимость о т конкретной структуры кристалла.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
И вот заходишь ты в супермаркете в винный отдел и понимаешь: да... не всё еще в жизни ты попробовала, не всё...

Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по физике "Tвёрдые растворы", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru