Курсовая: Расчет параметров ступенчатого p-n перехода - текст курсовой. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Курсовая

Расчет параметров ступенчатого p-n перехода

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Курсовая работа
Язык курсовой: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 3802 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникальной курсовой работы

Узнайте стоимость написания уникальной работы

23 Министерство образования Российской Федера ции Орловский Государственный Технический Университет Кафедра физики КУРСОВАЯ РАБОТА на тему : «Расчет параметров ступенчатого p- n перехода» Дисциплина : «Физические основы микроэлектроники» Выполнил студент группы 3 – 4 Сенаторов Д.Г. Руководител ь : Оценка : Орел . 2000 Орловский Государственный Технический Университет Кафедра : «Физика» ЗАДАНИЕ НА курсовую работу Студент : Сенаторов Д.Г. группа 3 – 4 Тема : «Расчет параметров ступенчатого p- n перехода» Задание : Рассчитать контактную разность потенциалов k в p - n -переходе. Исходные данные для расчета приведены в таблице № 1. Таблица 1. Исходные данные. Наименование параметра Единицы измерения. Условное обозначение Значение в единицах системы СИ Абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере м -3 N Э 1,5 10 25 Абсолютная величина результирующей примеси в базе м -3 N Б 1,8 10 22 Диэлектрическая постоянная возду ха Ф /м 0 8,85 10 -12 Заряд электрона Кл e 1,6 10 -19 Относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника Ф /м 16 Постоянная Больцмана Дж /К k 1,38 10 -23 Равновесная концентрация дырок в n -области м -3 p n 0 10 10 Равновесная концентрация дырок в p -области м -3 n p 0 1,1 10 9 Собственная концентрация носителей заряда м -3 n i 5 10 14 Температура окружающей среды K T 290 ОГЛ АВЛЕНИЕ. ВВЕДЕНИЕ 4. ЧАСТЬ I . ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 6. 1.1 Понятие о p - n переходе 6. 1.2 Структура p - n перехода 10. 1.3 Методы создания p - n переходов 15. 1.3.1 Точечные переходы 15. 1.3.2 Сплавные переходы 16. 1.3.3 Диффузионные переходы 17. 1.3.4 Эпитаксиальные переходы 18. 1.4 Энергетическая диаграмма p - n перехода в равновесном состоянии 20. 1.5 Токи через p - n переход в равновесном состоянии 23. 1.6 Методика расчета параметров p - n перехода 26. 1.7 Расчет параметров ступенчатого p - n перехода 29. ЧАСТЬ II . Расчет контактной разности потенциалов k в p - n -переходе 31. ЗАКЛЮЧЕНИЕ 32. ПРИЛОЖЕНИЕ 33. СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 35. ВВЕДЕНИЕ. Полупроводники могут находиться в контакте с металлами и некоторыми другими материалами . Наибольший интерес представляет контакт полупроводника с полупроводником . Этот интерес вызван следующими двумя обстоятельствами . В случае контакта метал– полупроводник выпрямляющими свойствами контакта можно управлять с помощью только одной из половин контакта , а именно , со стороны полупроводника . Это видно хотя бы из того факта , что весь запирающий (или антизапирающий Антизапирающим называ ют приконтактный слой , обогащённый свободными носителями заряда. ) слой лежит в полупроводниковой области и его толщину , а значит , и ток можно регулировать концентрацией носителей n 0 , т.е . выбором типа кристалла , легированием полупроводника , температурой , освещением и т.д . Второе обстоятельство заключается в том , что практически поверхности металла и полупроводника никогда не образуют идеального контакта друг с другом . Всегда между ними находятся адсорбированные атомы или ионы посторонних веществ . Адсор б ированные слои экранируют внутреннюю часть полупроводника так , что фактически они определяют свойства выпрямляющих контактов или , во всяком случае , существенно влияют на них. В случае контакта полупроводник– полупроводник , оба недостатка отсутствуют т.к. в большинстве случаев контакт осуществляют в пределах одного монокристалла , в котором половина легирована донорной примесью , другая половина – акцепторной . Существуют и другие технологические методы создания электронно-дырочного перехода , которые будут р а ссмотрены в данной курсовой работе . Кроме того , целью предпринимаемого исследования является определение основных параметров и характеристик , а также физических процессов , лежащих в основе образования и функционирования p - n -перехода для ответа на основной вопрос данной работы : «Какова ширина p - n -перехода ?» при заданных исходных параметрах. В третьей части данной работы будет предпринята попытка объяснить особенности поведения электрона с учетом спина во внешнем электрическом поле , введено понятие тонкой ст руктуры. ЧАСТЬ I . ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ. 1.1 Понятие о p - n переходе. Основным элементом большой группы полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход . Такой переход представляет собой область между двумя полупроводниками разного ти па проводимости , объединенную основными носителями заряда . В зависимости от характера распределения концентрации примеси в объединенном p - n слое переходы бывают ступенчатыми (резкими ) и плавными . В плавных p - n -переходах изменение концентрации донорных ( N d ), и акцепторных ( N a ) примесных атомов происходит на расстоянии , сравнимом с шириной обеднённого слоя или превышающем её . В резких p - n -переходах изменение концентрации примесных атомов от N d до N a происходит на расстоянии , меньшем ширины обеднённого слоя [8]. Резкость границы играет существенную роль , т.к . в плавном p - n -переходе трудно получить те вентильные свойства , которые необходимы для работы диодов и транзисторов [4]. На рис . 1.1 представлено распределение зарядов в полупроводниках при плавном и резк ом изменении типа проводимости. При плавном изменении типа проводимости (рис . 1.1.а ) градиент концентрации Отношение изменения концентрации носителей заряда к расстоянию на котором это изменение происходит называется градиентом концентрации : grad n =
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
- Скажите, профессор, вы ставите на зачёте автоматы по посещаемости?
- Ну, знаете ли, это всё равно, что оценивать качество секса по присутствию человека.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru