Диплом: Разработка газоразрядного экрана - текст диплома. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Диплом

Разработка газоразрядного экрана

Банк рефератов / Технологии

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Дипломная работа
Язык диплома: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 87 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникальной дипломной работы

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Разработка "высоковольтного драйвера " газоразрядного экрана на поли имидном носителе Глава 1. Введение. К настоящему времени микроэлектроника сфо рмировалась как генеральное схемотехническое и конструктивно-технологическое направление в создан ии средств вычислительной техники , радиотехники и автоматики. Основополагающая идея микроэлектроники - конструктивная интеграция элементов электронной схемы объективно приводит к интеграции схемот ехнических , конструкторских и технологических реш ений , которая выражается в тесной взаимосвязи и взаимообусловленности всех этапов проект и рования интегральной микросхемы . При этом главным связующим звеном всех этапо в проектирования является задача обеспечения высокой надежности ИМС. Важнейшей задачей схемотехнического проектир ования , является разработка быстродействующих и надежных схем , уст ойчиво работающих при низких уровнях мощности (малая допустимая мощность рассеивания ), в условиях сильных па разитных связей (высокая плотность упаковки ) и при ограниченных по точности и стабильно сти параметров элементов . Потенциальная возможнос ть ИМС на э т ом этапе проектир ования оценивается с учетом возможностей выбр анного структурно технологического варианта ИМС и его технологической реализации. Конструктор , стремясь сохранить быстродействи е и надежность ИМС на проектном уровне , определяет оптимальную техн ологию , выбирае т материалы и технологические методы , обеспеч ивающие надежные электротехнические соединения , а также защиту от окружающей среды и м еханических воздействий с учетом технологических возможностей и ограничений. При технологическом проектировани и си нтезируется оптимальная структура технологического процесса обработки и сборки , позволяющая ма ксимально использовать отработанные , типовые проц ессы и обеспечивать высокую воспроизводимость , минимальную трудоемкость и стоимость с уче том конструкторских требований. Важным этапом технологического проектировани я , направленного на обеспечение качества и надежности ИМС , является разработка операций контроля на всех этапах производства ИМС : входного контроля основных и вспомогательных материалов и комплектующи х изделий , к онтроля в процессе обработки , межоперационного контроля полуфабрикатов и выходного контроля готовых изделий. Рост степени интеграции и функциональной насыщенности единицы объема изделий микроэле ктроники , объективно приводит к микроминитюаризац и и их исполнения. Практика показывает , что проблемы , связанн ые с микроминитюаризацией , комплексно могут б ыть решены на базе разработки и внедрения новых конструктивно-технологических принципов сб орки ИМС и аппаратуры на их основе. ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Глава 2. 2.1. Анализ существующих методов сборки БИ С. 2.1.1. Проволочные методы сборки БИС. Соединения проволокой является в настояще е время , к сожалению , пока наиболее распро страненным способом монтажа ИМС . Рассмотрим о собенности этого способа . При соединение проволочных выводов. Монтажные операции , связанные с присоедин ением выводов , осуществляются , во-первых , для со здания внутрисхемных соединений при монтаже к ристаллов на подложках гибридных пленочных ми кросхем и микросборок (контактная площадка к ристалла при этом соединяется с конта ктной площадкой подложки с помощью перемычки или непосредственно ); во-вторых , для коммутации контактных площадок кристалла ИМС или пе риферийных контактов гибридных микросхем и ми кросборок с внешними выводами корпуса. В ыводы можно присоединять микросварко й или пайкой. С помощью пайки получают ремонтопригодные соединения . В то же время , паяное сое динение характеризуется относительно большой пло скостью и сам процесс низкой производительнос тью , возможно растворение материа ла перем ычек и пленочных контактов в расплавленном припое ; воспроизводимость параметров соединений не высока . В связи с этим применение пайки для присоединения выводов ограничено. рис 1 1-кристалл ; 2-вывод ; 3- внешний вывод ; При микросварке , соединение может быть получено за счет плавления и давления . Микросварка плавлением основана на сильном ло кальном нагреве и ускоренной взаимной диффузи и соединяемых материалов . Возможность образ ования при этом хрупких интерметаллически х соединений и ухудшение адгезии тонких м еталлических пленок к подложке ограничивает п рименение этого метода. Наиболее широко применяют разновидности м икросварки давлением , при которых соединение формируется в тверд ой фазе за счет сжатия поверхностей и нагрева . Это обусловл ено возможностью управления параметрами процесса , его механизации и автоматизации , высоким качеством и воспроизводимостью параметров соедин ения . При микросварке давлением , формы и р азмеры сварной т очки строго определ ены рабочей частью инструмента и площадью получаемого соединения. В качестве выводов используют проволоку крупного сечения из золота или алюминия . Применяемая золотая проволока марки Зл 999.9 имеет диаметр 25-60 мкм . и относительное удли нение 10%. Недостатками такой проволоки явля ются высокая стоимость , большой удельный вес , снижающаяся стойкость к вибрациям и удар ным нагрузкам , невысокое сопротивление разрыву (для отоженной проволоки около 120 Н / кв.мм ) и возможность образования при небл агоприятных условиях с алюминием хрупких и пористых соединений типа Al n Au m . Использование выводов из чистого алюминия марки А 995 также ограничено из-за невысокой прочности ( для мягкой проволоки около 75 Н / кв.мм ), что вынуждает увеличивать диаметр проволо ки д о 100 мкм . и приводит к увеличению площади проектируемых контактов . Лучшие характеристики имеет проволока из алюминий-кремниевого сплава А 999К 09 и АК 09П , и алюминий-магниевого с плава АМ 2 08, про чность которых , в отоженном состоянии достига ет 450 Н / кв.мм. при относительном удлинении до 4%. Проволоку вып ускают в диапазоне диаметров : 27-50 мкм . Проволока марки АК 09П ("прецезионная ") имеет допуск на диаметр 1 мкм . и повышенную равномерность м еханических свойств по длине. Ви ды микросварных соединений и инструмента. Обычно при проволочном монтаже применяютс я соединения встык и внахле ст . рис 2 При отсутствии загрязнений на соединяемых поверхностях прочнос ть соеди нений зависит от площади контакта . Давление инструмента на проволоку приводит к пласти ческой деформации материала проволоки . Однако , при этом снижается прочность проволоки в месте перехода от деформируемого участка к недеформированному . При механи ч еских воздействиях здесь возникает концентрация напр яжений . В связи с этим сварку проволочных выводов внахлест целесообразно выполнять с переменной по длине сварки деформацией п роволоки . Это достигается наклоном инструмента на несколько градусов в сторону, прот ивоположную формируемой перемычке . Во избежание подреза проволоки кромка инструмента должна быть закруглена . При сварке встык , плавный переход проволоки в деформированную область обеспечивается закруглением или фаской у выхода отверстия инструмента . П лощадь контакта соединения зависит от площади р абочего торца инструмента , от диаметра провол оки и степени ее деформации . Размеры сварн ого соединения в зависимости от этих пара метров приведены в таблице 1. Таблица 1 ОСОБЕН НОСТИ СОЕДИНЕНИЯ Деформация пров олоки ДИАМЕТР ПРОВОЛОКИ , мкм 20 30 50 100 Внахлест клиновым инструментом с шириной торца 2dпр 75 50 25 70(30) 60(40) 50(30) 110(75) 100(50) 90(40) 180(130) 160(90) 140(70) 320(250) 320(160) 270(130) То же с шириной торца 3dпр 50 75 100(40) 110(50) 140(50) 150(75) 220(90) 260(130) 450(120) 475(250) Встык капиллярным инструментом при диаметре шарика (2-2.5)dпр 25 50 75 60(30) 70(45) 85(75) 90(45) 100(75) 150(135) 140(60) 160(100) 200(175) 290(100) 300(200) 400(350) P.S. Ра змеры без скобок обозначает длину сварного соединения , а в скобках - ши рину сварного соединения. В зависимости от материала вывода и контактной площадки используют термокомпрессионную сварку (ТКС ), сварку косвенным импульсным нагревом (СКИН ), электроконтак тную односторонню ю сварку (ЭКОС ) сдвоенным инструментом и у льтразвуковую сварку (УЗС ). Определяющей тенденцией развития методов микросварки от ТКС до УЗС является локализация зоны нагрева , что уменьшает тепловое воздействие на изделие в целом и повышает в о спроизвод имость параметров сварного соединения. Таблица 2 Термокомпрессионная сварка. При термокомпрессионной сварке соединени е образуется в твердой фазе в рез ультате нагрева и сжатия соединяемых поверхно стей . Пластическая деформация , возникающая в з оне контакта , способствует вытеснению адсорбирова нных газов и остаточных загрязнений с кон тактных поверхностей , становится возможн ы м электронное взаимодействие соединяемых материалов , т.е . образование межатомных связей . Получению прочного соединения способствует также ограниченная взаимная диффузия материалов и образования твердых растворов в тонкой п риграничной области. Режим термоко мпрессионной сварки хара ктеризуется следующими параметрами : 1) Температурой нагрева , обычно равной те мпературе обжига более пластичного из сварива емых материалов . Температура нагрева не должн а превышать температуры эвтектики этих матери алов во избежание об разования жидкой фазы . Для большинства практических случаев те мпература в зоне сварки лежит в пределах 300-400 С ; 2) Давлением инструмента , которое должно обеспечивать деформацию проволоки после ее на грева в пределах 25-75%. П ри этом прочность соединения должна составлять не менее 40-50% прочности проволоки на разрыв в исходном состоянии ; 3) Временным воздействиям температуры и д авления , необходимым для завершения процесса " схватывания " материала. Предпосылками для получения ка чествен ного сварного соединения методом термокомпрессио нной сварки являются : высокая пластичность пр оволоки , а также высокая взаимная диффузия в твердой фазе свариваемых материалов . В соответствии с этим предпочтительными материал ами для выводов являются з олото и алюминий . При сварке Au и Al в результате взаимной диффузии и нагрева возможно образ ование интерметаллических соединений (AuAl 2 , Au 2 Al? AuAl и др .) некоторые из них хр упкие и рыхлые , что снижает прочность соед инений. Процесс термокомпрессионной сва рки ре ализуется рядом автоматизированных установок , нап ример ЭМ -490Б . В этом автомате подача пр иборов , определение положения кристалла и при соединение проволочных выводов производится авто матически . Двухкоординатный стол и сварочная головка с приводом от ш аговых э лектродвигателей обеспечивает высокую производительн ость установки (14000оп ./час ). Специальный блок распознавания с телевизионным датчиком на баз е видеокна , обладающий малыми геометрическими размерами и высокой стабильностью работы , опр еделяют пол о жение кристалла ИС с высокой точностью . Оптическая система обеспе чивает быструю смену увеличения линз 1, 2 и 4. К недостаткам термокомпрессии следует отн ести ограниченное количество сочетаний соединяем ых материалов , жесткие требования к подложкам , которые должны быть изготовлены из материалов , обладающих малой чувствительностью к термическому удару и хорошей адгезией с напыленными пленками , и ограниченные геометр ические размеры соединяемых элементов . Процесс черезвычайно чувствителен к загрязнениям повер хн о сти , окисным пленкам , внешним у словиям ; и требует подбора режима термокомпре ссии. Сварка с косвенным импульсным нагревом . Этот вид микросварки отличается от ко мпрессионной тем , что разогрев рабочей зоны осуществляется только в момент сварки импу льсом т ока , проходящего непосредственно ч ерез инструмент , после приложения давления . Сп ециальная V-образная конструкция инструмента дает возможность сосредоточить выделяющуюся теплоту , передаваемую соединяемым элементам , на его торцевой (рабочей ) части . Сопротив л е ние деформации при этом падает под действ ием приложенного давления , происходит осадка металлического проводника и образование соединен ия. Локализация нагрева в зоне соединения существенно уменьшает тепловые воздействия на изделия в целом и позволяет свари вать менее пластичные материалы . В то же время во избежание теплового удара на подложку в зону сварки часто требуе тся небольшой общий подогрев изделия , т.е . нагрев рабочего столика. В отличие от термокомпрессии , процесс взаимной диффузии при сварке с косве н ным импульсным нагревом играет более существе нную роль в обеспечении прочности соединения. Основными параметрами процесса являются д авление и температура нагрева инструмента , а также длительность импульса нагрева . При сварке на ситалловых подложках ориент иров очные параметры сварки следующие : Таблица 3 Матери ал контактной площадки Материал вывода и d ПР , мкм Давление инструмен- та Температ. инструм. Длитель- ность импульса Степень деформац. Au, Al, Cu, Ni Au,24-80 80-140 300-550 0.1-0.5 50-60 Au, Al Al, 30-100 30-80 350-550 0.1-0.5 60-70 Au, Cu, Ni Cu, 30-80 150-200 400-650 0.1-1.0 55-65 Для точного дозирования энергии проводимо й в зону сварки и уменьшения инертности процесса , используют амплитудно-модулированный импу льс тока с несущей част отой от 0.5 д о 1.5 кГц . Устройство автоматической стабилизации обеспечивает точность температуры торца инстру мента в пределах (2-5) С. Инерционность процесса определяется охлажден ием торца инстр умента до исходной тем пературы , которая влияет на длительность инте рвала между последовательными циклами сварки . Для соединения внахлест применяют круглый V-об разный инструмент с конусной частью . Средний диаметр торца составляет 0.2 мм т.е . (2-3)d ПР . Такая форм а позволяет выполнить сварные соединения с интервалом до 1с . Плоский V-образный инструме нт толщиной 0.2 мм с дополнительными медными теплоотводами уменьшает интервал до 0.5с. Инструмент изготавливают из ниобиевых теп лостойких сплавов (стойкость до 600 0 сварных точек ) или из твердых сплавов (до 40000 св арных точек ). Сварка сдвоенным электродом является разн овидностью контактной сварки , приспособленной к особенностям соединений в микросхемах . Эти особенности предопределяют одностороннее расположени е выво дов (электродов ) и объединение и х в жесткую конструкцию с электроизоляционной прослойкой . В зависимости от диаметра про волоки для перемычки (30-150 мкм ) длина торца ка ждого , составляет 20-100 мкм , ширина 80-600 мкм , толщина прокладки 30-220 мкм . Материало м электро дов могут быть вольфрам , молибден и др . Материалы прокладок - слюда , синтетический корун д и др . Относительно большие размеры инстр умента позволяют сваривать перемычки диаметром до 250 мкм , но требуют при этом соответств ующего увеличения контактных площадок. В процессе сварки перемычка на участк е под инструментом является составной частью электрической цепи . Место соединения разогре вается за счет тока и выделения теплоты в месте контакта "перемычка-электрод ". Воспроизводимость качества соединения сущ ественно зависит от повторяемости значени й электрического сопротивления в месте контак та . Поэтому сварочные установки предусматривают автоматическое регулирование усилия сжатия (3-10 Н ) по заданному контактному сопротивлению . Кром е того , целесообразно имп у льсное в оздействие давления : давление включается в мо мент нагрева почти до максимальной температур ы и снижается перед выключением нагревающего импульса тока (600-1000 Гц ) и модуляция тока по амплитуде позволяет обеспечить предварительны й постепенный прогр е в зоны сварки в начале цикла , что исключает тепловой удар на контактную площадку и отжиг ма териала в сварной точке в конце цикла. В зависимости от режимов сварки (длите льности , мощности и скважности импульсов , а также приложенного давления ) могут иметь ме с то следующие механизмы соединения : 1) Соединения в твердой фазе в резуль тате рекристаллизации соединяемых материалов и прорастания зерен через поверхность раздела ; 2) Соединение ниже температуры рекристаллиза ции за счет электронного взаимодействия и межат омного сцепления ; 3) Соединение в жидкой фазе в результ ате расплавления при температуре выше эвтекти ческой. При ультразвуковой сварке соединение мета ллов в твердой фазе осуществляется путем возбуждения в них упругих колебаний ультразву ковой частоты с однов ременным приложением давления . Перед включением УЗ колебаний п од действием статически приложенной нагрузки на инструмент , из-за деформации проводника соз дается некоторая первоначальная площадь контакти рования на границе раздела инструмент-проволока и пров о лока-кристалл. После включения УЗК в результате акти вирующего действия ультразвука , снижающего предел текучести алюминия , облегчается пластическая деформация проводника и идет интенсивная оса дка его. Таким образом , УЗК при сварке прежде всего создают услов ия для быстрого деформирования физического контакта , одновременно с этим происходит активация контактных п оверхностей , приводящая к образованию очагов взаимодействия в условиях пластической деформаци и Al и упругой деформации Si. При осадке алюми ниевого пр о водника окисная пленка на нем растрескивается и в зону контак та выходит чистый алюминий , растекание которо го на поверхности кристалла способствует удал ению из зоны сварки загрязнений и осколко в окисных пленок. В промышленности широко применяются автом атизи рованные установки для присоединения по заданной программе проволочных алюминиевых выводов к КП кристалла : ЭМ -4020В , ОЗУМ -12 и т.д. В отдельных случаях находят применение методы сварки такие как : лазерным и эле ктронным лучом . Преимущества этих способов в чистоте процесса , Возможности выполнения соединения через любую прозрачную среду . Од нако эти способы имеют и недостатки : неко торая комбинация металлов вследствии быстрого нагрева и охлаждения в точке соединения становятся хрупкими , а тепловой режим зави с ит от отражательной способности соединяемых материалов . Способы требуют точного регулирования количества энергии , длительности импульса , пиковой мощности , формы и воспроизво димости импульсов. 2.1.2. Технология сборки методом перевернутого кристалла [ fli p-chip]. рис 3 1 - сформированный шарик из припоя 5%Sn-0.5%Pb 2 - слой фазового состава Cr+Cu 3 - стекло 4 - первоначально осажденный припой 5 - интерметаллическое соединение 6 - Cr 7 - Al Процесс начинается с последовательного на пыления Cr, Cu, AlAu через металлическую маску на все алюминиевые контактные площадки на пластине . Контактные площадки могут быть расположены в любой области на поверхности кристалла с некоторыми ограничения ми . Золото пр едохраняет тонкопленочную структуру от окисления до нанесения на покрытие Cr-Cu-Au последующих с лоев Pb-Sn. Пленку Pb-Sn осаждают на большой площади по сравнению с площадью , занимаемой контакт ными площадками с покрытием Cr-Cu-Au. Площадь и то л щина этой осажденной пленки оп ределяют окончательные размеры шарика . Структура полученного шарика показана на рис .3. После напыления готовую структуру помещаю т в камеру с пониженным давлением , где с пленки с Pb-Sn благодаря силам поверхностного натяжения у даляется окисный слой и образуется шарик припоя с площадью основан ия , определяемой размерами покрытия Cr-Cu-Au (так наз ываемая метализация , ограниченная шариком ). Основны ми преимуществами технологии сборки таким мет одом является возможность матричного рас п оложения контактных площадок и очень малая протяженность межконтактных соединений , что сводит к минимуму величину их индуктивно сти . Основные недостатки этой технологии - худш ие тепловые характеристики (по сравнению с кристаллом , присоединенным обычным спо с обом ); трудность обеспечения гарантированного присоединения выводов при групповом процессе пайки , сильное влияние внутренних механическ их напряжений из-за разницы ТКЛР кристалла и подложки , трудности измерения и электроте рмотоковой тренировки кристаллов с об ъемными выводами. 2.1.3. Современные конструкции гибких носителей для монтажа БИС. По мере уменьшения размеров электронных устройств все большую часть их площади начинают занимать соединения (обычно проволочны е между БИС и внешней схемой ). Уменьшение вы соты электронных блоков , при одновр еменном уменьшении шага размещения КП на кристалле , приводит к тому , что проволочные соединения начинают занимать слишком много места как в высоту , так и на поверх ности платы . Автоматизированная сборка с испо льзованием л е нты носителя (АСЛН ) - п озволяет отчасти решить эти проблемы. Хотя АСЛН была разработана в 1972 году американской фирмой General Electric Co, в течении многих лет она не находила применения в США , поскольку интерес к этому методу сборки о слабевал по мере то го , как крупные компании Kemp Jnc, Rogers Corp, начали заниматься этой технолог ией и за тем отказались от нее. В 70-х годах к методу АСЛН стали обращаться японские фирмы Sharp, Hitachi, Mitsubisi, Toshiba, Seiko. За нескол ько лет эти компании внедрили у се бя метод АСЛН , обеспечив его распростр анение в Японии , в особенности в изготовле нии бытовой электронной техники , где применен ие этого метода способствует дальнейшей минит юаризации указанных изделий. В конце второго десятилетия существования носителей крист аллов их область прим енения меняется . Носители кристаллов разрабатывал ись как безвыводные керамические корпуса , сод ержащие небольшие керамические толстопленочные г ибридные подложки . Однако , сейчас и в буду щем наиболее широкой областью их использовани я , с т ановится монтаж на поверхност ь больших печатных плат для связной и военной аппаратуры. В связной аппаратуре , где окружающие у словия более мягкие , снабженные выводами плас тмассовые носители кристаллов могут быть без труда напаяны на поверхность стандартных стеклоэпоксидных плат. Тем временем промышленность использует но сители кристаллов , снабженные выводами . Энтони Любов , руководящий работами в области техно логии межсоединений в фирме Bell Laboratories отмечает , что в настоящее время носители кристаллов ис по льзуются в важных изделиях на неско льких крупных сборочных предприятий фирмы Westen Electric Co. Фирма Bell применяет снабженные выводами пла стмассовые носители кристаллов , а так же б езвыводные керамические варианты с припаянными к их боковым сторонам пруж инными к онтактами. Пластмассовые носители с 68 выводами , распол оженными с шагом 1.27 мм , напаиваются на пове рхность стандартных печатных плат . Безвыводные носители с припаянными , предназначенные для кристаллов имеющих до 100 входов-выходов , должны напаиват ься на платы . В настоящее в ремя существуют кристаллы с количеством вывод ов более 1000 с шагом выводов 0.125 мм. Последние разработки американских фирм по казали , что переход на технологию АСЛН поз воляет уменьшить размер контактных площадок д о 25*25 мкм при расстоянии между ними 12.5 м км . При этом размер кристалла может уменьш иться на 90% и будет ограничен только числом компонентов на кристалле. Следует отметить , что в связи с ув еличением площади кристаллов СБИС увеличилась ширина используемых лент. Одна из д вижущих сил развития технологии АСЛН - военная область . Кроме тог о , большой интерес к автоматизированной сборк е на ленту-носитель , проявляют изготовители пр иборов на GaAs. Конструкции ленточных носителей. Метод АСЛН предполагает выполнение объемн ых выводо в либо на кристаллах , либо на балочных выводах ленты носителя. Существует несколько типов объемных вывод ов , выполненных на кристалле . Технология их изготовления известна и хорошо отработана . ОВ могут выполняться из чистого золота , ме ди , припоя , в качестве барьерного слоя часто используют напыления Ti/W, выводы могут б ыть облужены припоем . Предполагая , что на кристалле уже изготовлены ОВ , в зависимости от сложности схемы можно использовать лент ы : 1 - однослойную ; 2 - двухслойную ; 3 - трехслойную ; 4 - много слойную. Однослойная лента. На первых этапах разработки метода АСЛН лента представляла собой медную фольгу толщиной 35 мкм , сейчас существуют однослойные ленты толщиной 70,100 мкм и более )с вытра вленными в ней и облуженными выводными ра мками . Напайку к ристаллов к такой лент е производят эвтектикой AuSu. Недостаток этой лен ты заключается в невозможности проведения исп ытаний смонтированных на ней кристаллов до упаковки их в корпуса , поэтому такой ти п ЛН широко используется главным образом , только для крис т аллов с малым числом выводов , малой степенью интеграции , и меющих высокий выход годных в массовом пр оизводстве . Смонтированные таким образом кристалл ы , как правило , запрессовываются пластмассой. Двухслойная лента представляет собой носи тель , объединяющий фо льгу и полиимидную пленку . Как правило , его используют в ла бораторной практике по причине относительной простоты . В промышленности широко не применяе тся из-за повышенного риска к расслоению с лоев меди и полиимида , а также повышению влагопоглащения , что пр и водит к большим токам утечки. Трехслойная лента . Принцип ее изготовлени я аналогичен изготовлению однослойной ленты . Многослойная лента . Это распространенная лента , применяемая при производстве как бытов ой , так и военной электронной техники . Все проводящие слои соединяются между собо й с помощью прогнутых проводников . Такая к онструкция позволяет исключить дорогостоящие тон копленочные гибридные подложки ., металлизированные сквозные отверстия и навесные перемычки , а также дает возможность производить индивиду а льные испытания каждого кристалла , поскольку соединения между ними остаются р азомкнутыми , пока не будут подключены изогнут ые проводники. Изготовители таких ленточных носителей , м огут обеспечить столь малую ширину проводящих линий , что без особых проблем к одной рамке можно присоединить 7-9 приборов , создавая , так называемую , многокристальную сб орку. Этот метод сборки на ленту носитель создан фирмой JMI и получил название Multitab. В нем используются две однослойные ленты с балочными вывода ми , позволяющими и збавиться от необходимо сти применения полиимидного опорного кольца и в то же время , дающие возможность про верять каждый кристалл , перед его окончательн ой сборкой в корпус . Такие миниатюрные сбо рки можно монтировать на любые основания ( стальные эмалированн ы е подложки , алюм окерамику , кварц и стеклоэпоксидные платы ), что позволяет значительно снизить габаритные раз меры модульных сборок всех видов. Пространственная сборка на ленту носит ель. По мере увеличения числа выводов крис таллов (500 и более ), становитс я неизвестным создание входных и выходных КП не толь ко по периферии кристалла , но и его це нтральной части . Технология АТАВ предполагает монтаж таких кристаллов на многослойные ЛН , используемые для реализации наиболее плотноупа кованных межсоединений с соед и нениями в пределах площади кристалла . В этом случае автоматизированное присоединение выводов сочетается с применением монтажа методом "пер евернутого " кристалла. Пространственная сборка может также вызва ть расслоение полиимидной пленки , несущей выв оды , всле дствии ее перегрева и расшире ния во время присоединения . Одним из путей решения этой проблемы является применение одноточечной сварки , осуществленной на установк ах с приваркой выводов одного за другим. Еще одна проблема - недоступность сварных соединений в центре кристалла для визуального контроля. Одноточечная автоматизированная сборка на ленту носитель. Этот метод сочетает быстроту и высоку ю точность , характерные для простой автоматиз ированной сборки на ленту , и гибкость , хар актерную для проволочного монтажа , и поз воляет осуществить сборку кристаллов , имеющих самые разнообразные размеры и формы на од ной и той же установке . Этот тип сборк и позволяет осуществить 8-10 присоединений внутренни х или наружных выводов за 1с . При этом поверхность кристаллов до л жна бы ть абсолютно плоская. При АСЛН многовыводных кристаллов СБИС большого размера при длине балочного вывод а 280 мкм , толщине 35 мкм и ширине 100 мкм , жел ательно использовать не перемотку ленты с катушки на катушку , а работать с отдель ными отрезками лент ы во временном нос ителе , чтобы избежать повреждения выводов и кристаллов . В этом случае кристаллы , смонтир ованные на отрезке ленты , герметизируются ком паундом . Время отверждения которого и огранич ивает число позиций в отрезке ленты . При этом используется р азмер контактно й площадки около 400 мкм , средняя прочность с оединения при этом 300 г /вывод , отличается вы сокой устойчивостью к коррозии. 2.1.4. Метод переноса объемных выводов. В этой технологии ОВ выполняются на временной подложке , затем присоединяются к концам балочных выводов ленты-носителя , что существенно снижает стоимость сборки и у прощает ее . Принцип этой технологии отражен на рис .4. В данном случае ЛН выполнена из п олиимидной пленки толщиной 125 мкм , ламинированной с медной фольгой толщиной 35 мк м , в которой формируют травлением выводную рамку с последующим ее лужением и золочением . Оптимальная толщина облуженного слоя 0.3-0.45 мкм . В ременная подложка состоит из теплостойкой сте клянной пластины со слоем металлизации , котор ый служит электродом для нанесения золотых ОВ . Подложка должна надежно поддерж ивать сформированные выводы и выполнить их перенос при самых низких давлениях и т емпературах инструмента . Качество переноса зависи т от плоскостности и гладкости временной подложки , которую можно использ о вать многократно. Сформированные выводы имеют форму "гриба " , высота 20-40 мкм , размер в широкой части 80*80 мкм и 20*20 мкм в нижней части . На прочно сть присоединения ОВ влияют его форма и чистота золота (хорошее качество присоединения наблюдается для выв одов из золота 99.95%, для выводов с содержанием золота 67% наблюд ается растрескивание выводов при сборке ). рис 4 2.2. Разработка технологического процесса сбор ки высоковольтного драйв ера газоразрядного экрана на полиимидном носителе. Для того , чтобы производить сборку полиимидного носителя с кристаллом необходимо проскрайбировать диск с кристаллами и совершить его ломку . Скрайбирование предп олагают делать на установке ЭМ -225. Полуавт омат позволяет обрабатывать пластины диам етром до 150 мм . Ширина реза 40 мкм , глубина реза за один проход при скорости 100 мм /с - 140 мкм . Погрешность перемещения относительно центра при общей длине хода 150 мм - 15 мкм. После скрайбирования и ломки необхо димо выполнить внешний контроль . Контроль внешнего вида можно произвести на микрос копе типа СМ -4. Следующим этапом техпроцесса является при соединение полиимидного носителя к кристаллу . Данная операция выполняется на автоматизированно й установке ЭМ -4062. Ус тановка позволяет изменять технологические режимы ультразвуковой с варки , что существенно сказывается на качеств е сварного соединения . После присоединения вы водов к контактным площадкам необходимо нанес ти защитное покрытие . Эту операцию выполняют в печи ПБ Л . Затем проводят технологические испытания на холод , тепло в камере МС -71. Измерение статических параметров производитс я прибором "Визир -1", а измерения функционально-д инамических параметров выполняют на "Элеком-Ф ". После всего кристалл загружается на 7 су ток в установку "Кардинал ", где при полной работе микросхемы повышается и пони жается температура. Перед тем как упаковать микросхему в тару делают еще один контроль статически х и функционально-динамических параметров на установках "Визир -1" и "Элеком-Ф ". КОНСТРУКТОРСКАЯ ЧАСТЬ Глава 3. 3.1. Анализ конструкции экрана с применени ем высоковольтного драйвера на полиимидном но сителе . Устройства для отображения информации при меняются в системах , где информацию требуется представить в форме , удобной для визуаль ного восприятия . Их основными компонентам и являются приборы , обеспечивающие преобразование электрических сигналов в пространственное ра спределение яркости излучения или в распредел ение степени пропускания или поглощения свето вого излучения . С помощью этих при боров из электрических сигналов получают види мое изображение букв различных алфавитов , циф р , геометрических фигур , различных знаков , спло шных или дискретных полос , мнемосхем и др. Преобразовательные приборы данной группы создаются на основе активных изл учающих компонентов : электронно-лучевых трубок ; электролюминесцентных , газо наполненных или накаливаемых источников излучени я , в которых излучающие элементы выполнены в виде фигур или сегментов , или образую т управляемое матричное поле , а так же пассивных к омпонентов , модулирующих световой поток : ж идкокристаллических , в которых пропускание или отражение света различными участками поверхнос ти зависит от значения электрического поля ; электрохромных , в которых цвет вещества зав исит от значения электрического п ол я ; электрофоретических , в которых под действие м электрического поля перемещаются заряженные пигментные частицы , имеющие определенный цвет. Наиболее часто применяют так называемые знакосинтезирующие индикаторы (ЗСИ ), в которых изображения получают с помощ ью мозайки из независ имо управляемых преобразователей электрический с игнал - свет. Жидкокристаллические индикаторы относятся к числу пассивных приборов . В основу их работы положено свойство некоторых веществ изменять свои оптические показатели (коэффициен т ы поглощения , отражения , рассеивания , пока затель преломления , оптическую разность хода , оптическую активность , спектральное отражение или пропускание ). под влиянием внешнего электриче ского поля . Вследствии модуляции падающего св ета изменяется цвет участка, к которому приложено электрическое поле , и на поверх ности вещества появляется рисунок требуемой к онфигурации. В качестве веществ , имеющих подобные с войства , используют жидкие кристаллы . Жидкокристал лическим (мезоморфным ) называется термодинамически устойч ивое состояние , при котором вещес тво сохраняет анизотропию физических свойств , присущую твердым кристаллам , и текучесть , хара ктерную для жидкостей. ЖК-индикаторы просты по конструкции , дешев ы , имеют низкое энергопотребление , обеспечивают хорошую контрастно сть изображения , которая не уменьшается при увеличении освещенности , хорошо совместимы с микросхемами управления . Их недостатки : необходимость иметь подсветку при работе в темноте , узкий температурный диапазон (от -15 до +55 С ), изменение параметров в т ечение срока хранения и при работе. Газонаполненные приборы для отображения и нформации , к которым относится и наш газор азрядный экран , представляют собой источники излучения , зона свечения в которых имеет о пределенную форму и м ожет управляться электрическими сигналами. Выпускаются ЗСИ матричной конструкции , по зволяющие проводить отображение графической , букв енно-цифровой и мнемонической информации . Определе нное распространение получили буквенные и циф ровые ЗСИ , в которых изображ ение получ ают с помощью комбинаций светящихся сегментов или целых цифр. ЗСИ матричной конструкции имеют плоскую форму и состоят из двух пластин , на которых выполнены наборы параллельных проводни ков , покрытых прозрачным диэлектриком . Пластины располагаются на небольшом расстоянии др уг от друга так , чтобы электроды были взаимно перпендикулярны . Камеру , образовавшуюся ме жду ними заполняют смесью неона и других инертных газов и герметизируют. При определенных значениях электрического поля , создаваемого в местах пересечения электродов , происходит ионизация и свечение газа . Цвет его зависит от газового сост ава . Форма близка к точечной . Совокупность светящихся точек образует требуемые буквы , ци фры , графики или мнемосхемы . Яркость свечения определяется значением пи т ающего напряжения , его частотой , свойствами газа и диэлектрических покрытий электродов . Последний фактор обусловлен тем , что диэлектрическое покрытие создает "емкостную связь " между элект родом и газом и при данном напряжении определяет максимальное значен и е р азрядного тока. Рассмотрим явление свечения в газоразрядн ых источниках излучения . Рис 5 Причины появления свечения поясним на примере рассмотрения газоразрядного промежутка между двумя электродами , находящимися в среде инертного газа (обычно неона Ne или ксенона He) либо их смесей см . Рис 5. Если к электродам приложить малое напряжение U (U
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Мужчина - как дорогое и красивое платье: вроде хорошо смотрится, но на какой-то облезлой сучке я его уже видела!
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru