Курсовая: Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов - текст курсовой. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Курсовая

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Курсовая работа
Язык курсовой: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 170 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникальной курсовой работы

Узнайте стоимость написания уникальной работы

- 20 - Саратовский Государств енный Технический Университет Кафедра «Электронные приборы и устройства» Курсовая работа На тему : «Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов» Выполнил : ст . Козачук В . М. Проверил : доц . Торопчин В . И. САРАТОВ 1999г. Оглавление. Оглавление. 1 1. Введение 2 2. Цель задания 2 3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ 2 3.1 Техническое задание. 2 3.2 Параметры , выбранные самостоятельно. 2 3.3 Перечень используемых обозначений 3 4. Выбор технологии изготовления транзистора 5 4.1 Сплавно-диффузионные транзисторы. 5 4.2 Структура сплавно-диффузионного p-n-p 7 5. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ 8 5.1 Расчёт толщины базы и концентраций примесей. 8 5.2 Расчет коэффициента передачи тока 11 5.3 Расчет емкостей и размеров переходов 11 5.4 Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот 12 5.5 Расчет обратных токов коллектора 14 5.6 Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры 15 5.7 Расчёт эксплутационных параметров 15 6. Выбор корпуса транзистора 16 7. Обсуждение результатов 18 8. Выводы : 18 9. Список используемой литературы 20 1. Введение Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца 19 века . При изобретении радио А.С . Поповым был применен порошковый когерер , в котором использовалис ь нелинейные свойства зернистых структур . В 1923-1924 гг . Лосев О.В . обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях карбида кремния . В 1940 году был изготовлен первый точечный д иод . В 1948 году американский физик Дж . Бардии , а также И.Браштейн разработали и изготовили точечно-контактный транзистор , в 1952 г . впервые были созданы промышленные образцы плоскостных транзисторов . В 1956 г . началось производство транзисторов с базой , п олученной методом диффузии . В начале 60-х годов была применена планарная технология изготовления транзисторов . В настоящее время рабочие частоты транзисторов достигают 50 ГГц . По уровню рассеиваемой мощности транзисторы делятся на маломощные , средней и б ольшой мощности. 2. Цель задания Задачей выполнения курсового проекта я вляется разработка маломощного биполярного транзистора в диапазоне , средних и высоких частот. Целью работы над проектом является приобретение навыков решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов , углубление знаний процессов и кон структивно технологических особенностей биполярных маломощных транзисторов. 3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ 3.1 Техническое задание. Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора . В данном случае наиболее существенны следующие параметры : 1. Номинальный ток коллектора I к ном =9мА. 2. Номина льное напряжение коллектора U к ном =13В 3. Верхняя граничная частота f =90МГц 4. Максимальная рассеивающая мощность Р к мах =60мВт 5. Максимальное напряжение коллектора U к мах =18В 6. Максимальный ток коллектора I к мах =12мА 7. Максимальная рабочая температура транзистора Т к мах =74 С 8. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ в =65 3.2 Параметры , выбранные самостоятельно. 1. Время жизни ННЗ ф ср =5мкс 2. Материал кристалла Ge 3. Тип структуры p - n - p 4. Ёмкость коллекторного перехода С к =2пФ 5. Коофициент запаса по частоте F Х 1 =1,3 6. Перепад N б Х 2 = 500 7. Отношение концентраций N ОЭ / N б =3 8. Толщина диффузионного слоя h дс = мкм 9. Скорость поверхностной рекомбинации S рек = слус 3.3 Перечень используемых обозначений A k - площадь коллектора ; А э - площадь эмитера ; a - градиент концентрации примесей ; - отношение подвижностей электронов и дырок ; С з.к зарядная (барьерная ) емкость коллекторного перехода ; С д.э - диффузионная емкость эмитерного перехода ; С з.э - зарядная ( барьерная ) емкость эмитерного перехода ; Д п , Д р - коэффициенты диффузии электронов и дырок ; Д нб , Д об - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в базе ; Д нэ , Д оэ - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в эмиттере ; Е — напряженн ость электрического поля ; - ширина запрещенной зоны ; - частота ; - граничная частота коэффициента пер едачи тока в схеме с общей базой ; Т - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмитером ; max - максимальная частота генерации ; h kp - толщина кристалла ; h э , h k — глубина вплавления в кристалл эмитера и коллектора ; L n , L p - средние диффузионные длины электронов и дырок ; L нб , L нэ средние диффузионные длины не основных носителей в базе и эмитере ; N б , N k , N э — концентрации примесей в базе , коллекторе и эмитере сплавного транзистора ; N б ( х ) - концентрация примеси , формирующей проводимость базы дрейфового транзистора ; N э ( x ) - концентрация примеси , формирующей проводимость эмиттера дрейфового т ранзистора ; n i - равновесная концентрация электронов в собственном полупроводнике ; n n, n p - равновесные концентрации электронов в полупроводниках n - типа и p - типа ; Р - мощность , рассеиваемая в коллекторе ; P k max - предельно допустимая мощность , рассеива емая в коллекторе ; Р э - периметр эмитера ; Р n , Р p - равновесные концентрации дырок в полупроводниках n -типа и p - типа ; R б , R э , R к - радиусы электродов базы , коллектора , эмитера ; R m , - тепловое сопротивление ; r б - эквивалентное сопротивление базы ; r б ’ , r б ’ ’ - омическое и диффузное сопротивление базы ; r э - сопротивление эмитера без учета эффекта Эрле ; r э ’ - сопротивление эмитера с учетом эффекта Эрле ; S — скорость поверхностной рекомбинации ; Т — абсолютная температура ; Т к — температура корпуса транзистора ; Т max - максимально допустимая температура коллекторного перехода ; W - геометрическая толщина базы ; W g — действующая толщина базы ; U эб - напряжение эмитер-база ; U кб - напряжение коллектор-база ; U kpn - контактная разность потенциалов ; U проб - напряжение пробо я ; U прок - напряжение прокола транзистора ; U к - напряжение коллекторного перехода ; U k max - максимально допустимое напряжение на коллекторе ; I э — ток эмитера ; I б — ток базы ; I ко — обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере ; I kmax - максимально допуст имый ток коллектора ; I ген - ток термогенерации в области объемного заряда ; I рек — ток рекомбинации ; - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой ; о - низкочастотное значение ; * — коэффициент усиления тока коллекторного перехода за счет не основных носителей заряда ; — коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитером ; — коэффициент инжекции эмитера ; б к — толщина коллекторного перехода ; - относительная диэлектирическая проницаемость ; о – коэффициент переноса не основных носителей заряда через область базы ; э , б – подвижности электронов и дырок ; нб , об – подвижности не основных и основных носителей заряда в базе ; нэ , оэ – подвижности не основных и основных носителей заряда в эмитере ; - круговая частота ; - удельное сопротивление полупроводника ; i - удельное сопротивление собственного полупроводника ; э , б , к - удельные сопротивления эмитера , базы , коллектора ; n , p – среднее время жизни электронов и дырок np – время пролета не основных носителей заряда через базу ; n – среднее время жизни носителей заряда , обусловленное поверхностной рекомбинацией ; - удельная теплопроводность ; 4. Выбор технологии изготовления транзистора Основным элементом конструкции транзисто ра является кристалл , или транзисторная структура кристалла , которая представляет собой полупроводниковую пластину со сформированными на ней эмиттерным (ЭП ) и коллекторным (КП ) переходами . Другими элементами конструкции являются корпус , кристаллодержатель, выводы. В зависимости от технических требований предъявляемых к параметрам транзистора , применяются различные методы формирования транзисторной структуры . Низкочастотные транзисторы изготавливаются по сплавной технологии , высокочастотные – с обязательным использованием процесса диффузии примесей . Основными разновидностями технологии изготовления высокочастотных транзисторов являются : диффузионная , планарная . Чисто диффузионная технология используется для изготовления транзисторов с f б не превышающими 50-1 00 МГц , сплавно - и мезо - диффузионная – для диапазонов 50-100 МГц , соответственно , планарная– для f б =0,5-5ГГц. Так как граничная частота f б составляет 250 МГц , то для изготовления выберем сплавно-диффузионную технологию. 4.1 Сплавно-диффузионные транзисторы. При диффузионной технологии неоднородность эмиттерной поверхности приводит к неоднородности толщины базовой области , что ухудшает возможные частотные свойства транзистора . В сплавно-диффузионной технологии диффузией формируется лишь базовая область а КП и ЭП формируются вплавлением эмиттерной навески , под которой образуется рекристализационная зона . При этом в эмиттерную навеску вводится примесь , формирующая под эмиттером ак т ивный диффузионный слой базы . Коэффициент диффузии этой примеси должен значительно превышать коэффициент диффузии примеси , формирующей эмиттер и ЭП в рекристализационной зоне . Структура сплавно-диффузионного p - n - p транзистора изображена на рис .1. На рис .2 приведены некоторые этапы получения сплавно-диффузионного транзистора . После получения исходной р - пластины Ge , протравливают в ней лунку , углубляясь в исходную р - пластину (рис .2.1). травление лунок осуществляется методом фотолитографии . На окислённую пла стину наносят фоторезистивную плёнку , её освещают через маску ультрофиолетовым светом . Экспонированные места фоторезиста поляризуются . Незаполимеризованные части фоторезиста смывают так , что он остаётся только на облучённых местах . Затем производят травле н ие . После получения лунки проводят щдиффузию донарной примеси (рис .2.2) затем необходимо отшлифовать поверхность исходной пластины , т.о ., чтобы диффузионный слой остался лишь в лунке . Диффузия донорной примеси приводит к образованию базового n - слоя (рис. 2.3). С помощью электрохимического метода через маску вводят навески вплавляемого материала 1 и 4 (рис .2.4). Навеска 1 является эмиттерной , содержащая спал Ni + Al + In , а навеска 2- базовой. Затем пластину помещают в печь и нагревают до температуры , близк ой к температуре плавления германия (около 900
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Каждый раз, когда я вынимаю бельё из стиральной машины, у меня возникает один и тот же вопрос: "Как все вещи в такой тесноте умудряются безошибочно находить дырку в пододеяльнике?".
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, курсовая по радиоэлектронике "Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru