Реферат: Применение гетеропереходов в оптоэлектронике - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Применение гетеропереходов в оптоэлектронике

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Архив Zip, 74 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Нижегородский Государствен ный Технический Университет Реферат по к урсу "Электронные твердотельные приборы " тема : "Применение гетеропереходов в оптоэл ектронике " Выполнили студен ты группы 94-ФОС Куликов А.В. Макаров Д.М. Проверил преподаватель : Штернов A.A. 1996 г. Содержан ие. Введение ..................................................... Гетеропереход . Физические основы........... Применение гетеропереходов. Излучатели. Инжекционный лазер................... Светоизлучательный диод............ Исскуственные квантовые ящики................ Приемники. Фотодиод...................................... Фототранзистор............................ Заключение................................................. Введение. Оптоэлектроника - это раздел электроники, связанн ый главным образом с изучением эффектов в заимодействия между электромагнитными волнами оп тического диапазона и электронами вещества (п реимущественно твердых тел ) и охватывающий пр облемы создания оптоэлектронных приборов (в о сновном методами ми к роэлектронной те хнологии ), в которых эти эффекты используются для генерации , передачи , хранения и отобр ажения информации. Техническую основу оптоэлектроники опреде ляют конструктивно - технологические концепции сов ременной электроники : миниатюризация э лементо в ; предпочтительное развитие твердотельных плоско стных конструкций ; интеграция элементов и фун кций ; ориентация на специальные сверхчистые м атериалы ; применение методов групповой обработки изделий , таких как эпитаксия , фотолитография , нанесе н ие тонких пленок , диффузи я , ионная имплантация , плазмохимия и др. Исключительно важны и перспективны дл я оптоэлектроники гетероструктуры , в которых контактируют (внут ри единого монокристалла ) полупроводники с ра зличными значениями ширины запрещено й зон ы. Гетеропереход . Физические основы. Если n- и p-о бласть перехода изготовлены из различных полу проводников , то такой переход называется гете ропереходом . Отличие от обычного перехода более тонко в том случае , когда полупроводники в заимо растворимы , а переход плавный . Переходы послед него типа иногда называют "квазигомопереходами ". Таким образом , плавные переходы между n-ZnSe и p-ZnTe или между p-GaAs и n-GaР являют cя квазигом опереходами. Одной из причин обращения к гетер оперехо дам является возможность получить высокоэффективную инжекцию неосновных носителей в узкозонный полупроводник , т.е . суперинжекция , заключающаяся в том , что концентрация инжекти рованных в базу носителей может на неско лько порядков превысить их равнов е сное значение в змиттерной области (см . рис . 1). Это означает , что стремление получи ть g =1 в ши роком интервале изменения прямого тока не накладывает каких-либо ограничений на вид и концентрацию легирующей примеси в эмиттерн ой и базовой областях - у раз работчика оптоэлектронных приборов появляется лишняя "степень свободы ". Рис . 1. Это свойство гетеропереходов легко п онять из рассмотрения рис .2. Когда п рям ое смещение выравнивает валентную зону , дырки нжектируются в n-область . Инжекции же элек тронов из n-области в p-область препятствует барьер D E = Е g 1 - Е g 2 (см . рис . 2). а ) б ) Рис .2. Идеальная зонная схема для гетероперехода. а ) - в условиях равновесия ; б ) - при прямом смещении V Очевидно , что в этом случае излучате льная рекомбинация буд ет происходить в узкозонной области . Так , в гетеропереходах GaAs - GaSb полоса инжекционной люминесценции находится п ри энергии 0,7 эВ , что равно ширине запрещен ной зоны GaSb. Оптические свойства эмиттера и базы гетероструктуры различны и могут в шир о ких пределах изменяться независи мо друг от друга . Отсюда , в частности , следует , что широкозонный эмиттер представляет собой "окно " для более длинноволнового излуч ения , генерируемого (или поглощаемого ) узкозонной базой . Кроме того , различие в зна ч ениях Е g ведет и к различию пока зателей преломления n, что порождает волноводный эффект , т.е . концентрацию оптической энергии в слое с большим n при распространении и злучения вдоль слоя. На практике гетеропереходам присущи не достатки , связанные с гран ицей раздела : уровень Ферми оказывается фиксированным на границе из-за поверхностных состояний . Поэтому вместо ровного хода для одной из зон обычно имеет место барьер типа Шоттки , как показано на рис . 3. Поскольку барьер Шоттки обладает выпрямляющим д ействием , его рисутствие становится очевидным при рассмотрении n-n-гетеропереходов - т.е . переходов межд у двумя различными полупроводниками n-типа . Рис . 3 Особый интерес представляют гетеропереходы между CdS и каким-либо более ш ирокозонным полупроводником p-типа . Кристаллы CdS всег да имеют n-тип проводимости , и р -n-переходы в этом материале до сих пор не и зготовлены , несмотря на б олее чем дву хдесятилетние усилия многих исследовательских гр упп . Соединение CdS обладает широкой прямой запр ещенной зоной (Е g d 2,5 эВ ) и может излучать зелено-голуб ой свет. Были предприняты попытки изготовить г етеропереходы между CdS и SiC. SiC - широкозонный полу проводник , которому , по желанию , с помощью соответствующего легирования можно придать n- или p-тип проводимости . В зависимости от модиф икации ширина запрещенной зоны SiC варьируетсн о т 2,7 до 3,3 эВ . Модификация определяет характер периодичности в расположении ато мных связей . CdS n-типа был выращен на SiC р-типа , с тем чтобы дырки при прямом смещени и могли инжектироваться в CdS и создавать ви димое излучение . Было обнаружено , что спектр излучения сдвигается с током и ц в ет люминесценции плавно меняется от красного до зеленого . Соединение Cu 2 S , которое имеет p-тип проводимости , также обладает запрещенной зоной , более широкой чем CdS. Гетеропереходы , изготовлен ные напылением Cu 2 S на CdS, имеют красную инжекционную л юминесценцию , интенсивность которой линейно менял ась с током . Этот процесс , по-видимому , свя зан , с рекомбинацией через глубокие центры. Применение гет еропереходов. Излучатели. Инжекционный л азер. Инжекционнный лазер представляет собой полу проводниковый двухэлектродный прибор с p-n-переходом (поэтому часто как равноправный используется термин "лазерный диод "), в котором генерация когерентного излучения связана с инжекцией носителей заряда при протекании прямого тока через p-n-переход. Ра зновидности инжекционных лазеров . Рассмотренные теоретические положения предопределяют пути совершенствования простейшей структуры лазера . Обследованы и реализованы варианты расположения слоев по толщине кристалла . В гомогенном полупроводнике p-n-пе р еход как средство электронного ограничения весьма несовершенен : при высоких уровнях накачки происходит бесполезная инжекция электронов вл ево (из-за падения коэффициента инжекции ), огран ичение справа достигается лишь естественным убыванием ко н центрации введенных ды рок по закону exp(-х /L). Границы , определяющие "электронную " и "оптическую " толщ ины активной области W и W опт , не определенны и меняются от режима накачки . Все эти несовершенства , проявляющиеся в конечном счете в высоком з начении плотности порогового тока , пре допределили бесперспективность лазеров на одноро дных полупроводниках. Широкое промышленное распространение полу чили только гетеролазеры , общими особенностями которых являются односторонняя инжекция , четко выраж енный волноводный эффект , возможнос ть суперинжекции. В односторонней гетероструктуре (ОГС ) э лектронное ограничение слева идеально , а спра ва такое же , как и в лазере на гом огенном полупроводнике (рис . 4,a); преимущество ОГС перед другими гетерострук турами состоит в простоте технологии. Поистине классической стала двойная (двусторонняя ) гетероструктура (ДГС ), в которой сверхтонкая активная область "зажата " между дв умя гетерограницами (рис . 4,б ): именно она по зволяет получать малые пороговы е плотност и тока и значительные выходные мощности . Четырех и пятислойная структуры , являющиеся у совершенствованной ДГС , позволяют при очень т онкой области накачки W иметь толщину волновод а Wопт , оптимальную с точки зрения модовых соотношений . В пятисл о йных GaAlAs - стр уктурах удается получать J пор =10 2 A/см 2 и Р вых d 0,1 Вт . Отметим , что технологиче ские соображения требуют создания ряда пере ходных слоев , поэтому реальные лазерные струк туры значительно сложнее , чем физические моде ли. а ) б ) Рис . 4. Энергетич еские диаграммы активных структур инжекционных лазеров и распределения инжектированных носителей заряда (заштрихованные области ): а ) од носторонняя гетероструктура (ОГС ), б )двойная гетероструктура (ДГС ). Особенности инжекционных лазеров. Инжекционные лазеры имеют р яд достоинств , выделяющих их среди излучателе й и предопре деляющих доминирующую роль в оптоэлектронике. 1. Микроминиатюрность : теоретическая минимальная длина резон атора близка к 10 мкм , а площадь его поп еречного сечения - к 1 мкм 2 (объем активной области может достигать 10 -12 см 3 ). Это возможно п отому , что в полупроводниковых лазерах индуцированные переходы связаны не с отдельны ми дискретными уровнями , а с переходами з она - зона , поэтому и усиление в них н аибольшее (g d 10 3 ... 10 4 см -1 ). 2. Высокий КПД преобразо вания энергии накачки в и злучение , приближающийся у лучших образцо в к теоретическому пределу . Это обусловлено тем , что лишь при инжекционной накачке удается исключить нежелательные потери - вся энергия электрического тока переходит в эн ергию возбужденных электронов. 3. Уд обство управлени я : низкие напряжения и токи возбуждения , совместимые с интегральными микро схемами ; возможность изменения мощности излучения без применения внешних модуляторов ; работа как в непрерывном , так и в импульсном режимах с обеспечением при э том оч ень высокой скорости переключения (в пикосеку ндном диапазоне ). 4. Возможность генерации требуемой спектральной линии , обе спечиваемая выбором или синтезом прямозонного полупроводника с необходимой шириной запрещенной зоны ; воз можность одном одового режима. 5. Использование твердотельно й микроэлектронной групповой технологии. Отсюда высокая воспроизводимость пара метров , пригодность для массового производства , низкая стоимость , долговечность. 6. Совместимость с основным элементом ми кроэлектрон ики - транзистором (по типу используемых матери алов и по технологии обработки ). Это откры вает принципиальную возможность создания интегри рованных лазерных излучателей. Инжекционным лазерам присущи и опреде ленные недостатки , к принципи альным можно отнести следующие : невысокая когерентность излучения (в с равнении , например , с газовыми лазерами ) - значи тельная ширина спектральной линии , большая уг ловая расходимость , эллиптический астигматизм ; относительно малая генерируемая м о щность (некоторые оптоэлектронные устройства , нап ример голографические ЗУ , требуют лазеры боль шой мощности ); существенность таких негативных явлений , как временная деградация (в особенности для коротковолновых лазеров ), резкое уменьшение мощности излучения при повышении темпе ратуры и воздействии радиации. Светодиоды Светодиод представляет собой полупроводниковый диод с p-n-переходом , протекание тока через котор ый вызывает интенсивное некогерентное излучени е . Работа светодиода основана на спон танной рекомбинационной люминесценции избыточных носителей заряда , инжектируемых в активную об ласть (базу ) светодиода . Для светодиодов характ ерны два механизма излучательной рекомбинации : межзонная рекомбинация с вободных элек тронов и дырок в прямозонных полупроводниках (квантовые переходы зона-зона ); рекомбинация электронов и дырок в сос таве экситонов , связанных с примесными изоэле ктронными центрами (ловушками ) в непрямозонных полупроводниках. Как и в случае лазеров наилу чшим сочетанием параметров обладают гетеросветод иоды на основе гетероструктур , хотя специфика генерации некогерентного излучения позволяет широко использовать и светодиоды на основе однородных полупроводников. Переходя к гетер оструктурам , отмет им , что введение в них дополнительного пер еходного слоя с плавно изменяющимся значение м Е g, обусловлено технологическими задачами : бл агодаря постепенному изменению состава меньше сказываются напряжения из-за несогласованности кристал л ографических постоянных . Укажем также , что p-области представляют собой м ногослойные образования , причем каждый из сло ев характеризуется не только своим значением запрещенной зоны , но также видом и ко нцентрацией легирующей примеси . Структуры рис .5 п р едставляют собой ОГС и ДГС . а ) б ) Рис .5. Схемы расположения p- и n- слоев и изменения ширины запрещенной зоны п о сечению кристалла для : а ) ОГС ; б ) ДГС. W - толщина активной области , в которой идет эффективная излучательная рекомбинация. Если в ДГС широкозонные "обкладки " акт ивной области сделать достаточно толстыми (ил и хотя бы одну из них ), то подложку можно удалить (стравить ), и тогда луч и света , распространяющиеся вправо , не будут поглощены , а после отражения от нижней границы кристалла вновь направятся к левой поверхности и при попадании в апертурный угол выйдут наружу . Процесс отражения от границ вглубь кристалла может повторяться многократно до тех пор , пока световой луч не придет под нужным углом к левой поверхности . При этом нежелательног о поглощения излучения в широкозонных област ях не происходит . В таких многопроходных с труктура х с удаленной подложкой коэ ффициент вывода излучения может достигать дес ятков процентов. Искусственные квантовые ящики Искусственные квантовые ящики и сверхрешетки находят все большее прим енение при разработке излучателей . По мере уменьшения то лщин активных зон лазеров и светодиодов становятся существенными кван товые размерные эффекты , т.е . явления , в кот орых малые геометрические размеры рассматриваемы х областей обязывают учитывать квантовую при роду свободных носителей заряда. Если толщину активной области д войной гетероструктуры уменьшить до W d l Б ( длина волны де Бройля ), т о свободные электроны в этой области нач нут вести себя подобно двухмерному газу . Э то значит , что в любой конкретный момент времени могут быть указаны л ишь две координаты электрона (y и z на рис . 6,б ), тогда как по координате x он "размазан " по всей толщине W. Такая сверхтонкая ДГС пр едставляет собой квантовую яму (или квантовый ящик ), удерживающую двухмерный электронный га з . Последовательное чер е дование больш ого числа таких ям образует сверхрешетку (рис . 6,в ). В общем случае отдельные ямы в сверхрешетке не обязательно должны быть одинаковыми по глубине и ширине , как эт о представлено на рис . 6,г. Рис . 6. Квантовый размерный эффект в гетероструктуре : а ) представление электрона в виде вол нового пакета де Бройля ; б ) электрон (волня де Бройля ) 1 в дву мерной квантовой яме 2; в ) чередование слоев арсенид-фосвида гал лия с меньшим (A) и большим (B) содержанием мышьяка в сверхрешетке. г ) энергетическая диаграмма в сверхрешетк е ( 1 - энергетические зоны , обусловленные эффектом размерного квантования ). Квантовые ящики и сверхрешетки изгота вливают путем последова тельного эпитаксиальн ого выращивания сверхтонких (около 10 нм ) слоев полупроводниковых соединений разного состава . Например , схема рис . 6,в,г реализована в о дном из приборов при молекулярно-лучевой эпит аксии чередующихся слоев арсенид-фосфида галл и я с большим и меньшим содерж анием мышьяка ; при этом число слоев 100...200, а ширина запрещенной зоны скачкообразно изм еняется от Е g 1 = 1,4 до Е g 2 = 1,9 эВ и обратно. Размерное квантование порождает два о сновных физических эффекта : из менение зонной диаграммы , проявл яющееся в появлении новых разрешенных энергет ических состояний для электронов (1 на рис . 6,г ); тем самым принципиально может быть сформирована зонная структура любого вида ; изменение кинетики электронов , прояв ляющееся в их пробеге между гетерогр аницами без соударений (и без потерь энер гии ) с примесными атомами , - таково свойство волны де Бройля , распространяющейся в сред е с периодически изменяющимся потенциалом ; по движность электронов оказывается тако й же , как в чистом полупроводнике. Технологическая особенность сверхрешеток состоит в том , что вследствие малости тол щин соседних слоев становится существенным в ыравнивающее действие механических напряжений : пр актически сверхрешетка , несмотря на различие состава слоев , имеет одно общее усредненн ое значение кристаллографической постоянной . Мож но предположить , что для излучателей это обстоятельство окажется более важным , чем физ ические факторы. Из физических и технологических осо бенност ей сверхрешеток вытекает ряд важн ых для создания излучателей следствий , часть которых уже получила экспериментальное подтв ерждение : это получение более высоких , чем ранее , коэффициентов усиления волны в акти вной среде и , как следствие , уменьшение д л ины резонатора лазера или снижен ие порогового тока ; достижение высокой подвиж ности в сильно легированном материале и н а этой основе повышение быстродействия как самих излучателей , так и схем электронного обрамления ; возможность "перевода " непрям о зонных полупроводников в прямозонные , пол учение прямозонных структур с любой шириной запрещенной зоны , а также лазеров (и светодиодов ) с перестраиваемой длиной волны , п родвижение в сине-зеленую и УФ-область спектра ; совмещение материалов с сильным с труктурным рассогласованием ; неизбежность отк рытия новых полезных явлений при дальнейшем исследовании сверхрешеток. Таким образом , развитие физики и с тановление техники приборов с искусственными квантовыми ямами и сверхрешетками приведет к качестве нному скачку в области излуч ателей и в оптоэлектронике в целом. Приемники Фотодиод Фотодиод - это фотоприемник , представляющий собой полупроводник овый диод , сконструированный и оптимизированный так , что его активная структура оказываетс я способ ной эффективно воспринимать оптич ское излучение . Практически для этого корпус фотодиода имеет специальное прозрачное окно , за которым располагается фоточувствительная площадка полупроводникового кристалла . Принимаются также меры по устранению с этой пло щ адки затеняющих элементов (непрозрач ных металлических электродов ), сводятся до ми нимума толщины вспомогательных слоев полупроводн ика , ослабляющих фотоэффект , на фоточувствительную поверхность наносятся специальные антиотражающи е покрытия и т.п. Рис . 7. Фотодиод с гетеро структурой (1- широкозонное окно ; 2- активная область ; 3- подложка с переходным слоем ). Гетерофотодиоды (рис . 7) представляют собой одну из наиболее бурно р азвивающихся разновидностей оптоэлектронных фотоприемников . В конструкции любого гетерофотодиода выделяются прежде всего две области : "широкозонное окно " и активный фоточувствительный слой . Широкозо нное окно без потерь пропускает излучение к активной обла с ти и в то же время является контактным слоем с малым последовательным сопротивлением . Процессы в активной области - поглощение излучения , н акопление (собирание ) генерируемых носителей заряд а - в значительной степени протекают так ж е , как и в кремниевой p- i -n-структ уре . Важное отличие заключается в том , что выбором подходящего полупроводникового соединен ия фоточувствительного слоя удается обеспечить полное поглощение излучения (в том числе и в ИК-области ) при толщине этого слоя порядка 1 мкм . Отсюда сочетан и е в ысокого быстродействия и высокой фоточувствитель ности при малых питающих напряжениях , что для Si-p-i-n-структур в длинноволновой области прин ципиально недостижимо : для полного поглощения излучения с l ~1,06 мкм толщина i-области должна составлят ь около 3 ОО мкм , а рабочее напряжение - сотни вольт . Таким образом , гетерофотодиоды в некотором роде эквивалент кремниевых р -i-n-диодов в длинноволновой области , хотя их значимость этим не исчерпывается. Свобода выбора материала обусловливает и возможность достиже ния повышенных значе ний фото-ЭДС (например , U xx =0,8... 1,1 В у GaAlAs-структур ), высокого значения КПД п реобразования (до 100%), меньших , чем у кремния , темновых токов и шумов , расширения температу рного диапазона , повышения устойчивости к воз действи ю проникающей радиации. Важнейшим достоинством гетерофотодиодов яв ляется их физическая и технологическая совмес тимость с устройствами интегральной оптики . Н есомненно полезным может оказаться то , что они могут быть изготовлены на одном кр исталле с из лучателем и микросхемой , т . е . открывается возможность создания универс альных монолитных оптоэлектронных элементов дупл ексной связи . Гетерофотодиоды значительно сложнее в изготовлении , чем кремниевые , однако им еющиеся технологические трудности постеп е нно преодолеваются . Основные материалы ге терофотодиодов - GaAlAs для l ~0,85 мкм и InGaAsP, InGaAs для l =1,3... 1,55 мкм . Гетерофотодиоды работают и в режиме лавинного умножения , причем благодаря малой толщине активной о бласти рабочее напряжение може т составлят ь десятки вольт . Препятствием на пути их развития является то обстоятельство , что практически для всех соединений А 3 В 5 коэффициенты размножения электронов и дырок приблизительно одинако вы ( a - d a + ) это ведет к повышенному уровню шумов . Исключение составляет GaSb, однако этот материал пока все еще характеризуется очень низким качеством . Поэтому широкое развитие лавинных гетерофот одиодов маловероятно , их альтернативой являются интегрированные структуры , в которых на од ном криста л ле полупроводника A 3 B 5 объединены гетерофотодиод и МДП - транзистор . Быстродействие таких структур мо жет быть менее 0,1 нс при внутреннем усилении около 10 2. Создание гетеро-ЛФД представляется возможным благодаря развитию техники сверхрешеток . Анализ показывает , что в сверхрешетке можно доводить отношение a + /a - - до 20 и бо лее. Фототранзисторы Фототранзисторы составляют весьма представительный отряд опт оэлектронных фотоприемников , наиболее характерными чертами которого являются наличие м еха низмов встроенного усиления (отсюда высокая ф оточувствительность ) и схемотехническая гибкость , обусловленная наличием третьего - управляющего - эл ектрода . В то же время фототранзисторам пр исуща заметная инерционность , что ограничивает область их пример н ения в основ ном устройствами автоматики и управления сил овыми цепями . Они изготавливаются практически только на кремнии. Рис . 8. Гетерофототранзистор 1-- n + -InP-эмиттер с кольце вым электродом ; 2-- p-InGaAsP-база ; 3-- n + -n-InP-коллект ор (подложка ). Гетерофототранзисторы (рис . 8) основаны на п ринципе действия обычного биполярного фототранзи стора , но в них используются и все дос тоинства гетероструктур : широкозонные эмитт ер ное и коллекторное окна (что позволяет со здавать конструкции с прямой и обратной - через толстый коллекторный слой - засветкой ); т онкая фотоактивная базовая область , полностью поглощающая воздействующее излучение ; идеальность гетерограниц , препятств у ющих просачива нию основных носителей базы в коллектор и накоплению их в нем . Все это ведет к тому , что гетерофототранзисторы могут им еть не только высокую чувствительность в любом заданном участке спектра , но и очень высокое быстродействие (в нано- и субнаносекундном диапазоне ). Однако гетерофот отранзисторы используются , как правило , лишь в диодном включении (так как вывод от у зкой базовой области сделать затруднительно ), что лишает их схемотехнической гибкости , прис ущей транзисторам . По ме р е усовер шенствования и промышленного развития эти пр иборы станут "соперниками " ЛФД , выгодно отличая сь от них низким питающим напряжением , от сутствием жестких требований к стабилизации р ежима работы и другими достоинствами , присущи ми транзисторам . Заключение Итак , как вы уже успели убедиться , применение гетероперех одов в оптоэлектронике помогает разрешить мно гие проблемы . Так , в частности , найдено реш ение задачи создания приборов с прямозонной энергетической диаграммой , что не удавалось реализов ать на гомогенных структурах . Прозрачность широкозонного эмиттера для рекомб инационного излучения базы гетерогенной структур ы существенно облегчает задачу констуирования излучательных приборов . Также гетероструктуры с пособствуют всё большей интеграции опт о электронных устройств . Реализация сверхрешето к позволит создавать элементную базу с пр оизвольными зонными диаграммами , т.е . гетерострукту ры являются перспективным направлением исследова ния . Технологические трудности изготовления гетер опереходов , как нам к ажется , явление временное и в недалеком будущем преодоли мое . Применительно к нашей специальности (физи ка и техника оптической связи ) гетероструктур ы являются хорошим подспорьем в конструирован ии систем волоконно-оптической связи . Инжекционные лазеры , на п ример , с их способн остью генерировать пучок света , (являющийся пе реносчиком информации в волоконно-оптических лини ях связи ) с наперед заданным направлением распространения - решение проблемы миниатюризации основных элементов систем волоконно-оптической св я зи. Конечно , существуют еще много неразрешен ных проблем , но , как нам кажется , будущее оптоэлектроники неразрывно связано с гетеростр уктурами. Литература : Панков Ж. "О птические процессы в полупроводниках " Носов Ю.Р. " Оптоэлектроника "
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Стал известен маршрут военной техники во время парада 9 мая.
Тверская – Манежная площадь – Красная площадь – Васильевский спуск – Киев
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по радиоэлектронике "Применение гетеропереходов в оптоэлектронике", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru