Реферат: Лазерные технологии - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Лазерные технологии

Банк рефератов / Физика

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 266 kb, скачать бесплатно
Обойти Антиплагиат
Повысьте уникальность файла до 80-100% здесь.
Промокод referatbank - cкидка 20%!

Узнайте стоимость написания уникальной работы

4





ВВЕДЕНИЕ

Лазерное излучение используется во многих областях человеческой деятельности: машиност­роении, сельском хозяйстве, медицине, связи, для обработки и хранения информации, измерения расстояний, времени и скорости, в научных иссле­дованиях. Разные области применения налагают специфические для этой области требования к лазе­рам: для сварки, резки и сверления металлов необ­ходимы мощные лазеры непрерывного действия, а для исследования быстропротекающих процессов -лазеры, излучающие очень короткие, но энергичные импульсы, и т.д. В частности, для связи и обработки информации желательно иметь миниатюрные, но довольно мощные импульсные или непрерывные лазеры. Для этого используют твердотельные лазе­ры с высокоэффективными (то есть с большим КПД) активными элементами.

Требование высокого КПД предъявляется к ла­зерам всех типов, но в случае твердотельных лазеров с оптической накачкой оно особенно актуально, так как при ламповой накачке из-за плохого согласова­ния спектров испускания лампы и поглощения ак­тивного элемента КПД может составлять всего 0,01%, а максимальное значение 12%. Правда, КПД полупроводниковых лазеров достигает примерно 80%, но из-за большой расходимости лазерного пучка применение их в некоторых областях сильно ограничено. Газовые лазеры имеют слишком боль­шие габариты, и как миниатюрные использоваться тоже не могут. В общем там, где необходимы мини­атюрные лазеры с достаточно большими мощностя­ми (0,1 — 10 Вт), с малой расходимостью лазерного пучка, нужно применять твердотельные лазеры.

Наиболее распространенным классическим ла­зером, излучающим в ближней инфракрасной обла­сти спектра (1,06 мкм), является лазер на иттрий-алюминиевом гранате с неодимом. Рабочими части­цами в нем являются ионы неодима Nd3+, и лазер ра­ботает по так называемой четырехуровневой схеме.

Кристаллы иттрий-алюминиевого граната Y3Al5O12 : Nd3+ обладают исключительным набором свойств, делающим их весьма подходящим материа­лом для твердотельных лазеров. Они прозрачны в очень широкой спектральной области (0,2—5 мкм). механически прочны, обладают высокой лучевой устойчивостью, а по теплопроводности уступают незначительно только корунду А12О3, теплопровод­ность которого приблизительно такая же, как у меди. Кристаллическая структура иттрий-алюминиевого граната (ИАГ) допускает введение значительных концентраций ионов Nd3+. В настоящее время тех­нология выращивания монокристаллов ИАГ хоро­шо разработана. Лазер на ИАГ имеет низкий порог генерации. Таким образом, казалось, что этот мате­риал идеально подходит для создания высокоэф­фективных лазеров. Однако выяснилось, что из-за так называемого концентрационного тушения лю­минесценции он не может быть использован для миниатюрных высокоэффективных лазеров. Чтобы понять, в чем дело, придется рассмотреть те процес­сы и явления, которые происходят в кристаллах, со­держащих примеси ионов редкоземельных элемен­тов, к которым принадлежит ИАГ: Nd3+.

СВОЙСТВА ИОНА НЕОДИМА В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ.

Основной частью лазера, как известно, является активный элемент. В твердотельном лазере это кри­сталлический или стеклянный стержень. По суще­ству кристалл или стекло являются вместилищем (средой), в котором размещены собственно актив­ные частицы {ионы или ионные комплексы). Имен­но они, находясь в оптическом резонаторе, преоб­разуют энергию излучения источников накачки в лазерное когерентное излучение.

Наиболее употребительными активными части­цами на протяжении 35 лет являются ионы редкозе­мельного элемента неодима Nd3+ (Z = 60). Элек­тронная конфигурация этого иона такова, что его энергетический спектр, то есть совокупность энер­гий, которыми может обладать этот ион, позволяет осуществлять наиболее энергетически выгодную четырехуровневую схему работы лазера. Переход E1Е4 (рис. I) возникает вследствие внешнего воз­буждения (накачка), затем из-за взаимодействия с решеткой происходит быстрый безызлучательный переход E4— Е3, а затем лазерный переход E3E2 , и снова быстрый переход Е2 — Е1. Ион теперь снова готов поглотить следующий квант от источника на-









Рис. 1. Четырехуровневая схема работы лазера.



качки. Такой цикл работы иона Nd3+ возможен только в том случае, когда он находится в твердом теле, именно воздействие кристалла разрешает упо­мянутые переходы.


Рис. 2. Схема нижних уровней энергии свободно­го иона неодима Nd3'.


Схема нескольких энергетических уровней иона Nd3+ эскизно представлена на рис. 2. Каждый из этих уровней представляет полную энергию иона, то есть энергию кулоновского взаимодействия 57 элек­тронов с ядром (Z— 60), их кинетическую энергию, кулоновское и магнитное взаимодействие этих эле­ктронов между собой. Оказывается, что энергетиче­ские уровни свободного иона неодима вырождены. Это означает, что в случае, когда ион неодима нахо­дится в вакууме, энергией, соответствующей данно­му энергетическому уровню, будут обладать не­сколько состояний, отличающихся друг от друга ориентацией в пространстве момента количества движения. Когда же ион находится в кристалле, то он оказывается в электрическом неоднородном по­ле, созданном окружающими его ближними и даль­ними ионами или ионными группами, образующи­ми кристалл (или стекло). Кажется понятным, что в этом случае энергия иона будет зависеть от того, как ориентировано электронное облако иона неодима относительно выделенных направлений в кристалле. Говорят, что в таком случае вырождение снимается и уровень расщепляется на штарковские подуров­ни. Явление расщепления уровней под действием внешнего по отношению к иону электрического по­ля носит название эффекта Штарка (ттарк-эф-фект). Число штарковских компонентов определя­ется симметрией неоднородного кристаллического поля, которая соответствует симметрии окружения данного иона, и теми состояниями, которые имеют место в свободном ионе. Величина же расщепления определяется "силой" кристаллического поля, то есть напряженностью этого поля в том месте, где находится примесный ион.

Так как при любой температуре частицы, обра­зующие кристалл, находятся в колебательном дви­жении, то симметрия окружения и напряженность кристаллического поля — динамические величины. Эти обстоятельства определяют вероятности пере­ходов между уровнями и уширение спектральных линий. Для ионов редкоземельных элементов, и ио­на Nd3+ в том числе, валентные электроны которых не участвуют в ковалентной связи с соседними час­тицами, уширения спектральных линий ничтожны. Вероятности переходов между некоторыми уровня­ми становятся значительными, так что время жизни возбужденного уровня 4F3/2, например, может рав­няться нескольким микросекундам.

Рассмотрим энергетический спектр иона Nd3+ в кристалле ИАГ. В этом кристалле часть ионов Y3+ замещается ионами Nd3+. Размеры этих ионов не­сколько отличаются друг от друга, и это в известной мере ограничивает концентрацию примеси в этом кристалле. Ион Nd3+ в этом кристалле окружен деся­тью ближайшими ионами O2+. Окружение создает электрическое поле, которое сильно расщепляет энергетические уровни, причем поле имеет низкую симметрию. На рис. 3 приведена схема энергетичес­ких уровней иона Nd3+, когда он находится в ИАГ. Символы, стоящие слева, показывают, из какого мультиплета свободного иона возникла данная группа уровней, цифры справа — величину энергии в спектроскопических единицах — обратных сантиме­трах (см-1), вертикальные стрелки указывают на возможные переходы, а числа на них — длина волны, которая испускается или поглощается при этом пе­реходе.

Возбужденный ион имеет определенную вероят­ность испустить квант света (фотон) или передать часть или всю энергию возбуждения кристаллу, уве­личив энергию колебаний его решетки. Возбужден­ный ион (атом) представляет собой колебательную систему со столькими степенями свободы, сколько есть возможных переходов в схеме энергетических уровней. Это означает, что возбужденный ион со­здает вокруг себя квазистационарное электричес­кое переменное поле с частотами vmn=(Em-En)/h (v — частота, h — так называемая постоянная План-



Рис. 3. Обобщенная схема уровней энергии иона Nd3+ и переходов между ними в ИАГ.

ка). Это поле поляризует кристаллическую решетку, и если в спектре колебаний ее имеются частоты, равные vmn то вследствие резонансного взаимодей­ствия энергия от примесного иона переходит к ре­шетке, то есть происходит безызлучательный пере­ход в примесном ионе. Вероятность этого процесса очень велика, так что потеря энергии возбужденно­го иона происходит за 10-12— 10-10 с. Так, ион Na3+, будучи возбужден на уровни, находящиеся выше уровня 4F3/2, за 10-11 с каскадно отдает свою энергию решетке и оказывается на мета стабильном уровне 4F3/2, Переходы на более низкие уровни соответст­вуют частотам, значительно превосходящим часто­ты колебаний решетки кристалла, и поэтому из-за отсутствия резонанса энергия решетке не передает­ся, а со средним временем порядка сотен микросе­кунд испускается в виде кванта света. Если Nd3+ оказывается на уровнях мультиплетов 4I15/2, 4I13/2, 4 I11/2 и 4I9/2, то энергия его возбуждения снова разме­нивается на фононы — так называют кванты колеба­ний решетки. Эти процессы создают возможность создать лазер, работающий по четырехуровневой схеме: возбуждение от внешнего источника света с уровней основного мультиплета 4I9/2 на уровни



4F5 /2, 2H9/2, 4F7/2,,4S3/2 и на лежащие выше. Как показано на рис. 3, энергетические расстояния между всеми этими уровнями невелики, поэтому возбуж­дение передается решетке и ион Nd3+ оказывается возбужденным с энергией, соответствующей уров­ням 4F3/2. С этого уровня ион переходит на уровни 4I15/2, 4I13/2, 4I11/2, 4I9/2, испуская при этом кванты света с длинами волн в диапазонах !,6; 1,3; 1,06; 0,92 мкм соответственно (наиболее вероятен пере­ход 4F3/2- 4I11/2). Дальнейшая релаксация возбужде­ния идет безызлучательно на нижние штарковские компоненты мультиплета 4I9/2. Вероятности перехо­дов на разные штарковские компоненты мультиплетов 4Ij различны, их обычно характеризуют величи­ной, называемой сечением перехода. Эти сечения зависят от вида начального и конечного электрон­ных состояний иона, которые определяются как природой иона, так и статической и динамической составляющими кристаллического поля. Наиболь­шее сечение, как уже упоминалось, приходится на переход 4F3/2- 4I11/2, в разных кристаллах оно разное и находится в интервале от 10-20 до 10-18 см2 (на­пример, этот переход в YVO3; Nd3+ имеет сечение 1,3 ? 10-18 см2, в ИАГ: Nd3+ 7 ? 10-19 см2, а в CaF2 2,3 * 10-20 см2). На переходе 4F3/24I13/2 используемом для получения генерации в спектральной области 1,3 мкм, сечение перехода находится в интервале 10-20-10-21см2.

Каченное с нэта, а кто не заплатил тот хуисос

Большие сечения переходов, быстрая релакса­ция по близлежащим уровням приводят к тому, что в кристаллах ИАГ : Nd3+ при небольших концентра­циях неодима (меньше 1020 см-3) вероятность излучательного перехода с уровня 4F3/2 практически рав­на 1, а это обусловливает низкие пороги генерации лазерного излучения.

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ

С целью миниатюризации активного элемента необходимо иметь кристаллы с концентрациями активных частиц -1021-1022см-3. В случае ИАГ : Nd повышение концентрации неодима выше 1019 см-3 приводит к резкому падению вероятностей излуча-тельных переходов 4F3/2AIj, а это означает, что рез­ко повышается порог генерации и, главное, сильно падает КПД. На первый взгляд это явление, называ­емое концентрационным тушением люминесцен­ции (КТЛ), непонятно, так как электронные состоя­ния при таких концентрациях неодима практически не зависят от его концентрации в кристалле. Как показали исследования, причиной КТЛ оказалось взаимодействие ионов Nd3+ между собой.

Как уже говорилось, возбужденный ион можно рассматривать как систему осцилляторов, имею­щих частоты vmn = т- En)/h. В случае ионов Nd3+ в ИАГ кристаллическое поле расщепляет мультиплеты AIj настолько сильно, что переходам 4F3/2 4Il5/2 и 4I9/2- 4I15/2,, а также 4F3/2- 4I13-2 и 4I9/2- 4I15-2 соответствуют одинаковые частоты, то есть такие осцилля­торы находятся в резонансе. Это означает, что если вблизи возбужденного иона Nd3+ находится не­возбужденный Nd3+, то из-за электромагнитного

взаимодействия часть энергии возбуждения будет передана соседу, так что оба иона окажутся воз­бужденными на уровни мультиплетов 4Ij, с которых энергия возбуждения резонансно передается коле­баниям решетки, и, таким образом, возбуждение гибнет для испускания.

Вероятность осуществления описанного про­цесса сильно зависит от расстояния между воз­бужденным ионом (донором) и невозбужденным (акцептором), она пропорциональна 1/г6 (г- рас­стояние между взаимодействующими ионами). По­этому при малых концентрациях примесных ионов такой процесс маловероятен, он оказывается суще­ственным для ИАГ и других кристаллов с сильным кристаллическим полем, когда концентрации ак­тивных ионов достигают некоторых критических величин. Для ИАГ : Nd3+ эта концентрация состав­ляет примерно 5 ? 1019 см-3. Описанный процесс на­зывают кросс-релаксацией.

Кроме этого процесса имеет место и другой, то­же в конце концов приводящий к потере возбужде­ния — так называемая миграция возбуждения. Воз­буждение от одного иона передается на другой, близлежащий, вследствие резонансного взаимо­действия. Для ионов Nd3+ это происходит на часто­тах переходов 4F3/2 4I9/2 и 4I9/2 - 4F3/2. Возбуждение как бы перепрыгивает с одного иона на другой, ми­грируя по кристаллу до тех пор, пока либо наступит рассмотренный выше процесс, либо возбуждение будет передано другой неактивной примеси и, та­ким образом, будет потеряно для излучения.

В высокочистых кристаллах основной причиной КТЛ является кросс-релаксация, именно она и ста­вит предел повышения концентраций активной примеси в кристаллах ИАГ и других с сильным кри­сталлическим полем. Внимательное рассмотрение штарковских расщеплений мультиплетов 4Ij пока за­ло, что уменьшение этих расщеплений может выве­сти из резонанса переходы 4F3/2 4I15/2 и 4I9/24Il5/2. Отсюда следовало, что необходимо найти такие кристаллы, у которых напряженность кристалличе­ского электрического поля в тех узлах решетки, где находятся ионы неодима, была бы невелика и, кро­ме того, максимальная частота колебаний решетки тоже была бы такой, чтобы энергии фононов с этой частотой было бы недостаточно для того, чтобы вводить в резонанс чисто электронные переходы.

Заметим, что в свободных ионах (атомах) опти­ческие переходы, то есть переходы с поглощением или испусканием фотона, между уровнями одной конфигурации, в данном случае 4?3 не происходят (они запрещены по четности): в спектрах поглоще­ния и испускания частот, соответствующих этим переходам, нет. Если же ион (атом) находится в кристалле, то кристаллическое поле, в частности его динамическая низкосимметричная компонен­та, так изменяет состояния иона, что указанные переходы оказываются весьма вероятными.

Из данных этой таблицы следует, что в кристал­лах (ИАГ, YA103), в которых ионы неодима окруже­ны непосредственно ионами кислорода О2-, штарковское расщепление мультиплетов 4Ij; существенно больше расщеплений в тех кристаллах, в которых ближайшее окружение ионов неодима образовано ионами кислорода, входящими в состав фосфат­ных, боратных, вольфраматных и других групп, связь в которых носит ковалентный характер. У многих из этих кристаллов узлы кристаллической решетки, в которых может находиться активный ион неодима, низкосимметричны, а максимальная энергия фонежов невелика. Именно такие кристал­лы являются наиболее подходящими лазерными ак­тивными средами с высокой концентрацией ионов Nd3+. К таким кристаллам относятся сложные фо­сфаты и бораты. Получить кристаллы этих соеди­нений оказалось возможно только из раствора в расплаве. Скорость роста кристаллов в этой техно­логии не превышает 1—2 мм в сутки, причем опти­ческое качество кристаллов низкое. Еще одним из таких кристаллов является алюмоборат иттрия YAi3(BO3)4 : Nd3+. Его спектрально-люминесцент­ные свойства уникальны. Лазеры, построенные на этих кристаллах и кристаллах с полным замещени­ем ионов иттрия ионами неодима, то есть на крис­таллах NdAl3{BO3)4, имеют низкие пороги генера­ции и высокий КПД. Однако из-за очень сложной технологии получения этих кристаллов лазеры с ними не получили распространения.

СКАНДОБОРАТЫ НЕОДИМА - НОВЫЙ КЛАСС ЛАЗЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Проанализировав физико-химические свойства сложных боратов, исследователи [ I ] нашли, что со­единение YSc3(BO3)4 пригодно для получения его монокристаллов непосредственно из расплава на воздухе по методу Чохральского со скоростями рос­та 3—4 мм в час. Действительно, прогноз оправдался: кристаллы Y1-yNdxSc3(BO3)4 были получены [1, 2] и подробно исследованы [2, 3]. Исследования показа-ли, что спектрально-люминесцентные и генераци­онные свойства кристаллов этого семейства не усту­пают ни алюмоборатам, ни фосфатам. Обнаружив это, группа ученых Кубанского государственного университета (В.А. Лебедев, Ю.М. Чуев и др.) изу­чила весь класс редкоземельных скандоборатов, то есть стабильных соединений типа

Rj1-xR"Scl_y Cry(BO3)4;

здесь Rj= Y, La, Се. Nd; R" = Gd, Eu, Lu. Оказалось, что эти соединения образуют кристаллы двух раз­ных типов кристаллической структуры, причем тип структуры, а следовательно, и свойства зависят от размеров ионов редкоземельных элементов, входя­щих в этот кристалл. Если этот размер меньше не­которого критического, то соединение кристалли­зуется в так называемой тригональной сингонии. В этом случае ион Rj окружен шестью ионами кис­лорода, принадлежащими группе ВО3 с ковалент-ной связью, так что кристаллическое электрическое поле имеет низкую симметрию и сравнительно сла­бо. Эти обстоятельства определяют высокие эффек­тивности лазерных переходов, с одной стороны, и расстройку практически всех кросс-релаксацион­ных переходов — с другой. Последнее позволяет вводить большие концентрации активных лазер­ных ионов Nd3+ вплоть до х=1, почти не увеличи­вая вероятностей безызлучательных переходов, а значит, не уменьшая эффективность лазерного из­лучения. Это и означает, что такой кристалл можно использовать в качестве высокоэффективной высо­коконцентрированной среды для миниатюрных ла­зеров средней мощности. Кроме того, выяснилось, что кристаллы этой группы обладают высокой не­линейной диэлектрической восприимчивостью, так что при определенной ориентации кристалла отно­сительно распространения лазерного излучения можно преобразовать инфракрасное излучение невдимового лазера в видимое. То есть на таких крис­таллах создается миниатюрный лазер, излучающий

Рис. 4. Зависимость выходной энергии Er от энергии накачки Ен в режиме свободной генера­ции лантан-скандиевого бората с хромом и нео­димом (1), ИСАГ : Cr, Nd (2) и ИАГ : Nd (3).

в зеленой области спектра. Эксперименты подтвер­дили это.

Один из важных недостатков всех неодимовых лазерных материалов — малый средний коэффици­ент поглощения света в той части видимой области спектра, где излучают обычные лампы накачки. Этот недостаток компенсируется введением в крис­талл дополнительных примесей, сильно поглощаю­щих свет в этой области спектра и передающих энергию рабочим ионам, то есть ионам неодима. Скандобораты редких земель допускают замещение ионов скандия ионами хрома С г3+, который значи­тельно увеличивает эффективность лазера в целом. На рис. 4 приведена зависимость энергии излучения лазера на скандоборате неодима, сенсибилизи­рованного хромом от энергии ламповой накачки в сравнении с такими же параметрами наиболее эффективных лазеров на гранатах. Недавно в ли­тературе появились сведения о том, что на скан-доборатовом неодимовом лазере при накачке по­лупроводниковым светодиодом получен общий коэффициент полезного действия в 67%. Таким об­разом, в настоящее время наилучшим материалом для твердотельных миниатюрных лазеров средней мощности, по-видимому, является скандоборат нео­дима, сенсибилизированный ионами хрома для ламповой накачки или без сенсибилизатора для диодной накачки.

















ЛИТЕРАТУРА

  1. Ефименко В.В., Ивонина Н.П., Кутовоп С.А. и др.
    Синтез и исследование монокристаллов редкоземель­
    ных скандоборатов со структурой хантита // Тез. докл.
    VII Всесоюз. конф. по росту кристаллов. М., 1988. Т. 3.
    С. 250-251.

  2. Кутовой С.А., Лаптев В.В., Лебедев В.А. и др. Спект­
    рально-люминесцентные и генерационные свойства
    новых лазерных кристаллов — скандоборатов лантана
    с неодимом и хромом. // Журн. прикл. спектроско­
    пии. 1990. Т. 53. № 3. С. 370-374.

  3. Лебедев В.А., Писаренко В.Ф., Чуев Ю.М. Комплекс­
    ные исследования редкоземельных скандиевых бора­
    тов с хромом и неодимом // Изв. РАН. Сер. физ. 1995.
    Т. 59. №6. С. 21-29.












* * *

Виктор Федорович Писаренко, доктор физико-математических наук, профессор кафедры экспе­риментальной физики Кубанского государственно­го университета, член-корреспондент Международ­ной академии наук высшей школы. Область научных интересов: спектрально-люминесцентные свойст­ва кристаллов и стекол с примесями ионов пере­ходных элементов. Автор более 200 работ и 20 изо­бретений.











1Авиация и космонавтика
2Архитектура и строительство
3Астрономия
 
4Безопасность жизнедеятельности
5Биология
 
6Военная кафедра, гражданская оборона
 
7География, экономическая география
8Геология и геодезия
9Государственное регулирование и налоги
 
10Естествознание
 
11Журналистика
 
12Законодательство и право
13Адвокатура
14Административное право
15Арбитражное процессуальное право
16Банковское право
17Государство и право
18Гражданское право и процесс
19Жилищное право
20Законодательство зарубежных стран
21Земельное право
22Конституционное право
23Конституционное право зарубежных стран
24Международное право
25Муниципальное право
26Налоговое право
27Римское право
28Семейное право
29Таможенное право
30Трудовое право
31Уголовное право и процесс
32Финансовое право
33Хозяйственное право
34Экологическое право
35Юриспруденция
36Иностранные языки
37Информатика, информационные технологии
38Базы данных
39Компьютерные сети
40Программирование
41Искусство и культура
42Краеведение
43Культурология
44Музыка
45История
46Биографии
47Историческая личность
 
48Литература
 
49Маркетинг и реклама
50Математика
51Медицина и здоровье
52Менеджмент
53Антикризисное управление
54Делопроизводство и документооборот
55Логистика
 
56Педагогика
57Политология
58Правоохранительные органы
59Криминалистика и криминология
60Прочее
61Психология
62Юридическая психология
 
63Радиоэлектроника
64Религия
 
65Сельское хозяйство и землепользование
66Социология
67Страхование
 
68Технологии
69Материаловедение
70Машиностроение
71Металлургия
72Транспорт
73Туризм
 
74Физика
75Физкультура и спорт
76Философия
 
77Химия
 
78Экология, охрана природы
79Экономика и финансы
80Анализ хозяйственной деятельности
81Банковское дело и кредитование
82Биржевое дело
83Бухгалтерский учет и аудит
84История экономических учений
85Международные отношения
86Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
87Финансы
88Ценные бумаги и фондовый рынок
89Экономика предприятия
90Экономико-математическое моделирование
91Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Если днем выкрутить лампочку в холодильнике, то можно незаметно жрать ночью.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по физике "Лазерные технологии", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2017
Рейтинг@Mail.ru