Реферат: Физико-топологическая модель интегрального биполярного п-р-п-транзистора - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Физико-топологическая модель интегрального биполярного п-р-п-транзистора

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 258 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ КАФЕДРА РЭС РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ИНТЕГРАЛЬНОГО БИПОЛЯРН О ГО п-р-п-ТРАНЗИСТОРА МИНСК, 2009 Физико-топологическая модель — модель расчета электрических пар а метров, исходными параметрами которой являются электрофизические хара к теристики полупроводниковой структуры и топологические размеры транз и стора (см. рис.1). Электрофизические характеристики: концентрация собстве н ных носителей заряда, ширина запрещенной зоны и диэлектрическая прон и цаемость полупроводника, времена жизни, тепловые скорости, конце н трации и сечения ловушек захвата, подвижности, коэффициенты диффузии и концентр а ции примесных электронов и дырок. Многие из этих параметров зависят от профиля легирования (распределения концентрации легирующих примесей вглубь) транзисто р ной структуры. Топологические размеры: длина эмиттера L э ; ширина эми т тера Z э ; расстояния от базового контакта до края базы d бб . Параметры профиля легирования (см. рис. 1,в): концентрация донорной примеси в эпита к сиальном коллекторном слое N дк , глубины залегания р-п-переходов коллектор-база х к и эмиттер-база х э , концентрации акцепторной пр и меси на поверхности базы N an и донорной примеси на поверхности эмиттера N д n , толщина эпитаксиальной пленки W ЭП . Распределение концентрации акцепторной примеси при формировании базы путем двухстадийной диффузии находится из выраж е ния (1) где t 1 a и t 2 a — время "загонки" и "разгонки" акцепторной примеси; D 1 a и D 2 a — коэффициенты диффузии акцепторной примеси при "заго н ке" и "ра з гонке". Рис. 1. Разрез структуры и т о пология БТ: а - структура БТ; б - эскиз топол о гии БТ;в - параметры профиля легир о вания БТ Распределение концентрации донорной примеси при формировании эмиттера путем одностадийной диффузии рассчитывается по форм у ле (2) где D д и t д — коэффициент и время диффузии донорной примеси. Коэффициент диффузии определяется выражением D = D o exp (
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Приходили сектанты, говорили что-то о добрых делах. Предложил им вынести мусор - обиделись и ушли...
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по радиоэлектронике "Физико-топологическая модель интегрального биполярного п-р-п-транзистора", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru