Реферат: Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224 - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224

Банк рефератов / Технологии

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 67 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

21 Министерство науки , высшей школы и тех нической политики Росси йской Федерации Московский государственный технический униве рситет им Н.Э . Баумана ______________________________________________________________ Калужский филиал Кафедра П 6-КФ О Т Ч Е Т по технологич еской практике по темам 1. Кристальное производство МС 564ИЕ 10 1.1 Операция спец окисление 1.2 Операция удаление фоторе зиста в смеси Каро 2. Сборочное производство М С К 425НК 1 2.1 Операция нанесение слоя компаунда окунанием Студент гр . ФТМ -81 Тимофеев А . Ю. Руководитель практики от КФ М ГТУ Зайончковский В . С. Руководители практики от АО “Восхо д” Шашкина Л . И. Ладышева И . Н. г . Калуга 1997 г. С О Д Е Р Ж А Н И Е КРИСТАЛЬНОЕ ПРО ИЗВОДСТВО 3 ОТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕННЫМ ЭКСКУРСИЯМ 3 ВВОДНАЯ ЧАСТЬ 3 МАРШ РУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИС ТАЛЛА 564ИЕ 10 4 ОПЕРАЦИЯ СПЕ ЦОКИСЛЕНИЕ 5 Оборудование. 5 Подготовка рабочего места и организация трудового процесса. 6 Технологический процесс. 7 ОПЕРАЦИЯ УДАЛЕН ИЕ ФОТОРЕЗИСТА В СМЕСИ КАРО 9 Оборудование. 9 Требования безопасности. 9 Подготовка рабочего места и организация трудового процесса. 10 Технологический процесс. 11 КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТР ИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА 12 Оборудование. 12 Алгоритм программы разбраковки. 12 СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО 15 ВВОДНАЯ ЧАСТЬ 15 МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ К 425НК 1 16 ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ 18 Подготовка рабочего места. 18 Организация трудового процесса. 18 Технологический проце сс. 18 Требования безопасности. 19 Дополнительные указания. 19 ЛИТЕРАТУРА 21 КРИСТАЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВО ОТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕННЫМ ЭКСКУРСИЯМ В ходе практики была пров едена экскурсия в цехе кристального производс тва , в ходе которо й ознакомились со следующими участками : · Участок чистой химии ; · Участок нанесения фотор езиста ; · Участок фотокопии ; · Участок технохимии ; · Участок плазмохимического травления ; · Участок диффузии ; · Участок ионного легиров ания ; · Участок нанесени я диэлектрических пленок ; · Участок напыления ; · Участок контроля электр офизических параметров ; · Участок испытаний. ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема 564ИЕ 10 Микросхема содержит два отдель ных четырехразрядных двоичных счетчика . Триггеры каждого из них уста навливаются в исходное состояние (нулевое ) при подаче уров ня 1 на вход R. Триггеры счетчиков 564ИЕ 10 перек лючаются в момент спада импульсов положительн ой полярности на входе СР при уровне 0 на входе CN. Возможна подача импульсов отрицател ьной полярности н а вход CN при ур овне 1 на входе СР . Таким образом , входы CP и CN объединены логической функцией И . При соединении микросхем 564ИЕ 10 в многоразрядный счетчик с последовательным переносом выводы 8 подключаются к входам СР следующих , а на входы CN подают уро в ень 0. На счетчике 564ИЕ 10 можно собрать делител ь частоты с коэффициентом деления от 2 до 15. Рис . 1. Графическое изображение МС 564ЕИ 10 Рис . 2. Временная диаграмма работы счетчика 564ИЕ 10 МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА 564ИЕ 10 1. Формирование партии пластин. 2. Гидромеханическая отмывка пластин. 3. Химическая обработка. Смесь Каро (H 2 SO 4 +H 2 O 2 ), перикисьно-амиачная смесь . Оборудова ние— линия “Лада 12 5”. 4. Окисление 1. Установки СДОМ , АДС . Температура 1000 О С . О 2 +пар. 5. Фотолитография . Формирование области р-кармана. 5.1. Нанесение фоторезиста . Фоторезист — ФП 383. Установка ХБС. 5.2. Совмещение экспонирования пластин ЭМ — 576А. 5.3. Проявление фоторезиста. Проявитель — едкий калий. 5.4. Дубление фоторезиста. Установки “Лада”. 5.5. Травление окисной пленки. Буферный травитель. 5.6. Контроль. 6. Ионное легирование. Бор 1. “Карман” . Установка “Лада 30”. 7. Снятие фоторезиста. 7.1. Плазма . Установка “ 08 ПХО 100Т -001” 7.2. Смесь Каро. 8. Химическая обработка. 9. Разгонка бора . “Карман” . Температура 1200 О С . О 2 + азот. 10. Вторая фотолитография. Формирование областей сток - исток р-канал ьных транзисторов и р + -охраны. 11. Ионное легирование. Бор 2 . Сток - исток . Установка “Везувий -3 М”. 12. Снятие фоторезиста. Плазма и смесь Каро. 13. Химическая обработка. 14. Разгонка бора . Сток - исток. Температура 1000 О С , О 2 + пар. 15. Третья фотолитография. Формирование о бластей сток - истока n-канальных транзисторов и n + -охраны. 16. Химическая обработка. 17. Загонка фосфора (диффузионный метод ). Температура 900 О С . Диффузант — POCl 3 . 18. Снятие фосфорселикатного стекла. HF : H 2 O =1 :10. 19. Разгонка фосфора. Температура 1000 О С . О 2 +пар. 20. 4 Я фотол итография. Вскрытие областей под затвор и конта ктные окна. 21. Окисление 2 — подзатворный диэлектрик. Температура 1000 О С . О 2 +HCl. 22. Стабилизация фосфора. Температура 900 О С . Диффузант — POCl 3 . 23. Подлегирование. 24. Отжиг подзатворного диэлектрика. 25. 5 Я фотол итография. Вскрытие контактных окон. 26. Химическая обработка. 27. Напыление Al+Si. Установка “Магна 2М”. 28. 6 Я фотол итография. Формирование алюминиевой разводки. 29. Вжигание алюминия. Температура 475 О С в азоте. 30. Нанесение защитного окисла. Температура 400 О С . SiH 4 +O 2 . Установка “Аксин”. 31. 7 Я фотол итография. Вскрытие контактных площадок. 32. 8 Я фотол итография. Защита пластин фоторезистом. 33. Контроль ВАХ (пробивное напряжение , пор оговое напряжение , прямо е напряжение и др .). 34. Контроль электрических параметров. 35. Контроль внешнего вида. ОПЕРАЦИЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ Оборудование. · система диффузионная (см табл . 1) · стол монтажный СМ -4 А 2МО 238 001 ТУ · реактор кварцевый 07-0397 · реактор кварцевый 07-0541 · крючок кварцевый 09-1067 · лодочка кварцевая 09-1216 · подставка 09-1215 · стаканчик СВ 24/70 ГОСТ 25 336-82 · пинцет ПС 160х 3.0 ТУ 64-1-37-78 · пинцет 09-1114 · часы электрические втор ичные показывающие ВЧС 2-М 2ПВ -400-323К ТУ 25-67-1503-82 · пластина кремния 7590592 10300 00022 · пластина кремния спутни к 75 90592 10300 00022 · водород хлористый сжиже нный марки Э ТУ 6-01-4689387-42-90 · спирт этиловый ректифик ованный технический марки “Экстра” ГОСТ 18300-87 · кислород СТП ТВО 054 003-89 · азот СТП ТВО 054 003-89 · напальчники типа II вида Б№ 4 ТУ 38.106567 -88 · салфетка из мадаполама (350х 253) мм 7590592 10301 00043 · салфетка из батиста (150х 150) мм 7590592 10301 00045 · пленка полиэтиленовая м арки На , полотно , 0,040х 1400, I сорт ГОСТ 10354-82 Подготовка рабочего места и организация трудового процесса. 1.1 Подготовку рабочего места и организац ию трудового процесса проводить в соответстви и с требованиями табл . 1. 1.2 Технологическую операцию осуществлять с соблюдением требований ТВО 045 954 ИОТ , 17.25351.00003 ИОТ , ТВО 045 829 ИОТ , ТВО 045 982 ИОТ. 1.3 Соблюдать требования производственной гиг иены по СТП 17-001-90. 1.4 Параметры микроклимата должны соответство вать СТП 17-001-90: (1000,10000; 22 2; 50 10). 1.5 Время межоперационного хранения плас тин должно соответствовать требованиям СТП 17-097-88. 1.6 Проверить наличие вытяжной вентиляции на системе диффузионной , в специальном шкафу для хранения баллона перед началом работ ы с хлористым водородом . Производить работу с хлористым водородом при выключенной вентиляции запрещается . При отключении вентиляц ии немедленно закрыть вентиль на баллоне с хлористым водородом. 1.7 Продуть кварцевый реактор , оснастку хл ористым водородом с расходом (10-15) л /час не менее 30 минут : 1) вначале первой смены ; 2) п осле смены оснастки , трубы ; 3) замены баллона с хлористым водородом ; 4) если время между процессами превышает 24 часа , с последующей продувкой азотом не менее 10 минут с расходом согласно таблице 2. 1.7.1 Перед включением хлористого водорода продуть линию подачи магистральным азотом не менее 10 минут с расходом согласно та блице 2. 1.7.1.1 Включить подачу азота , регулируя расх од натекателем на ротаметре. 1.7.1.2 Открыть вентиль подачи азота на л инию хлористого водорода (вентиль с маркировк ой “ N 2 ” ). 1.7.1.3 Открыть вентиль с маркировкой , установить расход (10-15) л /час натекателем на ротаметре . Регулировать давление в магистрали при необходимости редуктором низкого давлен ия . 1.7.1.4 Выключить продувку азотом , перекрыть вентиль с маркировкой “ N 2 ”. 1.7.2 Выс тавить необходимый расход кисл орода согласно табл . 2. 1.7.3 Открыть в вытяжном шкафу вентиль на баллоне с хлористым водородом поворотом вентиля против часовой стрелки. 1.7.4 Подать хлористый водород в систему , повернуть вентиль редуктора по часовой стр елк е. 1.7.5 Проверить расход по ротаметру для подачи хлористого водорода в реактор. 1.7.6 Перекрыть вентиль на баллоне с хл ористым водородом поворотом вентиля по часово й стрелке , если расход хлористого водорода выходит за допустимые пределы и повторить перехо ды п.п . 7.1-7.1.4. 1.7.7 Если не устанавливается необходимый р асход хлористого водорода при повторном включ ении п.п . 7.3-7.5, закрыть вентиль на баллоне , про дуть систему азотом и сообщить об этом технологу , мастеру или начальному участка . К атегорически зап рещается во время работы с хлористым водородом производить регулировк у давления в линии с хлористым водородом. 1.8 Менять кварцевые реакторы при отрицат ельных результатах по напряжению отсечки , не реже одного раза в квартал. 1.9 Проводить контрольный проце сс , вып олняя требования технологической инструкции согл асно табл . 1, после смены баллона с хлористы м водородом , после смены оснастки реактора и перед каждым процессом , если время ме жду процессами превышает 24 часа. 1.10 Проводить процесс без использования экранных пластин. 1.11 Проводить оценку контрольного процесса по напряжению отсечки согласно вольт-емкостных характеристик по ТВО 336 568 ТК , 17.60303.00002. В случае отклонения от нормы напряжен ия отсечки , указанный в таблице 2, продуть р еактор , оснастку хлористым водородом , провес ти повторно контрольный процесс , а при отр ицательных результатах сменить реактор , оснастку. 1.12 Фильтры для очистки хлористого водоро да заменять ежемесячно с отметкой о сроке замены и росписью наладчика в журнале. Технологичес кий процесс. 2.1 Провести технологический процесс , выполняя переходы технологических инструкций согласно табл . 2, в соответствии с требованиями таблиц ы режима соответствующего процесса . Во время процесса следить за расходом хлористого водорода , кислорода. 2.2 По окончании технологического процесса : 1) перекрыть вентиль на баллоне с хло ристым водородом поворотом вентиля по часовой стрелке. 2) переключить вентиль на редукторе повор отом против часовой стрелки. 3) продуть систему азотом , выполняя перех оды п.п. 6.1. 2.3 Произвести измерения толщины окисла в соответствии с требованиями 17.25202.00004 в трех т очках пластины-спутник . Толщина окисла должна соответствовать норме , заданной в таблице 2. 2.4 Заполнить сопроводительный лист и раб очий журнал. 2.5 Годные пластины передать на след ующую операцию. Табл . 1. Наименование оборудования Обозначение Обозначение документа Система диффузионная много трубчатая СДОМ 3Л00 ДЕМ 1 055 009 17.25001.00006 Система автоматизированная диффузионная АДС 6-100 ДЕМ 1 055 001 17.25001.00042 Табл . 2. Температура рабочей зоны печи С 0 , 1 Ном ер интервала Время , мин. Наименование временного интервала Шифр команд Расх од газов л /час О 2 30 N 2 30 HCl * Толщина окисла , А 1 12 1 Загрузка 9,13 270 - - 2 10 1 Рабочий режим 9 270 - - 3 0.3 0.5 Сигнализация 9,12 270 - - 4 90 40 Рабочий режим 9 270 - 10-15 1000 5 0.3 0.5 Сигнализация 9,12 270 - 10-15 800 1100 А 6 10 90 Раб очий режим 6 - 300 - 7 12 1 Выгрузка 6,14 - 300 - 8 0.3 0.5 Сигнализация 6,12 - 300 - 9 Ме жду процессами Продувка 9 270 - - ОПЕРАЦИЯ УДАЛЕН ИЕ ФОТОРЕЗИСТА В С МЕСИ КАРО Оборудование. · установка химической об работки ЩЦМЗ 240 212 · нагреватель ультрачистых сред ЩЦМЗ 031 173 · кассета 07-0518 · тара межоперационная ЩИ Т - 725 · пинцет 09-1114 · д ержатель 03-0767 · стекло 093-2, КЛ .2, штабик 50 ОСТ 11 110735 002-73 · нарукавники полиэтиленовые ТУ 95 7037-73 · термометр жидкостной ст еклянный тип А ГОСТ 28 498-90 · пластина со структурами 17.10201.00024 · водорода перекись 17.10201.00022 · кислота серная 17.10201.00024 · вода деионизованная мар ка А ТВО 029 001 МК -02 · спирт этиловый ректифик ованный технический марка “Экстра” ГОСТ 18300-87 · перчатки резиновые А 7-10 ГОСТ 3-88 · салфетка из мадаполама ТВО 054 115 МК -01 · салфетка из батиста ТВО 054 108 МК -02 Настоящая карта устанавливает порядок про ведения процесса удаления пленок фоторезиста с кремниевых пластин , не имеющих металлически х покрытий , в серной кислоте , а затем в смеси серной кислоты и перек иси водорода (смеси Каро ). Требования безопасности. 1.1 При проведении данного процесса возмо жны следующие виды опасности : 1) химические ожоги ; 2) отравления ; 3) электроопасность ; 4) термоопасность ; 5) порезы. 1.2 Источниками химических ожогов являю тся серная кислота , перекись водорода и их смеси , а также их пары при по падании на кожу и в организм человека. 1.3 Источником электроопасности является уста новка химической обработки с незащищенной эле ктропроводкой и заземлением. 1.4 Источником термоопасн ости является нагретая смесь серной кислоты и перекиси водорода и подогретая деионизованная вода. 1.5 Источником порезов может быть применя емая стеклянная оснастка со сколами и тре щинами. 1.6 Во избежание химических ожогов и о травлений выполнять требования изложенные в ТВО 045 039 ТИ. 1.6.1 Работу со смесью перекиси водорода и серной кислоты на установке проводить только при закрытых шторках , в резиновых перчатках одноразового использования , в нарукав никах и фартуке. 1.6.2 На рабочем месте не должно быть пр едметов не относящихся денной операц ии , наличие органических веществ и других реактивов , не предусмотренных картой , так как перекись водорода является сильным окислител ем. 1.7 Во избежание термоопасности не касать ся руками горячих частей оборудования и г ор ячих растворов. 1.8 Во избежание порезов необходимо быть внимательным и осторожным при использовании оснастки из стекла. В случае боя стеклянной оснастки собр ать крупные осколки сухой салфеткой , а мел кие влажной и выбросить в урну. 1.9 При возникновении а варийной ситуа ции немедленно отключить технологический блок тумблером , расположенным на нижней панели у правления , поставив его в положение ОТКЛ , затем вызвать наладчика , сообщить мастеру. Подготовка рабочего места и организация трудового процесса. 2.1 У бедитесь по записи в журнале , что производственная гигиена раб очего места и участка соответствует 17.25101.00002. 2.2 Убедиться по журналу готовности обору дования , что установка химической обработки п ластин и установка контроля проверены и п одготовлены к работе наладчиком. Без подписи наладчика к работе не приступать , сообщить мастеру. 2.3 Надеть перед началом работы вне ра бочей зоны полиэтиленовые нарукавники и рези новые перчатки. Промыть руки в перчатках деионизованной водой и осушить салфеткой. 2.4 Пр оводить ежедневно в начале с мены протирку влажной салфеткой из мадаполам а внешних поверхностей установки и решетки вытяжки слива. На лицевой панели установки должна бы ть надпись , указывающая назначение операции и наименование используемого раствора. 2.5 Промыть рабочие ванны и находя щиеся в них нагреватели , решетки и крышки деионизированной водой из шланга. 2.6 Слить воду из рабочих ванн , открыв вентили слива . Убедиться в том , что во да полностью удалена из ванн. 2.7 Контролировать расход вод деионизирова нной по ротаметру , он должен составлят ь (4 1) л /мин на одну установку. 2.8 Приготовить смесь серной кислоты пере киси водорода в двух рабочих ваннах устан овки. 2.8.1 Налить на дно первой ванны 25-50 мл перекиси водорода , открыв кран на пер едней панели установки с надписью перекись водорода на 1-2 с . Закрыть кран. 2.8.2 Налить в первую ванну 6 л серной кислоты , открыв кран на передней панели установки с надписью серная кислота , до верхней отметки на стенки ванны . Закрыть кран. 2. 8.3 Налить во вторую ванну 1.8 л перекиси водорода , открыв кран на передней панели установки с надписью перекись водорода , до ниж ней отметки на стенке ванны . Закрыть кран. 2.8.4 Налить во вторую ванну 4.2 л серной кислоты , открыв кран на передней панели ус тановки с надписью серная кислота , до верхне й отметки на стенки ванны . Закрыть кран. 2.8.5 Перемешать приготовленную смесь Каро с помощью стеклянной палочки . Закрыть ванны крышками. 2.8.6 Выставить на реле времени время о бработки в первой рабочей ванне (с с ерной кислотой ) 5 минут , во второй рабочей в анне (со смесью Каро ) 3 минуты. 2.9 Заполнить промежуточную ванну деионизован ной водой , открыв кран. 2.10 Проверить термометром температуру горячей деионизованной воды в промежуточной ванне . Она должна быть (6 5 5) 0 С. Если горячая вода в ванне не соот ветствует указанной температуре , работу остановит ь , сообщить неполадку. 2.11 Получить в кассете пластины , предназна ченные для данной операции . Убедиться по с опроводительному листу , что полученные пласт ины предназначены для данной операции и ч то проведены предыдущие операции. 2.12 При измерении объемов жидких материал ов допустимое отклонение обеспечивается имеющими ся средствами измерения. Технологический процесс. 3.1 Включить нагреват ель ванн соответ ствующими тумблерами автомата НАГРЕВАТЕЛЬ , постав ив тумблеры в верхнее положение , при этом должны загореться сигнальные лампочки. 3.2 Нагреть серную кислоту (в первой в анне ) и смесь Каро (во второй ванне ) до температуры (150 10) 0 С. При достижении технологической температуры загорается сигнальная лампочка регулятора темп ературы . 3.3 Открыть крышки ванн. 3.4 Убедиться с помощью термометра , что температура нагретой серной кислоты и смес и Каро соответствуют заданн ой. В случае несоответствия температур по регулятору и термометру на величину , превыш ающую 10 0 С , вызвать наладчика для устранения несоответствия. Разрешается начинать обработку пластин пр и температуре 120 0 С. 3.5 Опустить кассету с пластинами с по мощью ручк и в ванну с нагретой се рной кислотой. Погружение кассет с пластинами проводить медленно . При возникновении бурной реакции при растворении фоторезиста поднять кассету . Следить за тем , чтобы пластины в процес се погружения остались в пазах кассеты. 3.6 Включи ть реле времени первой р абочей ванны. 3.7 Извлечь кассету с пластинами с пом ощью ручки из первой ванны при загорании красной сигнальной лампочки . В одной порции серной кислоты обрабат ывать не более 1500 пластин. При обработке пластин в первой рабоче й ванн е в серной кислоте после об работки каждых 250 пластин доливать серную кисло ту 150-200 мл до уровня верхней отметки на стенке ванны. 3.8 Переставить кассету с пластинами во вторую рабочую ванну со смесью Каро. 3.9 Включить реле времени второй рабочей ванны. 3.10 Извлечь кассету с пластинами с по мощью ручки из второй ванны при загорании красной сигнальной лампочки. В одной порции смеси Каро обрабатыват ь не более 300 пластин. После обработки 100 пластин осторожно долива ть в ванну со смесью Каро (200 50) мл перекиси в одорода . Следующую доливку делать после обраб отки каждых 50 пластин. 3.11 Выдержать пластины в кассете в ра бочем объеме в течении 1-2 минут. 3.12 Поместить кассету с пластинами в ванну с горячей деионизованной водой. 3.13 Промыть пластины в ванне с горяче й деионизованной водой в течении 1-2 минут. 3.14 Перенести кассету с пластинами из промежуточной ванны в ванну каскадной пром ывки. 3.15 Проводить отмывку пластин в деионизов анной воде в первой и во второй ванна х каска да в течении 2-3 минут в кажд ой ванне . В третьей ванне каскада выдержат ь до снижения сопротивления сливной воды 3 Мом см по прибору контроля сопротивления деионизованн ой воды. 3.16 Перенести кассету с пластинами на сушку пласт ин по ТВО 734 618 ТАК КАК по окончании отмывки пластин. 3.17 Передать обработанные пластины в касс ете на следующую операцию , заполнив сопроводи тельный лист. 3.18 Отключить по окончании работы нагрева тели ванн , поставив тумблер блока управления НАГРЕВАТЕЛЬ в нижнее положение. 3.19 Слить серную кислоту и смесь Каро из рабочих ванн , открыв кран слива и предварительно охладив их до (80-50) 0 С. Перед сливом серной кислоты добавить в ванну 200 мл перекиси водорода. 3.20 Промыть рабочие ванны , находящиеся в них ре шетки и нагреватели , деионизованн ой водой из шланга. 3.21 Закрыть вентили слива и закрыть р абочие ванны крышками. 3.22 Протереть стол установки , крышки ванн салфеткой из мадаполама. 3.23 Отключить технологический блок . Проводить отмывку оснастки и ванн уст ановки не реже одного раза в неделю . Разрешает ся одновременно обрабатывать по две кассеты с пластинами. КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРО В КРИСТАЛЛА Оборудование · система измерительная Н 2001 (“Интеграл” ); · зонд измерительный ОМ 6010; Алгоритм програ ммы разбраковки Алгоритм программы разбраковки кристаллов 564ИЕ 10 приведен в табл . 4. Рис .3. Табл . 3. наименование элеме нтов структуры условное обозначение тип пр-ти материал слоя наи менование ГОСТ , ОСТ , ТУ сопротивление слоя s =Ом / толщина слоя , глубина диффузии мкм защитный слой Н 1 - SiO 2 термическ ий - - 0.4 0.05 диффузионный карман n-канальнх транзисторов Н 2 p трехфтористый бор ОСТ 6-02-4-83 750-1500 9 1.5 защитный слой Н 3 - SiO 2 термическ ий - - 0.3 0.05 об л асти стока , истока Н 4 p + трехфтористый бор ОСТ 6-02-4-83 110 1.7 0.5 защитный слой Н 5 - SiO 2 термический - - 0.4 0.05 области стока , истока Н 6 n + фосфор-хлор окис ь ТУ -09-3537-85 40 2 0.5 защитный слой Н 7 - SiO 2 термический - - 0.35 0.05 диэлектрик затвора Н 8 - SiO 2 термический - - 0.1 +0.01 -0.02 контактные окна - - - - - - - - - - - - контактные площадки и про водники Н 9 - заготовки 270х 120х 28 Яе 0.021,157 ТУ - 1.2 0.1 защитный слой Н 10 - смесь газовая аргона с моносиланом фоторезист ФП -383 ТУ 6-02-1228-82 ТУ 6-74-632-86 - - 0.8 0.1 1.3 0.2 Табл . 4. Нормы параметров 564 ИЕ 10 наименование нормы цеха погреш ность режим измерения номер параметра не менее не более % U cc, B U o, B Uo пор, B U I пор, B U I , B U IH, B теста проверка контактир.,В - /-2/ - - - - - - - 1-16 U проб, B 15.0 - 5 - - - - - - 17,18 I I ,мкА - 0.06 40 15 - - - 0 15 51-56 I IH ,м кА - 0.06 40 15 - - - 0 57-62 I cc ,мкА - 8.0 5 15 - - - 0 15 63-93 I o ,мА 1.35 - 5 10 0.5 - - 0 10 27-34 I o ,мА 0.53 - 5 5 0.4 - - 0 5 19-26 I oH ,м А 0.75 - 5 10 9.5 - - 0 10 43-50 I oH ,мА 0.63 - 5 5 5 - - 0 5 35-42 U о , B - 0.008 40 10 - - - 0 10 102-109 U oH, B -0.008 - 40 0 - - - -10 0 110-118 U o max, B - 0.6 5 5 - 1.7 3.3 - - 119-127 U oH min, B 4.65 - 5 5 - 1.7 3.3 - - 128-134 J cc ,мкА - 5.0 - - - - - - - 94,96,98,100 J cc ,м кА 5.0 - - - - - - - - 95,97,99,101 СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема К 425НК 1 Микросхема интегральная К 425НК 1 предназначена для работы в блоке у правления экономайзера автомобиля , изготавливаемого для народного хозяйства. Рис . 4. Схема расположения выводов Нумерация выводов показана условно. Клю ч “ =>” показывает направление отсчета выводов. масса не более 3г. Табл . 5 . Назначение выводов. Номер выв ода Назначение вывода 1 Вывод резистора R9 2 Точка соединения резисторов R4 и R5 3 Точк а соединения резисторов R5 и R6 4 Точка соединения резисто ро в R6 и R7 5 Точка соединения резисторов R1 и R2 6 Точк а соединения резисторов R4 и R9 7 Точка соединения резисторов R2 и R3 8 Выво д резистора R3 9 Вывод резистора R8 Табл . 6. Основные электрические па раметры (при температуре 25 10 0 С ). Наименование параметра , режим измерения , единица измерения Буквенное обозначение не менее не более Сопротив ление , КОм R1 27.0 33.0 Сопротивление , КОм R2 0.612 0.748 Сопротивление , КОм R3 0.459 0.561 Сопротивление , КОм R4 0.501 0.612 Сопротивление , КОм R5 0.225 0.275 Сопротивление , КОм R6 0.844 1.032 Сопротивление , КОм R9 0.577 0.705 Сопротивление , КОм R7+R8 2.44 2.98 Выходное напряжение , В ( при входном напряжении форма сигнала синусоид а , амплитуда 10В , частота 3390 Гц ) U вых .5 2.7 8.0 Выходное напряжение , В (при входном напряжении форма сигнала синусоида , амплитуда 10В , частота 3390 Гц ) U вы х .4 0.6 1.6 МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ К 425НК 1 Эти схемы изготавливаются по толстопленочной технологии. 1. Промывка чистых плат в деионизов анной воде в УЗ поле с порошком. 2. Термообработка при температуре 600 — 700 О С. 3. Нанесение первой стороны проводников с проверкой совмещения под микроскопом . Пасты — ПП 3, содержащие серебро , палладий , орган ику. 4. Вжигание при температуре 62 5 — 740 О С. 5. Нанесение второй стороны проводников . Пасты — ПП 1. 6. Вжигание при той же температуре ( п редварительное вжигание ). 7. Нанесение проводников с торцевой сторо ны на полуавтомате с целью соединения сто рон. 8. Окончательное вжигание проводников п ри температуре 800 — 865 О С. 9. Нанесение резистивного слоя на полуавт омате на маске . Состав пасты — окись Ag, Pd, органика. 10. Вжигание резистивной пасты при темпер атуре 700 — 750 О С. 11. Подгонка лазерным лучом (установки “Те мп” ) 12. Измерение резисторов, контроль внешн его вида. 13. Пайка в электронагревательном устройстве в воздушной среде. Эта операция предусматривает пайку наве сных элементов с помощью паяльной лампы н а автоматической линии пайки . Здесь закладыва ется качество . От того на сколько качеств енно проведена пайка зависит качество и надежность схем . Паста наносится трафарет ной печатью через трафарет . Нанесенные элемен ты ставят автоматически путем захвата их из бункера и установки на место . Температу ра плавления — 200-220 О С . Здесь не допускается смещени е кристаллов , неправильная ориентация кристаллов , прокрасы пасты. 14. Промывка в органическом растворителях в УЗ поле. Операция предназначена для отмывки плат с навесными элементами от флюса . Промывк а ведется в трех ваннах с предварительной замочк ой в течении 3 минут с после дующей обработкой в УЗ поле в течении 2 — 3 минут в каждой из трех ванн . Зат ем схемы высушиваются под вытяжкой . При вы полнении данной операции необходимо строго вы полнять требования безопасности . Не допускается соприкосновение ТХЭ с нагретыми мет аллическими предметами во избежании образования удушающих газов (фосген , дифосген ). 15. Промывка в горячей деионизованной вод е. Операция предусматривает дополнительную про мывку от остатков флюса и хлора (от ТХ Э ) при температура 85 О С (ра сход Н 2 О — 1,2 л /мин ) с последующ ей сушкой при температуре 80 — 120 О С. 16. Стабилизация параметров термотренировкой. Стабилизация проводится , чтобы не уходил и параметры резистора . Проводится при темпера туре 8 5 + 3 ОС в течении 24 ч асов 17. Пайка проволочных выводов газовым пламенем на автоматической линии армирования. Газ — водород . Р =0.6 . 10 -5 Па . Время пайки — 100 мсек . Для выводов используется медь луженая. 18. Загрузка схем в кассеты. Проводится для удобства проведения опер ации герметизации. 19. Нанесени е слоя компаунда окунание м. Данная операция предусматривает технологич еский процесс герметизации микросхем . Процесс происходит вручную . При этом надо следить , чтобы не нарушались габаритные параметры . Гер метик — компаунд на основе эпоксидной см олы с доба влением отвердителя , растворите ля и красителя. 20. Сушка конвективная. Проводится с целью полимеризации компау нда в печи СК при температуре 130 — 150 О С в течении 2 часов. 21. Маркировка. С помощью специальных приспособлений на каждую схему наносится това рный знак ( название , дата , ключ ). 22. Лакировка. Схемы покрываются лаком для улучшения товарного вида и дополнительной защиты от влаги. 23. Сушка конвективная. Проводится при температуре 130 — 150 О С в течении 2 ча сов. 24. Термотренировка. Здесь предус матривается стабилизация параметров при температуре 120 О С в течении 24 часов. 25. Испытание на воздействие изменений те мпературы среды (термоциклирование ). Проводится в двух камерах КТ 04 ( камера тепла ) и КТХБ ( камера холода ) при темп ературе от +125 О С д о -65 О С (10 циклов ) с целью определения с пособности микросхем выдерживать попеременное во здействие придельной повышенной и придельной пониженной значений температур и сохранять по сле воздействия внешний вид и электрические параметры. 26. Электро — термо тр енировка (Э ТТ ). Предусматривает испытания микросхем на электрическую нагрузку при повышенной температур е . Схема загружается в контактирующие специал ьные стенды и испытывается в рабочем режи ме при 85 О С в течении времени равном времени наработки ( 1...7 сут ок ). 27. Разбраковка по электрическим параметрам . Проводится с целью разделения годных схем от брака . Схемы проверяются на испытатель ном комплексе “Вахта” по всем приемосдаточным параметрам , предусмотренным техническими условия ми. 28. Разбраковка по внеш нему виду. 29. Сдача в ОТК. От сданной партии 10% выборки проверяется. ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПА УНДА ОКУНАНИЕМ Настоящая операция предусматривает технологи ческий процесс герметизации микросхем методом нанесения слоя компаунда окунанием. Подготовк а рабочего места. 1.1 Проверить работу вытяжной вентиляции. 1.2 Проверить наличие заземления у всех установок , работающих под напряжением. 1.3 Протереть рабочее место салфеткой из полотна “нетканол” , смоченной в воде. 1.4 Получить у мастера необходимые ма териалы и элементы. 1.5 Проверить загрузку элементов в кассет у , при наличии дефектов возвратить на опер ацию “загрузка элементов в кассеты”. 1.6 Взять кассету с элементами с транс портера (в случае автоматической загрузки эле ментов в кассеты ) проверить внеш ний ви д загруженных элементов. Не допускается : 1. отсутствие навесных элементов ; 2. отсутствие выводов ; 3. нарушение шага загрузки ; 4. смещение выводов ; 5. пересечение выводов ; 6. сколы кристаллов , недопай конденсаторов. 1.7 Передать наладчику кассеты с де фектными элементами. Примечания . Наладчику , пользуясь устройством ФОЗ -0524, извлечь дефектные элементы из кассет , загрузить годными и передать заливщице д ля обволакивания. Организация трудового процесса. 2.1 К выполнению данной технической опера ции допус каются лица , прошедшие аттестаци ю на знание данной операции в соответстви и с ТВО 046 093 ТИ. 2.2 При работе соблюдать требования элект ронной гигиены согласно ТВО 046 341 ТИ. 2.3 Технологическая одежда должна соответство вать требованиям СОТ 11 050 000-80. 2.4 На рабочем месте должна находиться выписка из технологической карты , выполненная в соответствии с ТВО 045 207 ТИ. Технологический процесс. 3.1 Наполнить ванну для ручного окунания элементов компаундом. 3.2 Перемешать компаунд в ванне для ус реднения вязкости и выравнивания поверхност и компаунда. 3.3 Подровнять элементы в кассете , опустив их на поверхность стола так , чтобы он и находились на одном уровне. 3.4 Окунуть элементы в ванну с компаун дом. 3.5 Вынуть медленно элементы из ванны и встряхнуть с них избыток компаунда. 3.6 Перевернуть кассету с покрытыми элеме нтами и стряхнуть компаунд для более равн омерного распределения компаунда. Допускается покрытие компаундом выводов н а величину не более начала формовки вывод а. 3.7 Просмотреть кассету после окуна ни я , проколоть пузыри с помощью монтажной иг лы на корпусе и поставить в подставку для сушки. 3.8 Повторить переходы 3.3-3.7 для всей партии элементов. 3.9 Заполнить сопроводительный лист , указав четко дату , количество годных и бракованных микросхем , фамили ю работницы. 3.10 Для герметизации микросхем К 224ФН 2 и спользовать компаунд вязкостью 27-32 мм. 3.11 Для микросборок с конденсаторами К 53-37 применять компаунд ЭОК вязкостью 39-40 мм. 3.12 Раковины , образовавшиеся на поверхности микросборок в местах распол ожения конд енсаторов К 53-37 и транзисторов в пластмассовом корпусе , дозалить компаундом с помощью мо нтажной иглы. Требования безопасности. 4.1 К работе на данной операции допуск аются лица : · достигшие 18 летнего возра ста ; · получившие положительное зак лючение по результатам медицинского осмотра в соответствии с приказом Минздрав а СССР № 400; · изучившие правила безоп асной работы с эпоксидной смолой , м-фенилендиа мином , трикрезилфосфатом и растворителями ; · прошедшие инструктаж на рабочем месте по прове дению данной операции. 4.2 При работе на данной операции руководствоваться требовани ями безопасности согласно ТВО 046 050 ТИ. 4.3 Компаунд на рабочем месте должен н аходиться в плотно закрывающейся таре с с оответствующей подписью под местным вытяжным устрой ством. Количество компаунда не должно превышать сменной потребности . 4.4 Производить обволакивание микросхем в ванне на рабочем месте с местным вытяжным устройством с защитным экраном из органи ческого стекла. 4.5 Хранить микросхемы после обволакивания в н акопителях с местным вытяжным у стройством. 4.6 В случае попадания компаунда на ко жу промыть ее горячей водой с мылом и смазать защитной пастой Р .71.528.21. 4.7 Количество ацетона на рабочем месте , предназначенного для промывки микросхем упавши х в ванну с к омпаундом , для промыв ки посуды , приспособлений и оснастки , не д олжно превышать сменной потребности. Ацетон должен храниться в металлической таре с плотно закрывающейся крышкой. 4.8 По окончании работы сдать мастеру оставшиеся микросхемы и материалы , предна значенные для утилизации. Дополнительные указания. 5.1 Микросхемы упавшие в ванну с компа ундом во время окунания партии , взять пинц етом , промыть в чашке с ацетоном , загрузит ь в кассету и произвести окунание. 5.2 По окончании работы промыть посуду , приспо собления и оснастку в ацетоне и протереть салфеткой. В конце каждой рабочей недели слить компаунд из ванн в бак и выровнять поверхность . Ванну очистить и промыть в ац етоне . Промывку производить в резиновых перча тках. 5.3 Убрать рабочее место. 5.4 Заказать мастеру компаунд на сле дующую смену по мере необходимости. 5.5 Срок жизни компаунда не более 5 сут ок. 5.6 Допускается разбавлять загустевший компау нд ЭОК жидким компаундом вязкостью 35-40 мм д о получения рабочей вязкости. 5.7 Слить отработанный компаунд в бо чек с полиэтиленовым пакетом , вынуть пакет с компаундом и поместить под вытяжку . В ыдержать не менее 3 суток , после чего запол имеризованнй компаунд можно выбрасывать как б ытовой мусор. 5.8 Допускается для герметизации микросхем использовать компаунд Ф 047- 1 по ТВО 028 312 TK, ТВО 028 312 МК , ТВО 308 211 TK, ТВО 342 911 TK, ТВО 028 001 ТУ. 5.9 Допускается вместо фурацилиновой защитной пасты использовать крем силиконовый. Л И Т Е Р А Т У Р А 1. Технологический маршрут изготовления крис таллов 564ИЕ 10. 2. Те хнологический маршрут изготовления микросхем К 425НК 1.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
- Какая хорошая девочка! Сколько ей?
- Да полстакана хватит...
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru