Реферат: Схемы контроля цифровых устройств - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Схемы контроля цифровых устройств

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 536 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Назначение схем контроля цифровых устройс тв . ВВЕДЕНИЕ Развитие эл ектронной вычис лительной техники , и информатики и применение их средств и методов в народном хозя йстве , научных исследованиях , образовании и др угих сферах человеческой деятельности являются в настоящее время приоритетным направлением научно-технического п р огресса . Это п риводит к необходимости широкой подготовки сп ециалистов по электронным вычислительным машинам , системам и сетям , программному обеспечению и прикладной математике , автоматизированным сис темам обработки данных и управления и дру гим направления м , связанным с интенс ивным использованием вычислительной техники . Всем этим специалистам необходимы достаточно глуб окие знания принципов построения и функционир ования современных ЭВМ , комплексов , систем и сетей , микропроцессорных средств , персональных комп ь ютеров . Такие знания необходимы не только специалистам различных областей вычислительной техники , но и лицам , связанны м с созданием программного обеспечения и применением ЭВМ в различных областях , что определяется тесным взаимодействием аппаратурных и про г раммных средств в ЭВМ , т енденцией аппаратурной реализации системных и специализированных программных продуктов , позволяю щей достигнуть увеличение производительности , над ежности , функциональной гибкости , большей приспосо бленности вычислительных машин и сис т ем к эксплуатационному обслуживанию. В последние годы мир электронных вычислительных машин значительно расширился - в нем наряду с машинами общего назначения заняли боль шое место супер-ЭВМ , малые ЭВМ и особенно микропроцессоры и микро-ЭВМ , персональные ком пьютеры . Информация которая передается между узлам и компьютера или хранится в нем , ни ка ким образом не должна изменяться , для это существуют , либо аппаратные , либо программные средства контроля и диагностики. 1. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Назначение схем контроля цифро вых устройств , виды контроля для комбинационных схем Потери времени в таких сло жных объектах , как ЭВМ , в первую очередь связанны с поиском места неисправности . Важ нейшим средством уменьшения потерь и повышени е обслуживаемости ЭВМ является система автома ти ческого диагностирования , позволяющая локал изовать неисправность. Чтобы уменьшить потери от сбоев и отказов , порождающих ошибки , надо предотвратить распространение ошибки в вычислительном проц ессе , так как в противном случае существен но усложнятся и удлиня тся процедуры п роверки правильности работы программы , определени е и устранения искажений в программе , данн ых и промежуточных результатах . Для этого необходимо обнаружить появление ошибки в выполняемых машиной преобразованиях информации возможно ближе к мо менту ее возникновения . С этой целью надо и меть систему автоматического контроля правильнос ти работы ЭВМ , которая при появлении ошибк и в работе машины немедленно приостанавливает выполнение программы . Наличие такой системы освобождает от забот по контролю достоверности. Для уменьшения времени восстановления инф ормации следует иметь систему автоматического восстановления вычислительного процесса , распознаю щую характер (сбой или отказ ) ошибки и при сбое автоматически восстанавливающую достове рность информации и выполнения программы , а при отказе инициирующую работу системы автоматического диагностирования ЭВМ. Обнаружение ошибок должно производиться в машине непрерывно и , следовательно , не до лжно вызывать заметного снижения быстродействия машины . Поэтому эта ф ункция возлагает ся на быстродействующие аппаратурные средства контроля , которые позволяют почти полностью совместить во време ни выполнение основных и контрольных операций . Необходимость в коррекции ошибок , восстан овлении вычислительного процесса и диагност ирования неисправностей при современном у ровне надежности ЭВМ возникает достаточно ред ко . Поэтому целесообразно использовать для вы полнения этих функций главным образом микропр ограммные , а также программные средства в виде корректирующих и диагностических микропрограмм и программ . Однако чтобы эти программы не были чрезмерно сложны , предусматриваются и определенные аппаратурные ср едства , поддерживающие процедуры восстановления п осле сбоев и локализации неисправностей. Основными характеристиками системы авто матического контроля правильности функционир ования ЭВМ являются : а ) отношение количества оборудования , ох ваченного системой контроля , к общему количес тву оборудования ЭВМ ; б ) вероятность обнаружения системой кон троля ошибок в функционировании ЭВМ ; в ) ст епень детализации , с которо й система контроля указывает место возникнове ния ошибки ; г ) отношение количества оборудования си стемы контроля к общему количеству оборудован ия ЭВМ. Основными характеристиками системы автоматич еского диагностирования являются : а ) вероятность правильного обнаружени я места отказа ; б ) разрешаю щая способность , равная среднему числу подозр еваемых сменных блоков ; в ) доля аппаратурных средств системы диагностирования в общем оборудовании ЭВМ [ 3 ]. Виды контроля комбинационных схем. Контроль с помощью дублирования (рис .1). Контроль с помощью обратных схем (рис .2). На входы X 0- Xn -1 приходят сигн алы , которые подаются на : основную и дубли рующую схемы . Далее выходные сигналы Y 0- Ym -1 анализируются в блоках M 2 . Завершающем этапом является л огические операции в логическом блоке , на выходе которого , сформируется сигнал (ОШ ) показывающий , есть ошибка или нет . Суть контроля с помощью обратной схем ы (данный метод называется восп роизведени ем входных сигналов ) состоит в сравнении в ходных сигналов основной схемы с выходными контролирующими. 1.2 Выбор и обоснование функциональной сх емы , элементной базы При работе дешифратора могут возникнуть следующие виды ошибок : а ) наличие двух и ли более акти вных сигналов на выходах дешифратора ; б ) отсутствие активных сигнало в на выходах дешифратора. Схема контроля дешифратора (рис .3, рис .4) состоит из трех блоков : а ) входного блока - на него подаются сигналы с выходов дешифратора , над этими сигн алами выполняются логические операции , после чего формируются выходные сигналы , необходимые для дальнейшего сравнения и анал иза ; б ) промежуточный блок - в этот блок поступают сигналы с входного блока , которые подверг аются сравнению и анализу , с выходов бло ка формируются сигналы , необходимые для формирования сигнала сообщающего о ошибке ; в ) выходной блок - на него поступают сигналы из промежуточного блока , на основе этих сигналов формируется сигнал ошибки , если сигнал ошибки высокого уровня , т.е . ло г .1, ест ь ошибка . Если лог .0 дешифратор сработал нормально , без ошибки. В курсовом проекте рассматривается схема - 1, изображенная на рис .3. За счет инвертирую щих элементов в схеме - 2 (рис .4), быстродействие ее больше , чем в первой схеме . Но сх ема - 1проще в пост роении , также в н ей используется меньшее количество ИМС при построении схемы на печатной плате , что приводит к увеличению надежности работы сх емы и меньшей ее цене . Элементная база подбиралась по основным характеристикам : повышенное быстродействие , малая потребляемая мощность , минимальные токи потребления . ИМС используемые в схеме : ИМС - КР 1533ЛИ 1 Изготовлена по ТТЛШ - технологи и , выпускается в полимерном корпусе. Назначения выводов 1,2 ,4,5,9,10,12,13 - входы 1 - 4 лог . элементов , 3,6,8,11 - выходы лог . элементов . К 14 - выво ду подключается U пит , а вывод 7 является общим. Параметры и эксплуатационные данные I пот - не более 4,0 мА U вых - не более 0,5 В I пот - не более 2,4 мА U вых - не мен ее 2,7 В I вх - не более 2 мкА t зд.р и t зд.р - не б олее 15 нс. I вх - не более 50 мкА U пит - 5 В 5% T окр - от -10 ’ C до +70 ’ C ИМС - КР 1531ЛЛ 1 Изготовлена по ТТЛШ - технологии , выпускает ся в полимерном корпусе. Назначения выводов 1,2,4,5,9,10,12,13 - входы 1 - 4 лог . элеме нтов , 3,6,8,11 - выходы лог . элементов . К 14 - выводу п одключается U пит , а вывод 7 является общим. Параметры и эксплуатационные данные I пот - не более 15,5 мА U вых - не более 0,5 В I пот - не более 8,3 мА U вых - не менее 2,7 В I вх - не более -0,6 мА t зд.р. - не более 5,0 нс I вх - не более 20 мкА t зд.р - не боле е 5,5 нс U пит - 5 В 5% T окр - от -10 ’ С до +70 ’ С ИМС - К 155ЛЕ 4 Изготовлена по ТТЛ - технологии , выпускается в пластмассовом корпусе. Назначения выводов 1,2,3,4,5,9,10,11,13 - входы 1 - 3 лог . элем ентов , 6,8,12 - выходы лог . элементов . К 14 - выводу п одключается U пит , а вывод 7 являе тся общим. Параметры и эксплуатационные данные I пот - не более 26 мА U вых - не более 0,4 В I пот - не более 16 мА U вых - не менее 2,4 В I вх - не более -1,6 мА t зд.р. - не более 11 нс I вх - не более 40 мкА t зд.р - не боле е 15 нс U пит - 5 В 5% T окр - от -10 ’ С до +70 ’ С ИМС - КР 531ЛН 1 Изготовлена по ТТЛШ - технологи и , выпускается в пластмассовом корпусе. Назначения выводов 1,3,5,9,11,13 - входы 1 - 6 лог . элемен тов , 2,4,6,8,10,12 - выходы лог . элементов . К 14 - выводу п одключается U пит , а вывод 7 явля ется общим. Параметры и эксплуатационные данные I пот - не более 54 мА U вых - не более 0,5 В I пот - не более 24 мА U вых - не менее 2,5 В I вх - не более -2,0 мА t зд.р. - не более 5 нс I вх - не более 50 мкА t зд.р - не боле е 4,5 нс U пит - 5 В 5% T окр - от -10 ’ С до +70 ’ С 2. СПЕЦИАЛЬНАЯ ЧАСТЬ Логический расчет схемы Расчет входного блока В входной блок (рис .3) поступают сигналы A 0, A 1, A 2, A 3, B 0, B 1, B 2, B 3 с дешифратора , после логических опер аций с четырех элементов выходного блока формируются сигналы E и S . Чтобы рассчитать выхо дные сигналы , нужно посмотреть табл .1. Из та блицы истинности видно , что сигнал E =1, только в том случае , если сигналы A и B равны лог . 1. На основ е этого можно построить карту Карно , она приведена рядом , далее из карты можно получит ь следующую формулу для сигнала E : E = A B Для сигнала S получается следующая формула : S = A + B , Расчет промежуточного блока Промежуточный блок состоит из дв у х под блоков , эти блоки полностью аналогич ны . В промежуточный блок поступают сигналы E 1, E 2, S 1 и S 2 с элементов выходного блока , после логических операций , в промежуточ ном блоке на выходах формируются сигналы E и S . Для логического расчета выходных сигна ло в , можно рассмотреть один из под блоков схемы . Формула для сигнала E : E = E 1+ E 2+ S 1 S 2 Формула для сигнала S : S=E1+E2+S1+S2=A0B0+A1B1+A1+B1+A2+B2=A0+B0+A1+B1=S1+S2 2.1.3 Расчет вы ходного блока Из промежуточного блока в вых одной поступают сигналы E 1, S 1 , Е 2 и S 2. Эти сигналы нео бходимы , для формирования сигнала сообщающего об ошибке. П осле логических операций в выходном блоке , на его выходе формируется сигнал ERR . Таблица истинности и карта Карно для э того сигнала приведены в табл . 3, после всех логических преобразований формула для сигнала ERR получится следующая : ERR = E 1+ E 2+ S 1 S 2+ S 1 S 2 2.2 Описание работы принципиальной схемы Сигналы с выходов дешифратора по с тупают в входной блок на выводы 1,2,4,5,8,10,12,13 - DD 1 и DD 2 , далее формируются сигналы E 1, S 1 на выводе 3, E 2, S 2 на выводе 6 , E 1 ’ , S 1 ’ на выводе 8 и E 2 ’ , S 2 ’ на выводе 11 м / c х DD 1 и DD 2. Эти сигналы поступают в промежуточный блок , в результате чего появля ются новые сигна лы , нужные для дальнейшей проверки : E 1 вывод 2 DD 6, S 1 вывод 3 DD 4, E 2 вывод 4 DD 6 и S 2 вывод 6 DD 4 . Последним , заверша ющим этапом являются логические операции в выходном блоке , который в зависимости от этих сигналов сформирует выходной сиг н ал ERR . Если сигнал ERR =0 , то ошибки нет , ERR =1 есть ошибка . Работу данной схемы можно рассмотреть на примерах. Нормальный режим работы дешифратора , т.е . высокий уровень сигнала (лог . 1) присутствует на одном из выходов дешифратора , пусть в данном случае, это выход Y 0 =1, на остальные выводы 2,4,5,9,10,12 DD 1, DD 2 приход ит лог . 0. На выводе 3 DD 1 ( E 1) после выполне ния логической операции появится лог .0, на выводе 3 DD 2 получится лог . 1, на в сех же остальных выводах DD 1 и DD 2 формируется лог . 0. Сигнал лог . 1 с вывода 3 DD 2 поступает вместе с сигналом лог . 0 с вывода 6 DD 2 на вывод 1 и 2 DD 4 . Лог . 0 с выводов 3 и 6 DD 3 поступает на выводы 13 и 5 DD 5. На выводе 3 DD 4 образуется сигнал лог . 1, который с сигналом с вывода 6 поступает на выводы 9 и 10 DD 3 , а также на выводы 9 и 10 DD 5. На выводах 12, 6 и 8 DD 5 образуется комбинация сигналов 1 10 . Сигналы с выв одов 12 и 6 инвертируются и поступают на выво ды 1 и 2 выходного блока м / сх DD 7 . С вывода 3 DD 7 лог . 0 подается на вывод 4 с сигнал ом лог .0 с вывода 8 DD 5 на выв од 5 DD 7 , а с вывода 6 DD 7 приходит лог .0 на вывод 10 DD 7 и на вывод 9 DD 7 приходит так же лог . 1 с вывода 8 DD 3 . На выводе 8 DD 7 образуется лог . 0, т.е . сигнал ERR =0 , значит схема проработала правильно , оши бки нет. На выходах дешифратора нет активных с игн алов , т.е . Y 0= Y 1= Y 2= Y 3 = Y 4= Y 5= Y 6= Y 7=0. На выходах входного блока , м /с x DD 1 и DD 2 , формируется лог . 0, далее эти сигналы поступают на м /сх DD3 и DD 4 . Проследить появление сигнала , по влияющег о на формирование ошибки можно с выводов 3 и 6 DD 4, на этих вывод ах присутствуют лог . 0, которые поступят на выво ды 9 и 10 м /сх DD 5 , после выполнен ия логической операции , т.е . логического сложен ия и инверсии , на выводе 8 DD 5 сформи руется сигнал лог . 1, который поступает на в ывод 5 DD 7 , так как все выходы дешифратора пас сивны , то к выходному блоку , кроме выше зафиксированного сигнала лог . 1, сигналы высокого уровня не поступят . Это значит , что ERR =1, есть ошибка . Если на двух выходах дешифратора лог . 1 . На выходах Y 0= Y 7=1 , на всех остальных лог . 0. На выводах 3 и 11 DD 2 формирование лог . 1, на всех остальных выходах входного блока сигналы равн ые лог . 0, далее сигнал с выводов 3 и 6 DD 2 поступают на выводы 1 и 2 DD 4 , в результате на выводе 3 DD 4 формируется лог .1. Сигналы с выводов 8 и 11 DD 2 поступают на выводы 4 и 5 DD 4 после чего формируется сигнал лог . 1 на выводе 6 DD 4 . Сигналы с выв одов 3 и 6 DD 4 поступят на выводы 9 и 10 - DD 3 и DD 5 . На выводе 8 DD 5 после выполнения логической опера ции сформируется сигнал , который про инвертир уется и в результате получится сигнал ло г . 0. Этот сигнал с сигналом с вывод а 3 DD 7 (лог .0) подается на выводы 4 и 5 DD 7 , после чего на выводе 6 - DD 7 сформируется лог . 0, далее этот сигнал с сигналом с вывода 8 DD 3 (лог .1) поступают на выводы 9 и 10 DD 7 , после выполнен ия логической операции на выводе 8 DD 7 сформируется сигнал высокого уровня , т.е . ERR =1, что известит об ошибк е. Вывод : для того чтобы сформировался сигнал ERR =1 достаточно чтобы из промежут очного блока в выходной блок пришел хотя бы один сигнал , равный лог . 1. Расчет параметров : P потр ., быстродействие , надежность Расчет потребляемой мощности изделия ( P потр .) можно определить по формуле : P потр = P потр.ср. i Среднее значение мощности можн о определить по формуле : Pc р. = I пср U пит где I пср - сре днее значени е тока , потребляемого ЛЭ ; U пи т - напряжение питания ЛЭ ; I пср мож но определить по формуле : I пс р = I п + I п /2 В табл . приведены токи потребления ИМС и ток потребления средний рассчитанный п о вышеуказанной формуле. Тип ИМС I п , мА I п , мА I пср , мА КР 1533ЛИ 1 2,4 4,0 3,2 КР 1531ЛЛ 1 8,3 15,5 11,9 К 155ЛЕ 4 16 26 21 КР 531ЛН 1 54 24 39 По этим данным подсчитывается среднее значение мощности потребляемой каждой из м /сх , табл. Тип ИМС P ср , мВт КР 1533ЛИ 1 16 КР 1531ЛЛ 1 59,5 К 155ЛЕ 1 105 КР 531ЛН 1 195 Окончательный подсчет потребляемо й мощности изделия : P потр . = 16 2+59,5 3+105+195=510=0,51 Вт Быстродействие можно определить по формул е : T = t зср где t зср - средн яя задержка , опре деляет среднее время выполнения логических оп ераций , она определяется по формуле : t зср = t з + t з /2 В табл приведены данные по которым подсчитывается t зср , и уже подсчитанное t зср Тип ИМС t з , нс t з , нс t зср , нс КР 1533ЛИ 1 15 15 15 КР 1531ЛЛ 1 5,0 5,5 5,25 К 155ЛЕ 4 11 15 13 КР 531ЛН 1 5 4,5 4,75 По данным из табл .6 можно определить быстродействие изделия : T =15 2+5,25 3+13+4,75=63,5 нс Теперь можно определить максималь ную рабочую частоту , которая определяется по формуле : F =1/ T , F =1/63,5=15,7 МГц Расчет надежности проводится по следующим показателям : интенсивность отказов изделия о бщ. = i о ni где N - число групп “ компонентов надежности ” , имеющих разны е интенсивности отказов ; i о - интенсивность отказов элемента i - ой группы ; ni - количес тво элементов в i - ой группе. время на работки на отказ F =1/ общ. вероятность безотказной работы - общ. t P ( t )= e подсчитывается для t =100,1000,10000 Все это заносится в табл ., для ИМС i о , было взято из [ 4 ] Таблица 7. Группа элементов Интенсивность отказов i о , 1/ч Кол-во элементов n i о n ИМС 8 ,5 10 ^-7 7 59,5 10^-7 C1 0,50 10 ^-6 1 0,50 10 ^ -6 С 2 - С 8 0 ,05 10 ^-6 7 0,35 10 ^-6 пайка 0,005 10^-6 104 0, 52 10 ^ -6 основание ПП 1 10 ^-6 1 1 10^-6 разъем 11 ^ - степень ; C1 - электролитический конденсато р ; С 2-С 8 - керамические конденсаторы. В табл . 8 приведены значения F и P ( t ) для 100,1000,10000. Таблица 8. Группа элементов F, ч P(t), 100 P(t), 1000 P(t), 10000 ИМС 160000 0,9999 0,9994 0,994 С 1 2000000 0,9999 0,9995 0,995 С 2 - С 8 2850000 0,9999 0,9996 0,996 пайка 1900000 0,9999 0,9994 0,994 осн ование ПП 1000000 0,9999 0,999 0,99 разъем 1950000 0,9999 0,9994 0,994 Окончательный расчет надежности ведется н а этапе технического проектирования . Формулы для расчете те же , но при расчете инте нсивности отказов следует учитывать электрически й режим работы ЭРЭ и условия эксплу атации (температура , влажность , вибрация и т.д .). В рамках курсового проекта для учета влияния режима работы рассчитывается коэффиц иент нагрузки K н , а температурный коэффициент берет ся равным 1: i= i о K н Kt= i о K н K н = Нраб ./Нном. где Нраб . - нагрузка на элемент в р абочем режиме ; Нном . - нагрузка в ном инальном режи ме. Коэффициент K н для ИМС определяется по нагру зочной способности : Кн имс = Кразв.раб ./Кразв.ном ; для конденсаторов - через напряжение : K н с = U раб. /U ном. Таблица 9. элемент io, 1/ ч K н i о K н ИМС 8,5 10 ^ -7 0,05 0,43 10 ^-7 C1 0,50 10^-6 0,2 0,1 10^-6 C2 - C8 0,05 10^-6 0,2 0,01 10^-6 Таблица 10. Группа элементов i о n F, ч P(t), 100 P(t), 1000 P(t), 10000 ИМС 3,01 10 ^-7 33 0 0000 0 ,9999 0,9997 0,997 С 1 0,1 10 ^ -6 10000000 0,9999 0,999 0,99 С 1 - С 8 0,07 10 ^-6 100000000 0,99999 0,9999 0,9993 пайка 0,52 10 ^-6 1900000 0,9999 0,9994 0,994 основание ПП 1 10^-6 1000000 0,999 9 0,99 9 0,99 разъем 1950000 0,9999 0,99 94 0,994 2.4. Конструктивный расчет пе чатной платы . Технология изготовления Описание технологии производства. Производство ПП характеризуется большим числом различных механических , фотохимических и химических операций . При производстве ПП можно выделить типовые операции , разработка и осуществление которых производится специал истами различных направлений. Для изготовления ПП был выбран комбинированный позитивный метод. Перечень технологических операций : а ) нарезка заготовок и образование баз овых отверстий - в крупносерийном производстве разрезку материала выполняют методом штамповки в специальных штампах на эксцентриковых прессах с одновременной пробивкой базовых отверстий на технологическом поле ; в серийн ом и мелкосерийном производстве получили широ кое применение одноножевые и много ножевые роликовые ножницы , на которых материал снач ала разрезается на полосы заданной ширины , а за т ем на заготовки , сверление базовых отверстий производится на специализи рованных станках. б ) химическая металлизация ПП заключается в последовательности химических реакций осаж дения меди , используемой в качестве подслоя при нанесении основного слоя токопров о дящего рисунка гальваническим способом . Для п ридания диэлектрику способности к металлизации производят следующие подготовительные операции : сенсибилизация поверхности , имеет целью формир ования на поверхности диэлектрика пленки ионо в двухвалентного олова, являющихся вос становителем для ионов активатора металлизации ; активизация поверхности , производится растворами солей благородных металлов , преимущественно пал ладия , создает на подложке тонкую пленку м еталлического палладия , способствующую последующему оса ж дению меди . Химическое меднение ПП производят в специальных автооператорных линиях с набором ванн необходимого разме ра , выполненных из материалов , выдерживающих в оздействие растворов при их рабочих температу рах. в ) гальваническая металлизация - при произво дстве ПП ее применяют для предварител ьного увеличения тонкого слоя химической меди до толщины 5-8 мкм с целью последующего нанесения на поверхность проводящего рисунка схемы . Металлизируемые платы , закрепленные на специальных подвесках-токоподводах , помещ а ют в гальваническую ванну с электроли том между анодами , выполненными из металла необходимого покрытия . Равномерность толщины га льванического покрытия зависит от : габаритов металлизируемых плат ; диаметром металлизируемых отверстий ; расположение плат в ванне ; рассеивающей способности электролитов ; оптимальной плотности тока. г ) нанесение рисунка схемы на ПП и ли их слои необходимо для получения защит ной маски требуемой конфигурации при осуществ лении процессов металлизации и травления пров одящего рисунка . Наибо льшее распространение в промышленности нашли сеткографический и фотохимический способы нанесения рисунка схемы . В обоих случаях инструментом переноса изоб ражения на плату служат позитивные или не гативные фотошаблоны , выполненные на пленке и ли стекле. д ) уд аление защитной маски после операций травлений или металлизации осуществ ляют химическим или механическим способом . Пр и химическом удалении применяют соответствующие растворители , а при механическом - гидроабрази вную пульпу , подаваемую на поверхность платы под давлением. е ) травление меди с пробельных мест - при изготовлении важнейшим этапом является формирования проводящего рисунка схемы являетс я процесс травления (удаления ) меди с непр оводящих (пробельных ) участков схемы . Травление является сложным окислит ельно-восстановительны м , в котором травильный раствор служит оки слителем . Как правило , травление состоит из операций предварительной очистки меди , способст вующей более равномерному ее удалению , очистк и поверхности диэлектрика и при необходимости осветлени я поверхности металлорезиста . Качество образующегося в результате травлен ия проводящего рисунка зависит от свойств примененного резиста , характеристик травильного раствора и скорости травления . Нанесенный р исунок схемы должен быть четким , сплошным , иметь н е обходимую толщину резиста , устойчивого к выбранному травильному раствору . Если платы изготавливаеют комбинированным п озитивным методом , то после удаления резиста необходимо стравить слой предварительной мет аллизации и фольгу исходного материала . При этом п роводящий рисунок защищен м еталлорезистом. ж ) оплавление металлорезиста - гальванически нанесенный металлорезист олово - свинец имеет пористую структуру , матовый светло-серый оттено к , быстро окисляется , теряя способность к пайке , и создает эффект нависания покрыт ия после травления меди . Для устранения эт их недостатков производят оплавление металлорези ста с помощью инфракрасного излучения в ж идкости или газе . Лучшие результаты оплавлени я достигают при составе покрытия , близком к эвтектическому состоянию спл а ва свинец-олово. з ) При обработке ПП по контуру при меняют два способа ; вырубку штампами и фре зерование . Вырубка плат на эксцентриковых пре ссах с помощью штампов , которые могут форм ировать сложный по форме контур , экономически целесообразна при большом выпу ске пл ат одного типоразмера , когда могут быть оп равданны затраты на изготовление штампов . Фре зирование выполняется на специальных фрезерных станках , работающих по копиру . Этот способ отличается высокой производительностью , дает хорошее качество кромок пла т и точность размеров. и ) маркировку плат осуществляют с помо щью сеткографии , нанесением символов специальными штемпелями , металлизированными символами , выполня емыми одновременно с рисунком схемы , или к раской вручную . Маркировка должна сохранятся в течении всего срока службы , не дол жна стираться или смываться при воздействии моющих растворов , лаков и спиртобензиновой смеси . Маркировка состоит из товарного знак а завода-изготовителя , обозначения платы , заводског о номера , года и месяца выпуска , монтажных знако в и символов , облегчающих сборку узлов и регламентные работы при эк сплуатации. к ) нанесение защитного покрытия на пла ту наносится с помощью кисти или специаль ной распылительной камеры , в качестве защитно го материала может использоваться лак , флюсы ацитонока нифольные или спиртоканифольные. л ) окончательный контроль платы проводитс я либо визуально , либо проверкой отдельных параметров платы . [ 5 ] При рассмотрении конструктивных характеристик плат используются следующие усло вные обозначения : t - ширина печатног о проводника ; S - расстоя ние между печатными проводниками ; S0 - расстояни е между контактными площадками или контактной площадкой и проводником ; b - ширина контактной площадки в узком месте ; d - диаметр отверстия ; d з - диам етр зенковки ; H - толщина ПП ; h Ф - толщина фольги ; Таблица 11. Приведены размеры показателей ПП Элемент Размер , мм t 0,25 S,S0 0,25 b 0,1 0,33 d выв 0,5 d выв . эл . конд. 0,6 d мет 0,8 d з 1,1 d кп 1,7 H 1,5 h ф 0,5
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
После войны Штирлиц вернулся в Москву. Но и здесь он не оставил старых привычек: бесцельно разъезжал в автомобиле, хаживал в ресторанчики, составлял досье на руководителей партии.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по радиоэлектронике "Схемы контроля цифровых устройств", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru