Курсовая: Интегральная микросхема КР1533ТВ6 - текст курсовой. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Курсовая

Интегральная микросхема КР1533ТВ6

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Курсовая работа
Язык курсовой: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 1713 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникальной курсовой работы

Узнайте стоимость написания уникальной работы

ГОСКОМСТАТ РФ УФИМСКИЙ КОЛЛЕДЖ СТАТИСТИКИ , ИНФОРМАТИКИ И ВЫЧИСЛИТ ЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ. Предмет : «Микросхемотехника» Интегральная микросхема КР 1533ТВ 6 Пояснительная записка к курсовой работе. Руководитель : _________/ / « _____» _________2001 год Студент : __________/ / « _____» ________2001 год Уфа 2001 Госкомстат Российской Федерации Уфимский колледж статистики информатики и вычислительной техники Утверждаю : _________ / / “ ____” __________ 2001 год. ЗАДАНИЕ На курсовую работу по теме : «Интегральная микросхема КР 1533ТВ 6» Студента дневного отделения Группа 3А -1, специальность 2202 Ф.И.О . При выполнении курсовой работы должны быть предост авлены : 1. Пояснительная записка , состоящая из следующих разделов : 1.1. Введение. 1.2. Микросхемотип. 2. Графическая часть 2.1. Схема. 2.2. Общий вид. 3. Список литературы Задание к выполнению получил “ 15 ” марта 2001г. Студент группы 3А -1 ______________ / / Срок окончания “ ” 2001г. Руководитель курсовой работы ____________ / / ЗАКЛЮЧЕНИЕ На курсовую раб оту Студента дневного отделения Группа 3А -1, специальность 2202 ,Ф.И.О .: Тема курсовой работы : ” Интегральная микросхема КР 1533ТВ 6 ”. Текст заключения : Руководитель курсовой работы : ______________ / / « ____» _ _ _________ 200 1г. Аннотация Данная курсовая работа по предмету «Микросхемотехника» содержит описание интегральной микросхемы КР 1533ТВ 6. В курсовой работе приводится подробное описание , применение и технология изготовления этой микросхе мы. 13 968-К -2001 2202 КП-ПЗ Изм Лист №Документа Подпись Дата . Разраб . . . Прове рил . Лист Листов УКСИВТ , 3А -1 Содержание Стр . 1. Введение………………………………………………………..… 5 2. Микросхемотип…………………………………………………. 6 3. Описание схемы………………………………………………... 14 4. Графическая час ть…………………………………………….. 16 4.1 Схема………………………………………………………. 16 4.2 Общий вид…………………………………………….…. 19 5. Технология изготовления…………………………………….. 22 6. Используемая литература…………………………………… 25 1. Введение Научно-тех нический прогресс не возможен без элекрофикации всех отраслей народного хозяйства . Потребности народного хозяйства в электрической энергии непрерывно растут , что приводит к увеличению ее производства . Современный этап научно-технического прогресса характ еризуется широким внедрением достижений микро электротехники в создание изделий культурно-бытового и хозяйственного назначения. Наука стала непосредственной производительной силой , а научные достижения оказались в существеннейшей степени зависящими от уров ня развития и возможностей современных технологий. Электронные приборы составляют основу важнейших средств современной связи , автоматики , измерительной техники . Они помогают проникнуть в тайны микромира и космоса , измерить электрические потенциалы живой кл етки и атомарные шероховатости обрабатываемой поверхности . Эти приборы преобразуют солнечное излучение в электрическую энергию , питающую спутники . На основе электроники реален переход к полностью автоматизированному производству . Уже сейчас применяются ст а нки с числовым программным управлением и промышленные работы. Качественным скачком в развитии электроники было создание в последнее два десятилетия микросхем с последовательно и быстро увеличивающейся степенью интеграции электронных элементов ИС , БИС , СБИС. Ускоренно развивается производство технически сложной бытовой аппаратуры длительного пользования с улучшенными потребительскими и эстетическими свойствами , полученными благодаря использованию современных компонентов и , в первую очередь , интегральных микр осхем. Применение современной элементной базы позволило не только усовершенствовать старые , но и создать новые методы проектирования , конструирования и производства бытовой радиоаппаратуры , улучшить ее технические и эксплуатационные характеристики . Малые г абариты , масса , потребляемая мощность , высокая надежность , долговечность , многообразное функциональное значение дали возможность создать такие устройства , как персональный микрокасетный проигрыватель , видеомагнитофон и др. 13 Ч -777-2001 2202 К ППЗ Лист 5 Изм. Лист № Докум. Подпись Дата 2. Микросхемотип Основу последовательностных цифровых структур составляют триггеры различных типов , которые могут использоваться самостоятельно или в составе счетчиков , регистров и т . д . Триггеры ТТ Л-микросхем различаются по своим возможностям . Так называемые JK- и D-триггеры ТМ 2 могут работать в счетном режиме , то есть менять свое состояние на противоположное на каждый импульс , приходящий на счетный вход триггера . Триггеры других микросхем могут ра б отать только в режиме хранения информации , записываемой в них в момент подачи тактовых импульсов . На рис . 16 приведены графические обозначения описываемых далее триггеров . Триггер К 155ТВ 1 имеет девять входов : R - установки в 0, S - установки в 1, С - такт овых импульсов , J и К - управляющие (по три входа , объединенных по схеме И ), а также прямой и инверсный (обозначен кружком ) выходы . При подаче лог . 0 на вход R триггер устанавливается в нулевое состояние , при котором на прямом выходе лог . 0, на инверсном - лог . 1. При подаче лог . 0 на вход S триггер устанавливается в единичное состояние . При подаче лог . 0 одновременно на оба входа (R и S) триггера на обоих выходах появляется лог . 1. Состояние триггера после снятия лог . 0 со входов R и S определяется тем , с какого из входов лог . 0 снят последним . Аналогично управляются по входам R и S все описываемые далее триггеры ТТЛ . Сложнее происходит работа триггера при подаче сигналов на входы С , J и К . Наиболее простой режим - при лог . 1 на входах J и К . В этом случае JK-триггер работает , как обычный триггер со счетным входом : по спаду каждого положительного импульса на тактовом входе С состояние триггера меняется на противоположное . Если хотя бы на одном входе J и на одном входе К одновременно лог . 0, состояние тригг е ра при подаче импульсов по тактовому входу С не меняется . Если на всех входах J лог . 1, хотя бы на одном входе К - лог . 0, по спаду положительного импульса на входе С триггер устанавливается в единичное состояние независимо от своего предыдущего . Если хот я бы на одном входе J лог . 0, на всех входах К - 1, по спаду импульса на входе С триггер устанавливается в нулевое состояние. Изменение сигналов на J- и К-входах при лог . 0 на входе С не влияет на состояние JK-триггера . Если же на входе С лог . 1, изменение сигналов на J- и К-входах само по себе не влияет на состояние выходов , но запоминается . Если триггер находится в нулевом состоянии и во время действия положительного тактового импульса на всех входах J была кратковременно лог . 1, по спаду импульса положи т ельной полярности триггер перейдет в единичное состояние независимо от состояния входов J и К на момент спада . Аналогично , если триггер находится в единичном состоянии и во время действия тактового импульса на всех входах К была кратковременно лог . 1, по с паду тактового импульса триггер перейдет в нулевое состояние независимо от состояния входов J и К . 13 Ч -777-2001 2202 КППЗ Лист 6 Изм. Лист № Докум. Подпись Дата Предельная частота работы триггера К 155ТВ 1 10 МГц . Микросхема ТВ 6 (рис . 16) - сдвоенный JK- триггер . Каждый триггер имеет вход для подачи тактовых импульсов С , входы для подачи информации J и К , вход сброса R. Приоритетом пользуется вход R -при подаче на него лог . 0 триггер устанавливается в нулевое состояние , при котором на прямом выходе тригге р а - лог . 0, на инверсном -лог . 1. При лог . 1 на входе R возможна запись информации со входов J и К . Переключение триггера происходит по спаду импульсов положительной полярности на входе С . Если перед спадом сигнала на входе С на входе J лог . 1, на входе К лог . 0, триггер установится в единичное состояние , если на входе J лог . 0, на входе К лог . 1 - в нулевое . Если на входах J и К лог . 0, переключение по спаду импульса на входе С не произойдет ; если на обоих входах лог . 1, триггер по спаду на входе С перекл ю чится в противоположное состояние . Для переключения триггера важна информация на входах J и К непосредственно перед переходом на входе С уровня лог . 1 в лог . 0, поэтому информация на входах J и К может меняться как при лог . 0, так и при лог . 1 на входе С. Предельная частота работы триггеров микросхем К 555ТВ 6 и КР 1533ТВ 6 - 30 МГц . Микросхема ТВ 9 (рис . 16) - также два JK-триггера , имеющих дополнительно ко входам триггеров К 555ТВ 6 еще входы установки в единичное состояние S при подаче лог . 0 на вход S. В остальном логика работы этих триггеров аналогична логике работы триггера ТВ 6. Предельная частота работы триггеров микросхем К 555ТВ 9 и КР 1533ТВ 9 - 30 МГц . Микросхема ТВ 10 (рис . 16) - два JK-триггера , функционирующих аналогично триггерам микросхем ТВ 9, но отличающихся наличием лишь одного установочного входа . Этот вход можно считать входом установки в состояние 1 (вход S), можно считать входом сброса (вход R), в этом случае входы J и К и прямой и инверсный выходы меняются местами . Оба варианта графич е ского обозначения триггера приведены на рис . 16. Микросхема ТВ 11 (рис . 16) - два аналогичных JK-триггера со входами установки и сброса , входы сброса и тактовые входы этих триггеров соответственно объединены . Предельная частота работоспособности триггеров КР 1533ТВ 10 и КР 1533ТВ 11- 30 МГц , триггеров КР 531ТВ 9- КР 531ТВ 11 -80 МГц . Входные токи триггеров серии КР 531 по некоторым входам увеличены - для выводов S всех триггеров - 7 мА , R для КР 531ТВ 11 - 14 мА , С для КР 531ТВ 9 и КР 531ТВ 10- 4 мА , для КР 531ТВ 11-8 мА. Микросхема ТВ 15 - сдвоенный JK-триггер (рис . 16), каждый из которых имеет входы : R и S - для установки в 0 и 1 при подаче лог . 0 на соответствующий вход , С - для подачи тактовых импульсов и J и К - информационные . Особенность микросхемы в том , что входы К - инверсные . В отличие от описанных выше JK-триггеров переключение происходит по спаду импульсов отрицательной полярности на входе С . Счетный режим переключения триггера на каждый импульс осуществляется при подаче на в xoд J лог . 1, на вход К - лог . 0. Если на входы J и К подать лог . 1, по спаду импульса отрицательной полярности произойдет установка триггера в 1, если на эти входы подать лог . 0 - в 0. Объединение входов J и К превращает триггеры микросхемы в D-триггеры , аналогичные триггерам микросхем ТМ 2, о писываемых ниже . При J = 0, К = 1 происходит блокировка переключения , и триггеры микросхемы ТВ 15 на импульсы на входе С не реагируют . Сигналы на входах J и К можно изменять как при лог . 0, так и при лог . 1 на входе С - для переключения триггера играют рол ь сигналы на этих входах лишь непосредственно перед переходом напряжения на входе С с лог . 0 на лог . 1. Предельная частота функционирования триггеров К 155ТВ 15 -25 МГц , КР 1533ТВ 15 - 34 МГц . Микросхема ТМ 2 (рис . 16) содержит два D-триггера . Триггер D-типа и меет вместо входов J и К один вход D. По входам R и S D-триггер работает так же , как и JK-триггер . Если на входе D лог . 0, по спаду импульса отрицательной полярности на входе С триггер устанавливается в нулевое состояние , при лог . 1 на входе D п о спаду импульса отрицательной полярности на входе С триггер устанавливается в единичное состояние . Для получения режима счетного триггера вход D соединяют с инверсным выходом триггера , в этом случае триггер меняет свое состояние на противоположное по спа дам входных импульсов отрицательной полярности . Предельная частота функционирования триггеров К 155ТМ 2 -15 МГц , К 555ТМ 2 - 25 МГц , КР 1533ТМ 2 - 40 МГц , КР 531ТМ 2 -80 МГц . Входные токи микросхемы КР 531ТМ 2 в состоянии лог . 0 составляют 4 мА по входам С и S, 6 м А по входу R, 2 мА по входу D. На основе JK- и D-триггеров ТМ 2 строятся счетчики и делители частоты . Для построения двоичных счетчиков счетные входы JK-триггеров К 155ТВ 1, ТВ 6, ТВ 9 - ТВ 11 соединяют с прямыми выходами предыдущих триггеров , а D-триггеров Т М 2 и JK-триггеров ТВ 15 с инверсными (рис . 17). Отличие в подключении входов связано с тем , что триггеры микросхем ТМ 2 и ТВ 15 срабатывают по спаду импульсов отрицательной полярности , а остальные - по спаду импульсов положительной полярности . Состояние сч етчика (число поступивших на его вход импульсов после установки в 0) однозначно определяется состоянием его триггеров . В частности , для четырехразрядных счетчиков состояние может быть определено по формуле где Yi= 0 или 1 - состояние 1-го триггера (i = 1 - 4, начиная со входа счетчик а ); Р j= 2^i - 1 - вес i-го разряда счетчика . О таких счетчиках говорят , что они работают в весовом коде 1-2-4-8. Счетчик может быть построен так , что его весовой код будет отличаться от рассмотренного . Так , для четырехразрядных счетчиков получили распространение коды 1-2-4-6, 1-2-2-4 и др . Существуют такие структуры счетчиков , состояние которых не может быть выражено приведенной выше формулой . О таких счетчиках говорят , что они работают в невесовом коде . Их состояния определяют по временным диаграммам или таблицам пе р еходов . Сказанное о четырехразрядных счетчиках распространяется на счетчики любой разрядности . Делители частоты (далее просто делители ) отличаются от счетчиков тем , что в них используется только один выход - выход последнего триггера . Таким образом , n-раз рядный двоичный счетчик всегда можно рассматривать как делитель на 2^n. Часто необходимо осуществить деление частоты на некоторое целое число т , не являющееся степенью двойки , в таких случаях обычно используют n-разрядный двоичный счетчик (2^n >m) и вводо м дополнительных логических связей обеспечивают пропуск 2^n - m состояний в процессе счета . Этого можно достигнуть , например , принудительной установкой счетчика в 0 при достижении состояния m или принудительной установкой счетчика в состояние 2^n - m при е го переполнении . Возможны и другие способы . Например , наиболее часто применяемая декада (счетчик с коэффициентом пересчета 10) н a JK-триггерах К 155ТВ 1 строится по схеме рис . 18 (а ). При подаче импульсов с 1-го по 8-й декада работает как обычный двоичный с четчик импульсов . К моменту подачи восьмого импульса на двух входах J четвертого триггера формируется уровень лог . 1, восьмым импульсом этот триггер переключается в единичное состояние и уровень лог . 0 с его инверсного выхода , подаваемый на вход J второго триггера , запрещает его переключение в единичное состояние под действием десятого импульса . Десятый импульс восстанавливает нулевое состояние четвертого триггера , и цикл работы делителя повторяется . Декада на рис . 18 (а ) работает в весовом коде 1-2-4-8. Временная диаграмма е е работы приведена на рис . 18 (б ). Декада на D-триггерах , схема которой приведена на рис . 19 (а ), работает в невесовом коде . Временная диаграмма ее работы приведена на рис . 19 (б ). Построение счетчиков с коэффициентом пересчета 10 (декад ) на триггерах ТВ 6, ТВ 9, ТВ 10 отли чается от построения на триггерах К 155ТВ 1, так как у триггеров указанных микросхем по одному входу J и К . На рис . 20 приведена схема декады , работающей в весовом коде 1-2-4-8. Для увеличения числа входов J до необходимого использован один элемент микросхе мы К 555ЛИ 1. На рис . 21 (а ) приведена схема декады , выходной код которой не является весовым . Работа декады проиллюстрирована на диаграмме рис . 21 (б ). Элемент DD3 не является обязательным , он преобразует код работы декады в весовой код 1-2-4-8 (выходы А , В , С , Е ), что может быть необходимым для подключения к декаде дешифратора или преобразователя кода для семисегментного индикатора. Декада , схема которой приведена на рис . 22 (а ), также работает в невесовом коде . Делитель на пять DD1.2, DD2.1, DD2.2 этой декады выполнен на основе сдвигающего регистра с пе рекрестными связями так же , как и декады на D-триггерах рис . 19 (а ). Коэффициент деления шесть такого регистра уменьшен до пяти за счет подключения входа R триггера DD2.2 к прямому выходу триггера DD2.1. Временная диаграмма работы приведена на рис . 22 (б ). Микросхема ТР 2 (см . рис . 16) - четыре RS-триггера . Два триггера микросхемы имеют по одному входу R и S, два других - по одному входу R и по два входа S. Сброс и установка триггеров в 1 происходят при подаче лог . 0 соответственно на входы R и S. Входы S тех триггеров , гдеих два , собраны как логический элемент ИЛИ для сигналов лог . 0, поэтому для установки триггеров в состояние 1 достаточно подать лог . 0 на один из входов S, состояние второго при этом не играет роли . Если на входы R и S триггера п о дать лог . 0, на выходе триггера - лог . 1. Состояние триггера после снятия сигналов лог . 0 со входов R и S будет определяться тем , с какого из входов лог . 0 будет снят последним . Микросхему ТР 2 можно использовать для подавления дребезга контактов (рис . 23) и в других случаях. 3. Описание схемы Микросхема КР 1533ТВ 6 представляет собой два JK -триггера , срабатывающих по отрицательному фронту тактового сигнала , со входами сброса . Низкий уровень напряжения на входе сброса R устанавливает прямой выход Q с оответствующего триггера в состояние низкого уровня напряжения вне зависимости от логического состояния на других входах. При наличии на входе сброса напряжения высокого уровня для правильной работы триггера требуется предварительная установка информации по входам J и К относительно отрицательного фронта тактового сигнала , а также соответствующая выдержка информации после подачи отрицательного фронта синхросигнала С . При подаче на входы J и К напряжения высокого уровня триггер будет работать в качестве сче тного. Принципиальные отличия серии КР 1533 Маломощные быстродействующие цифровые ИМС серии КР 1533 предназначены для организации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации , временного и электрического согласования сигналов в вычислительных с истемах . Микросхемы по сравнению с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минимальным значением произведения быстродействия на рассеиваемую мощность . Аналог - серия SN 74 ALS фирмы Texas Instruments . Микросхемы изготавливаются по усовершенствова нной эпитоксиально – планарной технологии с диодами Шоттки и окисной изоляцией , одно - и двухуровневой металлизированной разводкой на основе PtSi - TiW 0 AlSi . Конструктивно микросхемы серии КР 1533 выполнены в 14-, 16-, 20-, и 24- выводных стандартных пластмасс овых корпусах типа 201, 14-1, 238.16-1, 2140.20-8, 2142.42-2. Технические характеристики : Стандартные ТТЛ входные и выходные уровни сигналов. Напряжение питания 5,0 В 10%. Задержка на вентиль 4 нс. Мощность потребления на вентиль 1мВт. Тактовая частота до 70 мГц. Выходной ток нагрузки низкого уровня до 24 мА. Выходной ток нагрузки высокого уровня - 15 мА. Гарантированные статические и динамические характеристики при емкости нагрузки 50 пФ в диапазоне температур от – 10 о С до +70 о С и напряжений питания 5 В 10%. Устойчивость к статическому электричеству до 200 В. Микросхема размещена в корпусе 201.14-1 и по основным электрическим параметрам превосходит аналог фирмы TI. Для справки : — емкость входа — не более 5 пФ по выводам 01, 04, 08, 11 и не более 6 пф по выводам 09, 10, 12, 13. — допускается подключение к выходам емкости не более 200 пф , при этом нормы на динамические параметры не регламентируются ; — эксплуатация микрос хем в режиме измерения iq , uqjjj не допускается ; — допустимое значение статического потенциала — 200 В ; — допускается кратковременное воздействие (в течение не более 5 мс ) напряжения питания до 7 В ; — собственные резонансные частоты ми кросхем до 20 кГц отсутствуют ; — максимальное время фронта нарастания и время фронта спада входного импульса — не более 1 мкс , а по входу синхронизации не более 50 не. Параметры временной диаграммы работы : — длительность импульса по выводам 09, 12 (С ) — н е менее 20 не , по выводам 10, 13 ( R ) — не менее 25 не ; — время опережения установки информации по выводам 01, 04, 08, 10, 11. 13 ( J , К , I — не активный фронт ) относительно фронта спада на выводе 09, 12 (С ) — не менее 20 не ; — время удержания информации на выводах 01, 04, 08, 1! ( J , К ) относительно спада на выводе 09, 12 (С ) — не менее 0 не ; — максимальная тактовая частота на выводах 09, 12 (С ) — не более 34 МГц. Дополнительная информация : — технические условия бК 0.348.80бт 35ТУ. 4. Графическая ча сть 4.1 Схема Условное графическое обозначение Таблица назначения выводов Номер вывода Обозначение Назначение 01 J1 Вход управления J триггера Т 1 02 Выход инверсный триггера Т 1 03 Q1 Выход прямой триггера Т 1 04 K1 Вход управляющий К триггера Т 1 05 Q2 Выход прямой триггера Т 2 06 Выход инверсный триггера Т 2 07 0V Общий вывод 13 777-Ч -2001 2202 КП-ГЧ Изм Лист №Документа Подпись Дата . Разраб . . . Проверил . Лист Лист ов УКСИВТ , 3А -1 09 C2 Вход тактовый 10 Вход установки нуля триггера Т 1 11 K2 Вход управляющий К триггера Т 2 12 C1 Вход тактовый 13 Вход установки нуля триггера Т 2 14 U Вывод питания от источника питания 13 777-Ч -2001 2202 КП-ГЧ Изм Лист №Документа Подпись Дата . Разраб . . Проверил . Лист Листов УКСИВТ , 3А -1 4.2 Общий вид Таблица истинности Входы Выход C J K Q 0 X X X 0 1 1 1/0 0 1 0 1 1 1/0 1 1 СЧЕТНЫЙ РЕЖИМ 1 1/0 0 0 Q 0 1 1/0 1 0 1 0 1 1 X X Q 0 Динамические параметры Обозна чение Наименование параметра Норма Единица измере ния Режим измерения не менее не более tp L H Время задержки распространения сигнала при выключении 20 НС и сс =5,ОЕ +10% r L =o,5 к om t=2nc tpHL Время задержки распространения сигнала при включении 15 НС Urr =5, OB +-10% R L =0.5кОм С L =50пФ t =2 Hc 13 777-Ч -2001 2202 КП-ГЧ Изм Лист №Документа Подпись Дата . Разраб . . . Проверил . Лист Листов УКСИВТ , 3А -1 Статические п араметры Обозна чение Наименование параметра Норма Единица Режим измерения не менее не более измерения U oh Выходное напряжение высокого уровня U CC - 2 В U cc =4,5В U ih ~2, OB U IL =0,8В 1лн =-0,4мА I OL =-0.4 MA u ol Выходное напряжение низкого у ровня 0,4 0,5 В В U cc =4,58 U IH =2, OB U IL =0,8 В I OL =4MA I OL =8 мА I IH Входной ток высокого уровня - по выводам 01,04, 03. 11 - по выводам 09, 10, 12, 13 20 40 мкА U CC =5,5 B U IH =2,7 B i il Входной ток низкого уоовня - по выводам 01, 04, С 3,11 - по выводам 09, 10, 12, 13 |-0,2| |-0,4| мА U CC =5,5 B UT L =0.4 B I o Выходной ток I -30 I |-112| мА U CC =5,5 B U 0 =2.25 B u cdi Прямое падение напряжения на антизвонном диоде 1-1,51 В U г р =4,53, I L =-18мА U cc Ток потребления 4,5 мА U CC =5,5 B 13 777-Ч -2001 2202 КП-ГЧ Изм Лист №Документа Подпись Дата . Разраб . . Проверил . Лист Листов УКСИВТ , 3А -1 Функциональный ряд ИС ТТЛ КР 1533ТВ * Назначение , функциональные возможности Тип 133, Н 133, КМ 133 134, К 134, КР 134 155, К 155, КМ 155 199 530, М 530, Н 530, КМ 530 К 531, КМ 531, КР 531 533, Н 533 555, К 555, КМ 555 К 599 КР 1531 1533, КР 1533 JК - триггер с логикой ЗИ на входе ТВ 1 + + + Два JK-триггера со сбросом ТВ 6 + + Два JK-триггера с установкой «О» и « 1» ТВ 9 + + + + Два JK-триггера с установкой « 1» ТВ 10 + + Два JK-триггера с установкой «1» и общей установкой нуля и синхронизацией ТВ 11 + + Два JK-триггера ТВ 14 + ТВ 15 + + + 13 777-Ч -2001 2202 КП-ПЗ Изм Лист №Документа Подпись Дата . Разраб . . . Проверил . Лист Листов УКСИВТ , 3А -1 5. Технология изготов ления Особенностью полупроводниковых ИМС является то , что все элементы изготавливают одновременно в едином технологическом цикле , отдельные операции которого (окис ление и травление , диффузия , эпитаксия ) выполняются в одной и той же среде. При создании ак тивных и пассивных элементов современных ИМС используют следующие основные технологические операции : окисление , травление , литографию , диффузию , ионное легирование , эпитаксию , напыление и нанесение пленок. Окисление . Кремниевую пластину нагревают до 800 — 1200 °С и подвергают воздействию кислорода или насыщенных водяных па ров . В такой окислительной среде атомы на поверхности пластины взаимодействуют с кислородом и образуют тонкий диэлектрический слой . На начальных этапах изготовления ИМС слой толщи ной 1 — 3 мкм используют как маску для проведения избирательной диффузии на участках пластины , не покрытых этим слоем . При помощи это го слоя предотвращается диффузия примесей в полупроводник , находящийся под слоем , так как коэффициент диффузии примесей в двуоки с и кремния значительно меньше , чем в полупроводнике . Диэлектриче скую пленку используют также в качестве диэлектрика для затвора МДП-транзисторов . На последнем этапе изготовления ИМС диэлектрический слой применяют для пассивации кристалла : этот слой , пок р ывая всю поверхность кристалла , предохраняет ИМС от воздействия окружающей среды. Более современным является анодное окисление кремния , позво ляющее формировать диэлектрическую пленку на поверхности крем ния почти любой толщины путем выбора режима анодного окисления . В отличие от термического окисления это низкотемпературный про цесс , который избавляет от нескольких высокотемпературных обрабо ток , связанных с выполнением термического окисления при формирований масок. Травление проводится в плавиковой кислот е , в которой этот слой рас творяется . На тех участках пластины , на которых необходимо прово дить диффузию , в слое при . помощи плавиковой кислоты вытравливают окна требуемых размеров. Литография . Окна на поверхности пластины , используемые для проведения ди ффузии , наносятся фотолитографическим методом . При этом поверх слоя ; на пластину наносят фоторезистор , представляющий собой тонкую пленку светочувствительного органического материала . Затем накладывается фотошаблон в виде стеклянной контактной ма ски , на к оторой имеется рисунок , состоящий из прозрачных и непроз рачных областей . Через маску фоторезистор подвергается облучению ультрафиолетовыми лучами , в результате чего при действии проявите ля на облученных участках фоторезистор не проявляется . Таким образо м , на поверхности пластины остается рисунок определенной конфигура ции и соответствующих размеров . При травлении пластины в плавиковой кислоте для удаления слоя фоторезистор не растворяется , по этому окна вскрываются только на участках , не покрытых экспон и рованным фоторезистором . Через эти окна и проводится , диф фузия . Фотолитография позволяет создавать рисунки с размерами элементов не менее - 2 мкм . Этим размером ограничивается плотность компоновки элементов на пластинах . Более высокой разрешающей с пособностью обладает электронно-лучевая литография. При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно создавать полоски в 20 раз более узкие , чем при фотолитографии , тем самым уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм .' Диффузия примесе й применяется для легирования пластины с целью формирования р - и n -слоев , образующих эмиттер , базу , кол лектор биполярных транзисторов , сток , исток , канал униполярных транзисторов , резистивные слои , а также изолирующие р- n -переходы . Для диффузии примесей п ластины нагреваются до 800 — 1250 °С и над ее поверхностью пропускается газ , содержащий примесь . Примесь диффундирует в глубь пластины через окна , вскрытые в слое ЗЮд . Глубину залегания диффузионного слоя и его сопротивление регули руют путем изменения режим а диффузии (температуры и продолжи тельности диффузии ). Ионное легирование . Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник применяют 'ионное легирование . Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до 80 — 300 кэВ , а затем их напра вляют на подло жку , защищая при помощи маски те участки , которые не должны подвергаться легированию . Введение примесей в широком диапазоне концентраций и возможность осуществления более точного контроля дозировок примесей позволяют изменять параметры элемен тов в требуе м ых пределах . Поэтому вместо диффузии все больше при меняют ионное легирование , хотя ее внедрение связано с переоснаще нием производства ИМС дорогостоящим оборудованием . В производстве полупроводниковых ИС и многих дискретных приборов необходимо на подложк е создавать однородно легированные по толщине слои одноименного ей полу проводника , а в некоторых случаях – и полупроводника другого вида , с иной шириной запрещенной зоны . В частности , это необходимо для расширения функциональных возможностей схем , улучш е ния их параметров путем , например , формирования скрытых под такими слоями участков высокой проводимости (скрытых слоев ). Термин «эпитаксия» , впервые предложенный Руайе , отражает в настоящее время процесс ориентированного нарастания , в результате которого о бразующаяся новая фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку имеющейся фазы – подложки с образованием некоторого переходного слоя , способствующего когерентному срастанию двух решеток по плоскости подложки со сходной плотностью упаковки атомов . П о окончании формирования переходного слоя эпитаксиальный процесс продолжается с образованием слоя требуемой толщины . Эпитаксиальный слой (ЭС ) – это монокристаллический слой новой фазы , выросший в результате эпитаксии на поверхности монокристаллической подл ожки строго определенным образом , который имеет прочную кристаллохимическую связь с подложкой и не может быть отделен от нее без разрушения слоя или поверхности подложки . ЭС практически продолжает кристаллическую решетку подложки и ориентирован строго оп р еделенным образом относительно кристаллографической плоскости , выходящей на ее поверхность . Основное физическое явление , которое имеет место в процессе эпитаксии ,- это кристаллизация вещества . Под кристаллизацией вещества понимают появление зародышей тве рдой фазы и их рост . В зависимости от того , из каких составов получают ЭС , различают следующие механизмы кристаллизации : Механизм пар – кристалл (П - К ), когда образование твердой фазы происходит из парообразного или газообразного состояния вещества ; Механизм пар – жидкость – кристалл (П – Ж - К ), когда образование твердой фазы из парообразного состояния проходит стадию жидкого состояния . Примером может служить кристаллизация Ge на подложке Si , если последнюю нагреть до температуры , превышающей темпера туру плавления Ge ; Механизм твердое тело – кристалл (Т - К ), когда выращивание эпитаксиального слоя производится из электролитов или расплавов. Эпитаксию применяют для выращивания на поверхности кремние вой пластины полупроводникового слоя с п- или р-пров одимостью . Такой слой толщиной несколько микрон образуется при пропускании над нагретой до 1250 °С подложкой потока газа , содержащего несколь ко соединений , которые , вступая в химическую реакцию , разлагаются на части и приводят к образованию эпитаксиально г о слоя с n - или р-проводимостью на поверхности пластины. Напыление и нанесение пленок . Элементы полупроводни ковых ИМС соединяются между собой с помощью проводящего рисунка , по лученного путем напыления металлической пленки . Для этого после вытравле ния с помощью фотолитографии окон под контакты в вакуу ме напыляется алюминиевая пленка на всю поверхность пластины . Пу тем напыления формируют также металлизированные площадки , к ко торым путем термокомпрессионной сварки привариваются выводы микросхемы и тонкие проволочки , соединяющие бескорпусные транзи сторы в гибридных ИМС . В последнее время вместо проволочных перемычек применяют балочные выводы , представляющие собой зо лотые удлиненные выступы . Во время сборки гибридной ИМС ба лочные выводы совмещают с контактными площадками на подложке и припаивают к ним , нагревая до температуры , при которой образует ся эвтектический спай . Наконец путем напыления и нанесения пленок изготавливают пассивные элементы в совмещенных и гибридных ИМС в виде толстых и тонких п ленок. Используемая литература 1. Справочник « Логические ИС . КР 1533, КР 1554. Часть 2.» . - БИНОМ , 1993г . 2. В.Л . Шило . Популярные цифровые микросхемы . - «Металлургия» , 1988г. 3. «Интегральные микросхемы и основы их проектирования». Н.М . Н иколаев , Н.А . Филинюк . 4. «Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы» . Справочник. 5. «Логические интегральные схемы КР 1533, КР 1554» . Справочник. 6. «Конструирование и технология микросхем». 7. «Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах» . Справочник . Г.И . Пухальский , Т.Я . Новосельцева .
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Кличко так ударил, что у Украины Крым отлетел.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, курсовая по радиоэлектронике "Интегральная микросхема КР1533ТВ6", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru