Реферат: Основные характеристики и параметры логических элементов - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Основные характеристики и параметры логических элементов

Банк рефератов / Информатика, информационные технологии

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 644 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Основные характеристики и параметры логических элементов Основные характеристики логических элементов Амп литудная передаточная характери стика U ВЫХ = f(U BX ) определяет форми рующие свойства ЛЭ, его помехоустойчи вость, амплитуду и уровни стандартного сигнала. Вид характеристики зависит от типа логического элемента (ЭСЛ, ТТЛ) и может изменяться в определенных пределах в зависимости от разброса параметров схем, изменений напряжения питания, на грузки, температуры окружающей среды. Рассмотр им типовую амплитудную пере даточн ую характеристику (АПХ) инверти рующего ЛЭ (рис. 2.1). В статическом со стояни и выходной сигнал ЛЭ может нахо диться ли бо на верхнем (U B ), либо на ниж нем (U H ) уровне напряжения. Асимптотический верхний (т. В ) и аси мп тотический нижний (т. А ) уровни логичес ких си гналов находятся как точки пере сечения АПХ (кривая 1 ) с ее зеркальным отображением (кривая 2) относительно прямой единичного усиления U ВЫХ = U ВХ . Разность явля ется логическим перепадом U Л выходных уровней ЛЭ. На практике из-за влияния пом ех и разбросов амплитудных пере даточных характеристик для каждого типа ЛЭ у станавливается минимальный логический перепад: , где - соответственно верхний и нижний уровни выхо дного порогового напряжения. Вы ходные пороговые напряжения находят с помощью пороговых точек b и а на харак теристике, в которых дифференциальный коэффициент усиления по напряжению K U =-1. Зоны статической помехоустойчивости Л Э по нижнему ( )' и верхнему ( )' уровням напряжения в комбинационных логических цепях определяются выра жениями: где ( )' , ( )' характеризуют максимально допустимые уровни статической помехи на входе ЛЭ в комбинационных ло гических цепях; — выходное пороговое напряжение нижнего уровня; - выходное пороговое напря жение в ерхнего уровня. Однако из-за на личия схем с положительной обратной связью в технической документации на все ИС зоны ста тической помехоустойчивости по входу ограничиваются входными поро говыми напряжениями: — по ниж нему уровню и - по верхнему. Эти пороговые напряжения называются соответственно пороговым напряжением зоны п ереключения (порог зоны переклю чения ) нижнего уровня и пороговым на пряжением зоны переключения верхнего уровня . В зоне переключения, заключен ной между пороговыми напряжениями, работ а ЛЭ в статическом режиме запре щается. Рис. 2.1. Амплитудная передаточная харак теристика инвертирующего ЛЭ Рис. 2.2. Разброс амплитудных передаточ ных характеристик логических элементов Таким образом, статическая помехоус тойчи вость ЛЭ по нижнему уровню входного сигнала определяется выражением а по верх нему уровню входного сигнала — выра жением . Максимальная помехоустойчивость ЛЭ по ниж нему и верхнему уровням достига ется при идеальной амплитудно й передаточной характеристике, для которой . Реализация характеристик, близких к идеаль ным, связана с известными труд ностями вследствие технологического раз броса п араметров микросхем при изготов лении, изменения пороговых напряжений в зависимости от изменения напряжения питан ия и температуры окружающей сре ды в пр оцессе эксплуатации. Поэтому ре ально зоны статической помехоустойчи вости для каждого типа ЛЭ устанавливают на основании статистического анализа амплитудных передаточных характеристик. На рис. 2.2 заштрихованная область соот ветству ет возможным разбросам амплитуд ных п ередаточных характеристик ЛЭ од ного типа. При сопоставлении амплитудных пере даточных характеристик ЛЭ разных типов часто используют не абсолютные значения статической помехоустойчивости, а их от ношени е к минимальному логическому пе репаду: Чем бл иже амплитудная передаточная ха рактерис тика к идеальной, тем ближе зна чения этих коэффициентов к 0,5. Входная характеристика I ВХ = f (U BX )— зависимость входного тока ЛЭ от входного напряж ения определяет нагрузочную спо собность ЛЭ и режим работы линий связи. На рис. 2.3, 2.4 приведены типовые входные характеристики логических элементов ИС ЭСЛ и ТТЛ. На входной характеристи ке ЛЭ ЭСЛ можно выделить следующие зоны, соответств ующие возможным режи мам работы входной цепи ЛЭ: I, V — зоны, определяющие рабочие режимы ЛЭ, т. е. входные токи при входных напряжениях низкого и высокого уровней, при . которых входны е цепи имеют большое входное со противление (точки А и В соответствуют нижнему и верхнему уровням напряжений ЛЭ серии К500); II и IV — зоны статичес кой п омехоустойчивости; III — зона пе реклю чения ЛЭ (опорное напряжение U ОП , определяемое как среднее напряжение между высоким и низким уровнями, для ЛЭ ЭСЛ серии К500 составляет примерно — 1.3 В; зона ограничивается пороговыми напряжениями и ); VI — зона нерабочих режимов ( U ВХ НАС — на пряжение насыщения входного т ранзисто ра — при увеличении входного напряже ния входной ток резко увеличивается). Рис. 2.3. Типовая входная характеристика ЛЭ ЭСЛ На входной характеристике ЛЭ ТТЛ (см. рис. 2.4) можно выделить следующие зоны: I, IX — зоны недопустимых вход ны х напряжений; II.VIII— зоны пре дельно допустимых входных напряжений, оговоренных в технических условиях; III, VII — зоны, определяющие рабочий режим ЛЭ; наиболее характерный режим п ри напряжении низкого уровня («0 ») — точка А, при напряжении верхнего уров ня — точка В; IV, VI — зоны допусти мых статических помех; V — зона пере ключения. Выходная характеристика U ВЫХ = f ( I ВЫХ ) — зависимость выходного напряжения ЛЭ от выходного тока нагрузки. Эта характеристика в совокупности с входно й позволяет определить нагрузоч ную способность ЛЭ, режим его работы и способ согласования переходных процес сов в линиях связи. Так как в каждом из двух состояний ЛЭ в активном режиме находятся различные компоненты схемы, то различают выходные характеристики по нижнему и по верхнему уровням выходног о напря жения. Точка В на графике выходной характе ристики ИС ЭСЛ (рис. 2.5) распо ложена в рабочей зоне верхнего логичес кого уровня, точка А — в зоне нижнего уровня. Для определения рабочих точек А и В н а выходную характеристику накла дывают нагрузочные характеристики (R H ). Рабочие зоны выходных характеристик по верхнему и по нижнему уровням напряжения ЛЭ ТТЛ (рис. 2.6), как и ЛЭ ЭСЛ, ограничены выходными пороговыми напряжениями и допустимыми уровнями напряж ений. Статическому состоянию вы ходного верхне го уровня при малой на грузке соответствует точка В. Точка А, находящаяся на пересечении выходной хара ктеристики нижнего уровня управ ляющего ЛЭ с входной характеристикой управляемого ЛЭ, определяет статическое состояние нижнего уровня. Входные и выходные характеристики ЛЭ ТТЛ могут использоваться для оцен ки уровня помех, возникающих в линиях связи при переключении ЛЭ. В частности, для оценки отражений в длинных линиях связи используют также нагрузочную ха рактеристику линии связи. Рис. 2.4. Типовая входная характеристика ЛЭ ТТЛ Рис. 2.5. Типовая выходная хара ктеристи ка ЛЭ ЭСЛ Рис. 2.6. Типовая выходная характеристи ка ЛЭ ТТЛ Характеристика им пульсной (динами ческой) помехоустойчивости U ПОМ = f ( t ПОМ ) — зависимость допустимой амплитуды импульсной помехи от ее дли тельн ости — необходима для оценки до пустимого уровня импульсных помех малой длительности. Эта характеристика зависит от ампли туды, длительности, формы сигнала помехи и скор ости переключения ЛЭ. Обычно им пульсна я помехоустойчивость выше стати ческой. Отсутствие в настоящее время до статочно надежных критериев ее оценки при массовом производстве микросхем со значительными технологическими разбро сами импульсных параметров и их зависи мостью от условий работы не позволяет приводить в технических условиях на ИС допустимую импульсную помехоустойчи вость. Наиболее широкое распростране ние получил метод ее оценки с помощью характеристики, приведенной на рис. 2.7. Зависимость U ПОМ ИМП = f ( t ПОМ ИМП ) раз деляет области допустимых (I) и недопус тимых (II) импульсных помех. При боль ших длительностях импульсов помехи t ПОМ ИМП > t 2 динамическая помехоустой чивость приближается к статической. При очень малых длительностях помехи ( t ПОМ ИМП < t 1 ) ЛЭ нечувствителен к ее амплитуде. Рис. 2.7. Типовая характеристика импульс ной помехоустойчивости ЛЭ Основные параметры логических элементов Динамические параметры . Быстро действ ие ЛЭ при переключении определя ется электрической схемой, технологией изготовления и характером нагрузки. Для идентификации измерений динамических параметров в технической документации на ИС приводятся параметры эквивалент ной нагрузки, устанавливаются требования к ампли туде и длительности фронта вход ного сигнала. Уровни отсчета напряжений для определения динамических парамет ров устанавливаются относительно выходн ых пороговых напряжений «1» и « 0 » (рис. 2. 8). Временные зависимости напря жений в зонах выше или ниже указанных на рисунке пороговых уровней не влияют на работу ЛЭ и поэтому не представляют интереса. Рис. 2.8. Входной (а) и выходной (б) сиг налы инвертирующего ЛЭ Основными динамическими параметра ми ЛЭ являются задержка распростране ния сигнала t ЗД Р при переключении и дли тельность положительного (нарастающего) и отрицательного (спадающего) фронтов t Ф выходных сигналов. Задержка распространения сигнала при переходе выходного напряжения от «1» к «0 » (при положительной логике* это соответствует отрицательному фронту, при отрицательной — положительному фронту выходного сигнала) определяется как ин тервал времени между фронтами входного и выходного сигналов ЛЭ, измеренного по заданному уровню. (*Для положительной логики более положительное значение напряжения (высо кий уровень) соответствует лог. 1, а менее положительное значение напряжения (низ кий уровень) — лог. 0. Для отрицательной логики менее поло жительное значение напряжения (низкий уровень) с оответствует лог. 1. а более по ложительное значение напряжения (вы сокий уровень) — лог. 0.) Задержка распространения сигнала при пер еходе выходного напряжения от «0 » к «1» (при положительной логике это соответствует положительному фронту, при от рицательной логике — отрицатель ному фронту выходного сигнала) опреде ляется как интервал времени между фрон тами входного и выходного сигнала ЛЭ, изме ренного по заданному уровню. За держки распространения ( , ) из меряются, как правило, по уровню 0, 5 ( + ). При расчете временной задержки сиг нала последовательно включенных ЛЭ испол ьзуется средняя задержка распро странения сигнала ЛЭ : Длительность фронта выходного сигна ла при переходе напряжения из «1» в « 0» ( ) для положительной логики соответ ствует отрицательному фронту, для отри цательной логики — положительному фронту. Дл ительность фронта выходного сиг нала при переходе напряжения из 0 в 1 ( ) д ля положительной логики соответ ствует положительному фронту, для отри цательной логики — отрицательному фронту. Иногда в технической документа ции на ИС , — обозначаются соот ветстве нно , . Длительности по ложительных и отрицательных фронтов измеряют по уровням 0,1 и 0,9 (см. рис. 2.8). Статические параметры определяют ус ловия формирования и значения напря жений высокого и низкого уровней на вы ходе ЛЭ, его нагрузочную способность, потребляемую мощность при заданных напряжении питания, нагрузке и темпе ратуре окружающей среды. К статическим параметрам ЛЭ относят ся: выходные и входные напряжения лог. 0 и 1 ( , , , ); вхо дные и выходные пороговые напря жения лог. 0 и 1 ( , , , ); входные и выходные токи лог. 0 и 1 ( , , , ); токи потребления в состоянии лог. 0 и 1 ( , ); потребляемая мощность ( P пот ) . Выходное пороговое напряжение лог. 0 ест ь максимальное или мини мальное (в зависимости от типа логики) выходное напряжение лог. 0, определяемое пороговой точкой амплитудной переда точной характеристики в области лог. 0, в которой дифференциальный коэффициент усиления по напряжению К U = 1 для не инвертирующего ЛЭ и К U = - 1 для ин вертирующего ЛЭ (см. рис. 2.1). Выходное пороговое напряжение лог. 1 есть минимальное или максималь ное (в зависимости от типа логики) вы ходное напряжение лог. 1, определяемое пороговой точкой амплитудной передаточ ной характеристики в области лог. 1, в которой К U = 1 для неинвертирующего ЛЭ, К U = - 1 для инвертирующего ЛЭ. Порог зоны переключения лог. 0 ес ть пороговое напряжение лог. 0, опреде ляемое пороговой точкой амплитудной пе редаточной характеристики в области лог. 0 , в которой К U = 1 для неинвертирующего ЛЭ и К U = - 1 для инвертирующего ЛЭ (см. рис. 2.1). Порог зоны переключения лог. 1 есть пороговое напряжение лог. 1, опре деляемое пороговой точкой амплитудной передаточной характеристики в области лог. 1, в которой К U = 1 для неинверти рующего ЛЭ и К U = - 1 для инверти рующего ЛЭ. Входной ток ЛЭ задается для неблаго приятного режима работы в пределах до пустимых температур окружающей среды и напряжения питания как для уровня лог. 0 ( ), так и для уровня лог. 1 ( ). Выходные токи , характеризуют нагрузочную способность ЛЭ. (Втекающие токи имеют положительный знак, выте кающие токи — отрицательный знак.) Помехоустойчивость определяется отно сительно этих токов. Поэтому увеличение коэффициента разветвления приводит к снижению помехоустойчивости. Входной ток лог. 1 определяется как входной ток при напряжении лог. 1 на входе ЛЭ. — входной ток лог. 0 определяется как входной ток при напряжении лог. 0 на входе ЛЭ. — выходной ток лог. 1 определя ется как выходной ток при напряжении лог. 1 на выходе ЛЭ. — выходной ток лог. 0 определяет ся как выходной ток при напряжении лог. 0 на выходе ЛЭ. Ток, потребляемый от источника (ис точников) питания ЛЭ ( I пот ), зависит от типа ЛЭ. Для ЛЭ ЭСЛ он почти постоянен (если не принимать во внимание нагрузку) и не зависит от его логического состояния, для ЛЭ ТТЛ ток имеет разные значения для состояния «0» ( ) и « 1 » ( ) . Кро ме того, ЛЭ ТТЛ имеют выбросы тока во время переходных процессов при переключении ЛЭ, что приводит к существенному увеличению тока потребления на высоких частотах. Амплитуда и длительность вы броса зависят от характера и величины на грузки, схемотехники выходного каскада ЛЭ ТТЛ, длины линии связи и пр. Мощность, потребляемая ЛЭ от источни ков питания , где U i — напряжение i -го источника питания; I i — ток в соответствующей цепи питания. Если потребляемая мощность зависит от выходного напряжения лог. 0 ( ) или 1 ( ), то в качестве основного па раметра используют среднюю потребляе мую мощность Р пот ср = ( + ) / 2. Для ЛЭ, потребляющих значительную мощность при переключении, средняя потребляемая мощность в технической документации задается в виде зависимости Р пот ср = f ( F имп ) , где F имп — частота следования импульсов. Интегральные параметры отражают уровень развития технологии и схемотех ники и качество цифровых ИС. Основными интегральными параметрами ИС являют ся энергия переключения и уровень интеграции N . Рис. 2.9. Изменение основных параметров цифровых интегральных схем: Д — минимальный топологический размер компо нентов, мкм; N ЛЭ — степень интеграции ЛЭ; N ЗУ — число бит памяти на кристалле Энергия переключения . Как правило, при определении энергии переключения используют типовые значения задержки распространения и потребляемой мощности. (Если потреб ляемая мощность вы ражается в милливат тах, а задержка распространения — в наносекундах, то энергия переключения имеет размерность пикоджоуль.) По мере совер шенствования технологии и схемо те хники и уменьшения размеров эле ментов на кристалле энергия переключения непрерывно снижается — примерно на полтора порядка за десятилетие (рис. 2.9). При з аданных технологии и схемотехни ке, или при за данной энергии переключения ( = const ), можно создавать раз личн ые серии ИС, обладающие либо вы соким бы стродействием (малым значением ф зд р ) и большой потребляемой мощностью, либо низким быстродействием и малой потреб ляемой мощностью. По этому пара метру в настоящее время производят оцен ку уро вня развития цифровой микроэлек троники и сравнение различных типов ИС. Степень интеграции N логических ци ф ровых микросхем определяется числом простейших эквивалентных ЛЭ — обычно двухвходовых вентилей — на кристалле (см. рис. 2.9 и табл. 2.1). Иногда степень интеграции микросхем измеряют числом элементов (резисторов, транзисторов, дио дов) на кристалле, но при этом совершенно не учитывается специфика логических цифровых ИС, где межэлементные связи занимают существе нную часть площади кристалла. Функциональную сложность ИС зап оминающих устройств, имеющих ре гулярную структуру, можно оценивать числом бит памяти на кристалле. Таблица 2.1 Условное обозначение Число венти лей на кристалл Число бит па мяти на кристалл ИС До 10 До 10 2 СИС 10 2 10 3 БИС 10 3 10 4 СБИС 10 4 10 5 СБИС более высокой степе- ни интеграции 10 5 10 6 10 6 10 7 Условные обозначения серий цифровых микросхем По ко нструктивно-технологическому ис полнению все цифровые ИС делятся на группы . По характеру выполняемых функ ций в аппаратуре ИС подразделяются на подгруппы (наприм ер, логические элемен ты, триг геры и т. д.) и виды внутри под групп (например, триггеры универсальные, счетные, с задержкой и т. д.). Разделение цифровых ИС на подгруппы и виды по функциональному назначению приведено в табл. 2.2. Таблица 2.2 Подгруппа и вид ИС Обозначе ние Формирователи: импульсов прямоугольной фор мы АГ импульсов специальной формы АФ прочие АП Схемы вычислительных средств: схе мы сопряжения с магист ралью ВА схемы синхронизации ВБ схемы управления вводом — вы водом (схемы интерфейса) ВВ контроллеры ВГ микро-ЭВМ BE специализированные схемы ВЖ времязадающие схемы ВИ комбинированные схемы ВК микропроцессоры ВМ с хемы управления прерывани ем ВН прочие ВП функциональные расширители ( в том числе расширители раз рядности данных) ВР микропроцессорные секции ВС схемы управления памятью ВТ схемы микропрограммного уп равления ВУ функциональные преобразователи информации (арифметиче с кие, тригонометрические, логарифмические, быстрого преобра зования Фурье и др.) ВФ Генераторы: прямоугольных сигналов ГГ сигналов специальной формы ГФ Схемы арифметических и дискрет ных устройств: а рифметическо-логические уст ройства ИА шифраторы ИВ дешифраторы ИД счетчики ИЕ Продолжение табл. 2.2 Подгруппа и вид ИС Обозначе ние комбинированные ИК полусумматоры ИЛ сумматоры ИМ прочие ИП регистры ИР Коммутаторы и ключи: напряжения КН прочие КП тока КТ Логические элементы: элемент И — НЕ ЛА элемент И — НЕ/ИЛИ — НЕ ЛБ расширители ЛД элемент ИЛИ — НЕ ЛЕ элемент И ЛИ элемент И — ИЛИ — НЕ/И — ИЛИ ЛК элемент ИЛИ ЛЛ элемент ИЛИ — НЕ/ИЛИ ЛМ элемент НЕ ЛН прочие ЛП элемент И — ИЛИ — НЕ ЛР элемент И — ИЛИ ЛС Преобразователи сигналов: уровня (согласователи) ПУ код — код ПР Схемы запоминающих устройств (ЗУ): ассоциативные ЗУ РА Окончание табл. 2.2 Подгруппа и вид ИС Обозначение матрицы постоянных ЗУ РВ постоянные ЗУ (масочные) РЕ матрицы оперативных ЗУ РМ прочие РП постоянные ЗУ с возможностью РР многократного электрического перепрограммирования постоянные ЗУ с возможностью РТ однократного программирова ния оперативные ЗУ РУ постоянные ЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации РФ Триггеры: универсальные (типа JK) ТВ динамические ТД комбинированные ТК Шмитта ТЛ с задержкой (типа D) ТМ прочие ТП с раздельным запуском (типа RS) ТР счетные (типа Т) ТТ Многофункциональные схемы: цифровые ХЛ комбинированные ХК Цифровые матрицы ХМ Прочие ХП Таблица 2.3 Тип логики Серия Параметры логического элемента (вентиля) Степень интегра ции Функциональ ный аналог P , мВт , пДж ТТЛ К155 10 10 100 ИС, СИС SN74 КМ155 ТТЛШ К531 3 20 60 ИС, СИС SN74S КР1531 3 4 12 ИС, СИС SN74F К555 10 2 20 ИС, СИС SN74LS КМ555 КР1533 4 2 8 ИС, СИС SN74ALS К589 5 8 40 МП БИС 13000 КР1802 5 4 20 МП БИС — К1804 5 4 20 МП БИС Ат2900 ЭСЛ К500 2 25 50 ИС, СИС мсюк К1500 0,75 40 30 ИС, СИС F100K К1800 1,5 20 30 МП БИС МС10800 К1520ХМ1 0,8 12 10 МаБИС F200 К1520ХМ2 1 10 10 МаБИС — По принятой системе ГОСТ 17021— 75 обознач ение ИС должно состоять из четы рех элементов. Первый — цифра (1, 5, 7), обозн ачающая конструктивно-технологи ческое исполнение ИС; второй — цифры, обозначающие порядковый номер серии микросхемы от 000 до 999 либо от 00 до 99. Первые два элемента определяют номер серии ИС. Третий элемент — две буквы, соответствующие подгруппе и виду по фун кциональному назначению, четвер тый — порядковый номер ИС по функцио нальному признаку в данной серии. Буквы К, KM, KP перед условным обозначе нием микросхем характеризуют условия их приемки на заводе-изгото вителе и осо бенности конструктивного исполнения. Иногда в конце условного обозначения добавл яется буква, определяющая техно логиче ский разброс электрических пара метров данного типономинала. Например, запись КР1533ЛАЗ обозна чает, что имеем микросхему широкого применения (К), в пластмассовом корпу се (Р), полупроводниковую (1), серии 533, выполняющую функцию логического эле мента И— НЕ, порядковый номер в под группе — 3. В табл. 2.3 приведены условные обо значения и основные параметры серий би полярных цифровых ИС и БИС, рассмат риваемых в данном справочнике.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
После войны Штирлиц вернулся в Москву. Но и здесь он не оставил старых привычек: бесцельно разъезжал в автомобиле, хаживал в ресторанчики, составлял досье на руководителей партии.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по информатике и информационным технологиям "Основные характеристики и параметры логических элементов", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru