Курсовая: Расчет параметров ступенчатого p-n перехода - текст курсовой. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Курсовая

Расчет параметров ступенчатого p-n перехода

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Курсовая работа
Язык курсовой: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 3802 kb, скачать бесплатно
Обойти Антиплагиат
Повысьте уникальность файла до 80-100% здесь.
Промокод referatbank - cкидка 20%!
Заказать
Узнать стоимость написания уникальной курсовой работы

Узнайте стоимость написания уникальной работы

23 Министерство образования Российской Федера ции Орловский Государственный Технический Университет Кафедра физики КУРСОВАЯ РАБОТА на тему : «Расчет параметров ступенчатого p- n перехода» Дисциплина : «Физические основы микроэлектроники» Выполнил студент группы 3 – 4 Сенаторов Д.Г. Руководител ь : Оценка : Орел . 2000 Орловский Государственный Технический Университет Кафедра : «Физика» ЗАДАНИЕ НА курсовую работу Студент : Сенаторов Д.Г. группа 3 – 4 Тема : «Расчет параметров ступенчатого p- n перехода» Задание : Рассчитать контактную разность потенциалов k в p - n -переходе. Исходные данные для расчета приведены в таблице № 1. Таблица 1. Исходные данные. Наименование параметра Единицы измерения. Условное обозначение Значение в единицах системы СИ Абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере м -3 N Э 1,5 10 25 Абсолютная величина результирующей примеси в базе м -3 N Б 1,8 10 22 Диэлектрическая постоянная возду ха Ф /м 0 8,85 10 -12 Заряд электрона Кл e 1,6 10 -19 Относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника Ф /м 16 Постоянная Больцмана Дж /К k 1,38 10 -23 Равновесная концентрация дырок в n -области м -3 p n 0 10 10 Равновесная концентрация дырок в p -области м -3 n p 0 1,1 10 9 Собственная концентрация носителей заряда м -3 n i 5 10 14 Температура окружающей среды K T 290 ОГЛ АВЛЕНИЕ. ВВЕДЕНИЕ 4. ЧАСТЬ I . ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 6. 1.1 Понятие о p - n переходе 6. 1.2 Структура p - n перехода 10. 1.3 Методы создания p - n переходов 15. 1.3.1 Точечные переходы 15. 1.3.2 Сплавные переходы 16. 1.3.3 Диффузионные переходы 17. 1.3.4 Эпитаксиальные переходы 18. 1.4 Энергетическая диаграмма p - n перехода в равновесном состоянии 20. 1.5 Токи через p - n переход в равновесном состоянии 23. 1.6 Методика расчета параметров p - n перехода 26. 1.7 Расчет параметров ступенчатого p - n перехода 29. ЧАСТЬ II . Расчет контактной разности потенциалов k в p - n -переходе 31. ЗАКЛЮЧЕНИЕ 32. ПРИЛОЖЕНИЕ 33. СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 35. ВВЕДЕНИЕ. Полупроводники могут находиться в контакте с металлами и некоторыми другими материалами . Наибольший интерес представляет контакт полупроводника с полупроводником . Этот интерес вызван следующими двумя обстоятельствами . В случае контакта метал– полупроводник выпрямляющими свойствами контакта можно управлять с помощью только одной из половин контакта , а именно , со стороны полупроводника . Это видно хотя бы из того факта , что весь запирающий (или антизапирающий Антизапирающим называ ют приконтактный слой , обогащённый свободными носителями заряда. ) слой лежит в полупроводниковой области и его толщину , а значит , и ток можно регулировать концентрацией носителей n 0 , т.е . выбором типа кристалла , легированием полупроводника , температурой , освещением и т.д . Второе обстоятельство заключается в том , что практически поверхности металла и полупроводника никогда не образуют идеального контакта друг с другом . Всегда между ними находятся адсорбированные атомы или ионы посторонних веществ . Адсор б ированные слои экранируют внутреннюю часть полупроводника так , что фактически они определяют свойства выпрямляющих контактов или , во всяком случае , существенно влияют на них. В случае контакта полупроводник– полупроводник , оба недостатка отсутствуют т.к. в большинстве случаев контакт осуществляют в пределах одного монокристалла , в котором половина легирована донорной примесью , другая половина – акцепторной . Существуют и другие технологические методы создания электронно-дырочного перехода , которые будут р а ссмотрены в данной курсовой работе . Кроме того , целью предпринимаемого исследования является определение основных параметров и характеристик , а также физических процессов , лежащих в основе образования и функционирования p - n -перехода для ответа на основной вопрос данной работы : «Какова ширина p - n -перехода ?» при заданных исходных параметрах. В третьей части данной работы будет предпринята попытка объяснить особенности поведения электрона с учетом спина во внешнем электрическом поле , введено понятие тонкой ст руктуры. ЧАСТЬ I . ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ. 1.1 Понятие о p - n переходе. Основным элементом большой группы полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход . Такой переход представляет собой область между двумя полупроводниками разного ти па проводимости , объединенную основными носителями заряда . В зависимости от характера распределения концентрации примеси в объединенном p - n слое переходы бывают ступенчатыми (резкими ) и плавными . В плавных p - n -переходах изменение концентрации донорных ( N d ), и акцепторных ( N a ) примесных атомов происходит на расстоянии , сравнимом с шириной обеднённого слоя или превышающем её . В резких p - n -переходах изменение концентрации примесных атомов от N d до N a происходит на расстоянии , меньшем ширины обеднённого слоя [8]. Резкость границы играет существенную роль , т.к . в плавном p - n -переходе трудно получить те вентильные свойства , которые необходимы для работы диодов и транзисторов [4]. На рис . 1.1 представлено распределение зарядов в полупроводниках при плавном и резк ом изменении типа проводимости. При плавном изменении типа проводимости (рис . 1.1.а ) градиент концентрации Отношение изменения концентрации носителей заряда к расстоянию на котором это изменение происходит называется градиентом концентрации : grad n =
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Двоечник Сидоров вечером подкараулил математичку и... получил пятёрку.
Могли и шесть впаять, да судья добрый попался.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2017
Рейтинг@Mail.ru