Курсовая: Определение параметров p-n перехода - текст курсовой. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Курсовая

Определение параметров p-n перехода

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Курсовая работа
Язык курсовой: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 66 kb, скачать бесплатно
Обойти Антиплагиат
Повысьте уникальность файла до 80-100% здесь.
Промокод referatbank - cкидка 20%!

Узнайте стоимость написания уникальной работы



«МАТИ»-РГТУ

им. К. Э. Циолковского





тема: «Определение параметров p-n перехода»







Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx

xxxxxxxxxxxxxxxx"








Курсовая работа








студент Хxxxxxxx X. X. группа XX-X-XX


дата сдачи


оценка



г. Москва 2001 год


Оглавление:


1. Исходные данные


3



2. Анализ исходных данных


3



3. Расчет физических параметров p- и n- областей


3



а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны

3





б) собственная концентрация

3


в) положение уровня Ферми

3


г) концентрации основных и неосновных носителей заряда

4


д) удельные электропроводности p- и n- областей

4


е) коэффициенты диффузий электронов и дырок

4


ж) диффузионные длины электронов и дырок

4





4. Расчет параметров p-n перехода


4




a) величина равновесного потенциального барьера

4


б) контактная разность потенциалов

4


в) ширина ОПЗ

5


г) барьерная ёмкость при нулевом смещении

5


д) тепловой обратный ток перехода

5


е) график ВФХ

5


ж) график ВАХ

6, 7





5. Вывод


7


6. Литература


8















1. Исходные данные

1) материал полупроводника – GaAs

2) тип p-n переход – резкий и несимметричный

3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА

4) барьерная ёмкость () – 1 пФ

5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2

6) физические свойства полупроводника



Ширина запрещенной зоны, эВ

Подвижность при 300К, м2/Вс

Эффективная масса

Время жизни носителей заряда, с

Относительная диэлектрическая проницаемость

электронов

Дырок

электрона mn/me

дырки mp/me








1,42-8

0,85-8

0,04-8

0,067-8

0,082-8

10-8

13,1-8


2. Анализ исходных данных

1. Материал легирующих примесей:

а) S (сера) элемент VIA группы (не Me)

б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me)

2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -3

3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована)

4. – ширина запрещенной зоны

5. , – подвижность электронов и дырок

6. , – эффективная масса электрона и дырки

7. – время жизни носителей заряда

8. – относительная диэлектрическая проницаемость

3. Расчет физических параметров p- и n- областей

а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны

б) собственная концентрация


в) положение уровня Ферми

(рис. 1)


(рис. 2)


X

Ev

Ec

Ei

EF

Eg


X

Ev

Ec

Ei

EF

Eg


(рис. 1)

(рис. 2)

г) концентрации основных и неосновных носителей заряда






д) удельные электропроводности p- и n- областей


е) коэффициенты диффузий электронов и дырок


ж) диффузионные длины электронов и дырок


4. Расчет параметров p-n перехода

a) величина равновесного потенциального барьера

б) контактная разность потенциалов


в) ширина ОПЗ (переход несимметричный  )

г) барьерная ёмкость при нулевом смещении

д) тепловой обратный ток перехода

е) график ВФХ







– общий вид функции для построения ВФХ



ж) график ВАХ





– общий вид функции для построения ВАХ












































Ветвь обратного теплового тока (масштаб)

Ветвь прямого тока (масштаб)

Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам:

- величина равновесного потенциального барьера () равна , что соответствует условию >0,7эВ


- барьерная емкость при нулевом смещении () равна 1,0112пФ т.е. соответствует заданному ( 1пФ )


- значение обратного теплового тока () равно 1,9210-16А т.е. много меньше заданного ( 0,1мкА )















Литература:

1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники»

2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ». Москва, 1996 г.

3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. Москва, «Советское радио», 1971 г.



1Авиация и космонавтика
2Архитектура и строительство
3Астрономия
 
4Безопасность жизнедеятельности
5Биология
 
6Военная кафедра, гражданская оборона
 
7География, экономическая география
8Геология и геодезия
9Государственное регулирование и налоги
 
10Естествознание
 
11Журналистика
 
12Законодательство и право
13Адвокатура
14Административное право
15Арбитражное процессуальное право
16Банковское право
17Государство и право
18Гражданское право и процесс
19Жилищное право
20Законодательство зарубежных стран
21Земельное право
22Конституционное право
23Конституционное право зарубежных стран
24Международное право
25Муниципальное право
26Налоговое право
27Римское право
28Семейное право
29Таможенное право
30Трудовое право
31Уголовное право и процесс
32Финансовое право
33Хозяйственное право
34Экологическое право
35Юриспруденция
36Иностранные языки
37Информатика, информационные технологии
38Базы данных
39Компьютерные сети
40Программирование
41Искусство и культура
42Краеведение
43Культурология
44Музыка
45История
46Биографии
47Историческая личность
 
48Литература
 
49Маркетинг и реклама
50Математика
51Медицина и здоровье
52Менеджмент
53Антикризисное управление
54Делопроизводство и документооборот
55Логистика
 
56Педагогика
57Политология
58Правоохранительные органы
59Криминалистика и криминология
60Прочее
61Психология
62Юридическая психология
 
63Радиоэлектроника
64Религия
 
65Сельское хозяйство и землепользование
66Социология
67Страхование
 
68Технологии
69Материаловедение
70Машиностроение
71Металлургия
72Транспорт
73Туризм
 
74Физика
75Физкультура и спорт
76Философия
 
77Химия
 
78Экология, охрана природы
79Экономика и финансы
80Анализ хозяйственной деятельности
81Банковское дело и кредитование
82Биржевое дело
83Бухгалтерский учет и аудит
84История экономических учений
85Международные отношения
86Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
87Финансы
88Ценные бумаги и фондовый рынок
89Экономика предприятия
90Экономико-математическое моделирование
91Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Муж:
- Вот, скажи, только честно. Ты мне за 20 лет совместной жизни хоть раз, ну хотя бы мысленно, изменяла?
Жена:
- Если честно, то мысленно ни разу…
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, курсовая по радиоэлектронике "Определение параметров p-n перехода", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2017
Рейтинг@Mail.ru