Реферат: Карбид кремния - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Карбид кремния

Банк рефератов / Физика

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 26 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Глава 2. Экспериментальная установка и методика получения карбида кремния и т вердых растворов (SiС)1-x(AlN)x. О дной из главных проблем при получении карбида кремния и твердых раствор ов на его основе является проблема получения высоких температур, при кот орых начинается испарение карбида кремния и других составляющих тверд ых растворов. Эта температура доходит до 2500 – 3000 °С. В обычных условиях для получения таких высоких температур в основном применяются графитовые печи сопротивления. Достигается это пропусканием через трубчатые нагр еватели огромных токов, и концентрацией тепла внутри них теплоизоляцие й графитовой тканью или войлоком. Другая проблема заключается в поиске м атериала, в котором находилась бы шихта для последующего испарения. Этот материал должен выдерживать огромные температуры, не расплавляясь и не испаряясь при этом. Для этих целей чаще всего используют тигли из высоко плотных марок графита. Однако, при росте SiC на подложках карбида кремния, п роисходит пассивация подложки атомами углерода, поскольку диссоциатив ное разложение карбида кремния становится заметным уже при 800 °С, а при 1400 ° С образование на поверхности SiC монослоя углерода происходит за время по рядка 1 минуты. Частично эту проблему удалось решить, применяя тигли из вы сокоплотного спеченного карбида циркония [39-40]. При этом дополнительно ис пользуется травление подложек SiC парами кремния непосредственно перед п роведением процесса осаждения. . Сублимационный сэндвич метод. Для выращивания эпитаксиальных слоев (SiC)1-x(AlN)x на подложках SiC сублимационным «сэндвич»-методом нами была собрана высокот емпературная вакуумная установка, структурная схема которой представл ена на рисунке 8. Рис.8. Стру ктурная схема высокотемпературной установки для выращивания ЭС (SiC)1-x(AlN)x су блимационным "сэндвич" - методом. Технические решения, принятые при конструировании и сб орке установки позволили добиться всех условий, необходимых для получе ния качественных эпитаксиальных слоев и объемных монокристаллов (SiC)1-x(AlN)x, а именно: Большой цилиндр ический рабочий объем (80*180мм), ограниченный размерами нагревателя ( 120*250мм). Двухступенчатая систем а откачки, позволяющая достижения вакуума до 1,3*10-2 Па Плавная автоматическая регулировка и точное поддержание температуры в зоне роста вплоть до 2800 К с использованием сист емы высокоточного регулирования температуры (ВРТ) и программатора РИФ. Возможность перемещени я контейнера с тиглем вдоль оси нагревателя в зоны с различными градиент ами температуры в процессе роста. Система напуска и контроля состава и парциального давл ения инертных газов в зоне роста. Эффективная система охлаждения рабочей камеры проточ ной водой. Система автом атической защиты и аварийного отключения. В качестве нагревательного элемента в печи использ овалась цилиндрическая труба из плотного графита марки ОСЧ. Для концент рации тепла и создания определенного градиента температуры вокруг наг ревателя располагалась многослойная система экранирования из графито вой ткани и войлока. Тигель, в котором проводился процесс выращивания тв ердых растворов, находился внутри плотно закрытого графитового контей нера. Этот контейнер устанавливался внутри трубчатого нагревателя. Ячейка роста представлена н а рис.9. В качестве матеяяиала для тигля был выбран плотный графит марки ОСЧ, однако, лучшие результаты, в плане структурного совершенства получа емых слоев, были достигнуты при использовании тиглей из карбида циркони я. Выбор этого материала обусловлен тем, что изучение влияния условий ро ста на границу подложка-пленка показало негативную роль процесса пасси вации поверхности подложки свободным углеродом, выделяющимся на стади и предварительной откачки системы с нагревом. Рис.9.Тигель для выращивания ЭС (SiC)1-x (AlN)x подложка SiC , 2-шайба, 3- источник паров , 4- толстостенный стакан. Избежать загрязнения поверхности подложки свободным углеродом при исп ользовании масляных насосов и графитовых тиглей достаточно сложно. Эту проблему частично можно решить, удаляя из зоны роста графит, используя т игли из карбида титана и циркония. К тому же содержание в SIC небольшого кол ичества изовалентных примесей циркония или титана (до 6% моль) значительн о снижает плотность дислокаций [38]. Тигли из карбида циркония изготавливались по технолог ии порошковой металлургии и спекались в атмосфере аргона при 2300 К. Вследс твие большой усадки, после нескольких процессов выращивания, они уплотн ялись настолько, что имели проницаемость намного меньшую, чем проницаем ость графита. За счет этого достигалась большая замкнутость ячейки рост а, которая препятствовала как выносу продуктов диссоциации источника н аружу, так и проникновению внутрь выделяющегося из графитовой арматуры газов и паров вакуумных масел при откачке. Измерение температуры проводилось на средней част и нагревателя через отверстие в экранах и окошко в камере с помощью опти ческого пирометра ЭОП- 66 и "Проминь". Для определения тепловых полей и град иента температуры ставился специальный эксперимент [39], по которому нами были определены оптимальные градиенты температуры между источником и подложкой (10град. ( (Т ( 25град.) и расстояния между ними (5мм ( (x ( 15мм). Выращивание эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x проводилось в диапазоне температур 2300-2550 К при давл ении смеси газов азота и аргона 2*104 до 8*104 Па. В качестве подложек использова лись монокристаллические полированные пластины карбида кремния самог о распространенного политипа 6Н, выращенные методом Лели. Все используем ые нами подложки были n-типа проводимости с Nd-Na=(6*1017(3*1018 см-3) Для снятия нарушенных слоев, образующихся пр и полировке и подготовке к эпитаксии, подложки SiC подвергались химическо му травлению в расплаве КОН при температуре 750К в течении 20 минут при перио дическом перемешивании. Это позволяло добиваться полного стравливания нарушенных слоев и получения почти зеркальных поверхностей. После трав ления подложки многократно промывались в дистиллированной воде для уд аления следов щелочи. Непосредственно перед использованием подложки п ромывались в этиловом спирте и просушивались. Травление подложек в расп лаве КОН имело также цель идентифицировать полярные грани (0001)Si и (0001)С посре дством выявления характерных для Si-грани шестиугольных ямок травления, наблюдаемых под микроскопом. Поскольку было необходимо получить образцы твердых ра створов (SiC)1-x(AlN)x с высоким качеством на подложках SiC без образования сростков различных политипных структур в переходных слоях, более благоприятно в ыращивание эпитаксиальных слоев на грани (0001)C. На этой грани слои (SiC)1-x(AlN)x, буду т легче трансформироваться в наиболее редкий и практически ценный поли тип -2Н, который характерен для другого компонента твердых растворов – н итрида алюминия. С целью совершенствования и оптимизации процесса выращивания (SiC)1-x(AlN)x определены зависимости скорости роста, состава пленок от технологических парамет ров. Зависимость состава ЭС (SiC)1-x(AlN)x от концентрации AlN в источнике SIC-AlN при проч их равных технологических условиях (ТР =2500 є K, PN2+PAr=710-4 Па,VP около 1,5мкм/мин.) представлена на рис.10. Эта кривая указывает на однозначную зависимость состава ЭС от состава и сточника вида х=ау+b, где х – содержание AlN в ЭС, у – концентрация AlN в поликри сталлическом источнике SIC-AlN, а а и b - постоянные коэффициенты, которые позво ляют управлять составом выращиваемых ЭС, задавая состав источника. Рис. 10. Зависимость состава Э С (SiC)1-x (AlN)x от содержания AlN в поликристаллическом источнике SiC-AlN. Обнаружено, что значительное влия ние на состав (SiC)1-x(AlN)x при сублимационной эпитаксии оказывает соотношение п арциальных давлений азота и аргона [3]. С увеличением парциального давлен ия азота PN2 (при постоянном суммарном давлении 7*104 Па) концентрация AlN в ЭС уве личивается до некоторого предельного значения для данного источника (р ис.11.). Рис.11. Зависимость со става ЭС (х-концентрация AlN) от соотношения парциальных давлений азота PN2 и аргона PAr (Источники с 40% весовым со держанием AlN). Вероятно, эт о связано с тем, что с увеличением азота все больше атомов Al, образующихся при диссоциации AlN в источнике и достигнувших растущей грани ЭС связываю тся с атомами азота и в виде комплексов AlN встраиваются в кристаллическую решетку ЭС, увеличивая в нем концентрацию AlN. Поскольку при диссоциации ис точника образуется конечное число атомов Al, при дальнейшем увеличении PN2 наступает насыщение состава ЭС (предельные концентраций AlN в ЭС) для данно го источника при данной температуре. Также установлено, что скоростью роста ЭС (SiC)1-x(AlN)x в некотор ых пределах можно управлять изменяя соотношение парциальных давлений рабочих газов в камере роста. На рис.12. представлена зависимость скорости роста ЭС от соотношения парциальных давлений PN2 и PAr . Рис.12. Зависимость скорости роста ЭС от соотно шения парциальных давле ний PN2 и PAr .( источники 40% AlN вес.) При этом все остальные параметры роста поддерживались постоянными. Как видно с увеличением PN2 скорость роста уменьшается. Наблю даемая зависимость можно объяснить исходя из следующих соображений: Ка к известно, свободный Al является эффективным активатором процесса роста кристаллов SiC [4]. Однако, как следует из термодинамического анализа систем ы SiC-C-Al-N2, алюминий связывается с азотом еще при Т<Троста и образуют комплекс ы Al-N. Поэтому, при выращивании в инертной среде азота, разорванные связи Al б ыстро восстанавливаются, препятствуя соединению Al с продуктами разложе ния SiC. Таким образом, Al перестает быть эффективным транспортером продукт ов разложения SiC. Уменьшение скорости роста также объясняется большими в ременами релаксации, характеризующими переход комплексов Al-N, Al-C в припове рхностный слой ЭС. Таким образом, результаты исследований позволяют сделать вывод о том, что при выращивании твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x методом сублимационной эпитаксии в газовой среде наибольшее влияние на состав растущих слоев оказывает со отношение парциальных давлений азота и аргона. Наименьшее влияние на со став оказывает время роста. Незначительное влияние времени роста на сос тав связан с постепенным истощением AlN в источнике. Заметное влияние на со став слоев оказывает температура роста. С увеличением температуры обна ружено увеличение содержания AlN в ЭС. При этом улучшается также структура и морфология слоев. Однако, во избежание эффектов перекрестного легиров ания, приводящего к размытости гетерограницы или даже образованию неже лательного гомоперехода в n-SiС - подложке за счет диффузии Al из ЭС и переком пенсации N (поскольку диффузия является сильно меняющейся функцией темп ературы), выращивание ЭС твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x проводится при возможно более низкой температуре (2250 є К), совместимой с хорошим качеством. Для повышения управляемости процессом выр ащивания эпитаксиальных слоев с заданным составом, в качестве источник ов нами использовались спеченные и горячепрессованные поликристаллич еские образцы твердых растворов SiC-AlN в виде таблеток. Технология изготовл ения спеченных источников включает в себя такие процессы как очистка и п одготовка порошков SiC и AlN, изготовление шихты с добавками парафина и воска , прессование таблеток в стальной прессформе из горячей шихты с помощью гидравлического пресса, сушка образцов в сушильной камере при 500К в течен ии 8 часов и наконец, спекание образцов - таблеток в контейнерах из плотног о графита при температуре ~2150 К в атмосфере смеси азота и аргона в течение о дного часа с последующим медленным охлаждением в течении 10 часов. После с пекания таблетки - источники приобретали большую твердость и за счет ест ественной усадки становились более плотными. Как известно, основной причиной образования сил ьно-дефектных переходных областей на границе пленка-подложка является пассивация поверхности подложки графитом, поскольку диссоциативное ра зложение SiC становится заметным уже при 1000К, а при 1700К на поверхности SiC образ ование монослоя углерода, только вследствие незамкнутости ячейки рост а, происходит за время порядка 1 минуты. Поэтому, даже при качественной под готовке поверхности подложек, проблему переходной области эпитаксиаль ных слоев не удается решить. Существенный прогресс достигается лишь тог да, когда травление проводится непосредственно перед осаждением слоев. Такое травление нами реализовывалось следующим образом: в тигель с исто чником-таблеткой из поликристаллического SiC-AlN вводилось небольшое колич ество элементарного кремни. Предварительно контейнер с тиглем опускал ся в ту зону печи, где градиент температуры был отрицателен (температура подложки больше, чем температура источника). При температуре 1700К кремний плавится, а при 2000 К происходит интенсивное травление поверхности подлож ки избыточными парами кремния. После завершения процесса сублимационн ого травления контейнер с тиглем плавно перемещали в зону печи с положит ельным (нормальным для роста) градиентом температуры. После этого провод илось дальнейшее плавное повышение температуры до 2450-2500К,которые являютс я оптимальными для выращивания эпитаксиальных слоев (SiC)1-x(AlN)х. Проводя тако е сублимационное травление в избыточных парах Si и последующий рост эпит аксиальных слоев, в едином непрерывном процессе удалось получить струк турно-совершенные образцы твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. 2.2. Электронно-лучевое испарение. Кардинальное решение проблемы по лучения высоких температур, высокотемпературного тигля, освобождения от углерода удается получить, применив метод электронно-лучевого нагре ва. Причем этим методом мы предлагаем нагревать как шихту для испарения, так и саму подложку карбида кремния для нанесения на неё пленок карбида кремния и твердых растворов на её основе. Для проведения процессов получения пленок карбида кре мния мы использовали установку УВН-РЭ, внешний вид которой показан на ри с.13. Установка представляет собой высоковакуумную камеру с двумя электр онными пушками внутри. Она состоит из вакуумного блока, силового блока п итания установки, блока управления вакуумом и его контроля, а также из бл ока управления и контроля электронными пушками. Рис.13. Установка электронно – лучевого нагрев а УВН – РЭ. Для обеспечен ия воспроизводимости параметров электронного луча используется источ ник высоковольтного напряжения со стабилизацией выходного напряжения . Для питания накала катода применяется источник стабильного напряжени я накала катода, выполненный на основе преобразователя частоты. Сами кат оды в установке выполнены по оригинальной схеме, заключающейся в том, чт о в качестве источника электронов используется анод другой электронно й пушки. Этот анод разогревается за счет протекания тока между спиралеви дным, «истинным», катодом и анодом, расположенном в непосредственной бли зости от этого катода. Между ними приложено напряжение в 1 кВ, а ток анода, а значит и температура анода, регулируется изменением тока накала катода. Воспроизводимость параметров электронного луча дополнительно улучше на за счёт предварительного нагрева катода в течение 10 минут до начала вк лючения основной пушки. За это время устанавливается стабильное теплов ое поле в прикатодной области, и тем самым исключается дрейф параметров электронного луча из-за возможного изменения геометрии электродов при их тепловом расширении. В качестве источников паров мы использовали горячеспеченные таблетки из карбида кремния и нитрида алюминия, с различным соотношением компоне нтов в них. Эти таблетки мы устанавливали под электронный пучок одной из пушек. Регулируя ток пушки, удается нагревать таблетки шихты до температ ур порядка 2500 – 3000 °С, достаточных для интенсивного испарения шихты. При эт ом такой сильный нагрев происходит локально, непосредственно под элект ронным пучком, поэтому необходимость в высокотемпературном тигле отпа дает и можно использовать стандартные тигли, поставляемые вместе с уста новкой. Другая проблема при получении твердых растворов – это подогрев подложки, необходимый д ля выращивания на них пленок карбида кремния. При резистивном способе, н агрев подложки осуществляется в самом контейнере, расположенном в том ж е трубчатом нагревателе. Но при других способах получения, проблема подо грева является очень актуальной. Если подложка остается холодной, то нал етающие атомы не успевают мигрировать вдоль поверхности, и поэтому нара стает поликристаллическая пленка. Обычно в качестве подогревателя исп ользуют пластины вольфрама или молибдена для получения достаточно выс оких температур подложки. Однако при этом приходится пропускать через п одобные нагреватели достаточно большие токи и необходимо иметь мощные токовводы. Для подогрев а подложек мы использовали опять таки метод электронно-лучевого подогр ева. Для этой цели нами была изготовлено устройство для нагрева, схемати ческий рисунок которого представлен на рис. 14. Рис.14. Схематическое изображение устройства для н агрева подложек. 1 – като д; 2 – пластина; 3 – анод; 4 – фольга для закрепления подложки; 5 – кольцо дл я концентрации тепла; 6 – диэлектрическое основание.. Между вольфрамовым катодом 1 и анодом 3 прило жено регулируемое напряжение порядка 2 – 4 кВ, причем катод изолирован от корпуса, в то время как анод имеет нулевой потенциал, то есть соединен с ко рпусом.. Катод снизу закрыт пластиной 2, служащей для концентрации тепла. А нод изготовлен также из вольфрама, закрытого сверху вольфрамовой фольг ой 4 толщиной 0,2 мм с отверстием в центре диаметром в 4 мм, которая служит для закрепления подложек. Вокруг всей этой конструкции располагается цили ндрическое кольцо 5 из молибденовой фольги, служащее для выравнивания те мпературы во всей внутренней области, чтобы не было радиального градиен та на подложке. Для подог рева катода используется блок питания, обеспечивающий токи через катод до 15 А. Высоковольтное напряжение подается от блока питания магниторазр ядного насоса «Норд», обеспечивающий напряжение вплоть до 7 кВ, при токах до 1 А. Для улучшения эмиссии электронов с катода мы предварительно прово дили активирование вольфрама окисью бария. Активация осуществлялась м ногократным смачиванием водным раствором окиси бария вольфрамовой спи рали с последующей его просушкой подогревом до температур порядка 300оС. Примененная нами констр укция подогрева позволяет нагревать подложки до 20000С, что вполне достаточ но для выращивания на ней пленок карбида кремния и твердых растворов на его основе. Температура на подложке измерялась вольфрам-рениевой термо парой. Напыление пленок проводили в течении 30 – 40 мин, при этом в камере поддерживался вакуум поря дка 10-6 мм.рт.ст. Напряжение на электронной пушке для испарения шихты соста влял 8 кВ при токе 220 мА. Подложку из карбида кремния нагревали до температу ры 1800 °С, поддерживая на устройстве для нагрева напряжение в 1400 В при токе эл ектронного луча 75 мА. При этом были получены эпитаксиальные слои карбида кремния и твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x толщиной 10 – 15 мкм. При этом скорость рос та пленок практически не зависела от состава применяемой шихты Глава 3. Экспериментальные ре зультаты и их обсуждение Предложенным нами методом были получены монокристалл ические слои карбида кремния и твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x, с различным соотн ошением компонентов. Изменение состава эпитаксиальных слоев (SiC)1-x(AlN)x добив ались изменением состава применяемых в качестве источника поликристал лических спёков SiC-AlN. При этом состав монокристаллических пленок сильно о тличается от состава источника паров, в отличие от сублимационного «сэн двич»-метода. Вероятная причина этого заключатся в следующем. Испарение шихты под электронным лучом носит «взрывной» характер, при котором весь материал под лучом переходит в газообразную фазу. Однако, согласно нашим термодинамическим расчетам, давление паров Al при температуре возгонки 2300K очень велико, гораздо больше парциального давления AlN и SiC. И даже если в ш ихте содержание нитрида алюминия достаточно велико, то на расстоянии ме жду источником и подложкой, которое составляло 15-20 см., AlN разлагается и Al вын осится из зоны роста. Около подложки азота слишком мало для того, чтобы мо г образоваться нитрид алюминия и встроится в подложку вместе с карбидом кремния и образовать твердый раствор. Поэтому содержание AlN в полученных слоях очень мало. 3.1. Иссле дование морфологических особенностей роста. Подложки SiC , отобранные для дальнейшего наращива ния на них твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x, и сами полученные образцы твердых раст воров были исследованы на атомно-силовом микроскопе «Интегра», оптичес ком микроскопе и с помощью электронного микроскопа. На рис.15.представлен о СТМ -изображение поверхности монокристалла 6H-SiC до напыления. . Рис.15. СТМ-изображение поверхности монокристалла 6H-SiC до н апыления. Полученные пл енки твердых растворов имели вид, изображенный на рис. 16. Видно, что слои им еют довольно гладкую поверхность, а рост происходит по спиральному меха низму. Рис.16 Оптическое и зображение пленки (SiC)1-x(AlN)x , полученной сублимационным методом Исследования этих пленок на элект ронном микроскопе показало, что при больших содержаниях AlN пленки имеют б лочную структуру, с характерными гексагональными островками на поверх ности (рис.17). Рис.17. Общий ви д эпитаксиального слоя твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x АСМ изображение морфологии одного из участков э той пленки представлено на рис.18. Рис.18. АСМ изображение морфологии эпитаксиального слоя (SiC)1-x(AlN)x Толщину полученных слоев твердого раствор а (SiC)1-x(AlN)x и морфологию исследовали с помощью атомно-силового микроскопа. На рис.19-20 представлены изображения пленок двух разных составов и толщин. Ви дно, что при большем содержании AlN морфология более развита и имеет больши е перепады высот. Рис. 19 АС М изображение пленки твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x, x=0,09. Толщина пленки 250 нм Рис.20. АСМ изображение пленки твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x, x=0,05. Толщина пленки 100 нм. 3.2. Рентгеноспектральные исследования образцов . Полученные образцы тве рдых растворов имели достаточно высокое совершенство, сравнимое с сове ршенством подложки. Факт получения твердых растворов и его совершенств о оценивали по результатам рентгеновской дифрактометрии. Рентгеновски е дифракционные исследования в нашей работе выполнялись на установке Д РОН-1 с медным антикатодом с длиной волны (( = 1,54178 Ао : ((1 =1.54051 Ао: ((2 =1.54433 Ао: (( =1.39217 Ао, с возм ожностью поворота образца от 10 до 1400 с постоянной разверткой. Рентгеновск ие дифрактограммы получали как от подложки, так и от самих эпитаксиальны х слоев. О вхождении AlN в SiC судили по изменению местоположения дифракционн ых максимумов относительно максимумов SiC (подложки). Структурное соверше нство SiC и твердых растворов на его основе оценивали по величине полушири ны дифракционных максимумов от соответствующих материалов. На рис. 21. представлена дифрактогра мма подложки 6H-SiC полученного твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x. Сдвиг максимумов пик ов и появление нового пика в твердых растворах относительно подложки св идетельствует об образовании твердого раствора в системе SiC и AlN. Рис. 21. Дифрактограмма от подлож ки 6H-SiC (вверху), от пленки твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x (внизу) Для определения однородности распределения AlN по глубине эпитаксиальных слоев твердых растворов было произведено с тупенчатое травление подложки с помощью масок и проведен анализ химиче ского состава пленки на разных глубинах. Результат этих исследований пр едставлен на рис.22. Ступе ни травления Рис.22. Спект р химического состава на разных ступенях (1-5) 3.2.Оптическое поглощение Для исследования оптических свойств были отобра ны образцы с различным содержанием AlN в ЭС. Измерения проводились при разл ичных температурах. Исс ледование спектров оптического поглощения ЭС (SiC)1-х(AlN)х производилась на о бразцах, выращенных как на подлажках SiC, так и -Al2O3. Исследование проводилось в спектральной области 0.20.6 мкм на установке на основе спектрометра СДЛ-2. На рис.23 (1-4) представлены с пектры пропускания ЭС (SiC)1-x(AlN)x различного состава. Рис.23. Спектры пропускания пленок (SiC)1-x(AlN)x с различным содержанием AlN при 300К: 1— x=0,375; 2— x=0,54; 3— x=0,79; 4— x=0,40 На спектральных зависимостях края поглощения ЭС (SiC)1-x(AlN)x в области непрямых переходов (кривые 1,2) наблюдались две особенности, заклю чающиеся в наличии “ ступеньки” в области низких энергий и в резком возр астании коэффициента поглощения в коротковолновой области. Эти особен ности, по видимому можно связать соответственно с переходами электроно в в непрямой К и прямой Г минимумы зоны проводимости с потолка валентной зоны. Из рассмотрения зонной структуры твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x следует, ч то в них переходы Г-К и Г-Г не очень сильно отличаются и при x
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Ничто в доме не хранится так трепетно, как ненужный хлам под названием "А вдруг пригодится".
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по физике "Карбид кремния", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru