Реферат: Химическая сборка поверхности твердых тел путем молекулярного наслаивания - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Химическая сборка поверхности твердых тел путем молекулярного наслаивания

Банк рефератов / Химия

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 172 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

13 Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Северо-Кавказский государственный технический университет” Кафедра НТМ ЭТ Реферат на тему : « ХИМИЧЕСКАЯ СБОРКА ПОВЕРХНО СТИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ. » Выполнил студент гр . Н 041 Кущиков А.Г. Проверил Кичук С.Н. г. Ставрополь , 2008 ВВ ЕДЕНИЕ Получение принципиально новы х характеристик материалов и изделий , особенн о при создании искусственных структур , основа нных на квантовых эффектах [1-6], невозможно в перспективе без создания новых прецизионных синтетических процессов . Последние в зн а чительной степени связаны с использованием фи зико-химических приемов формирования поверхности заданного химического состава и строения с атомно-молекулярной точностью. Одним из перспективных среди химических подходов в области получения низкоразмерных сис тем является метод молекулярного нас лаивания (МН ). ПРИНЦИПЫ И СИНТЕТИЧЕСКИЕ ВОЗМОЖНО СТИ МЕТОДА МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ Основная идея метода МН , используемого для прецезионного синтеза тве рдых тел регулярного строения , состоит в п оследовательном наращив ании монослоев структу рных единиц заданного химического состава на поверхности твердофазной матрицы [7-12]. Таким обр азом , метод МН относится к так называемому матричному синтезу . Для осуществления указан ного процесса необходимо соблюдение принципов , осно в ными из которых являются сл едующие. 1. Синтез основывается на протекании необ ратимых в условиях эксперимента химических ре акций между функциональными группами на повер хности твердого тела и молекулами подводимого извне реагента . При этом используемые реа ге нты и продукты реакции не должны вступать в химические взаимодействия между собой. 2. Для постепенного наращивания слоя ново го вещества необходимо проводить многократную и попеременную (в заданной последовательности ) обработку последнего парами соответству ю щих соединений . При этом каждый вновь обра зующийся монослой новых функциональных групп должен содержать активные атомы или группы атомов , способные реагировать с новой порци ей того же или иного реагента. 3. Для осуществления реакций в процессе МН необходи мо некоторое структурное соо тветствие между поверхностью исходной твердофазн ой матрицы и данным соединением . Но главно е - это наличие на поверхности как исходно й , так и образующейся в ходе синтеза д остаточного количества функциональных групп (ФГ ) и с таки м взаимным расположением , которое обусловливает возможность возникновения поперечных связей между присоединившимися атом ами для образования трехмерной решетки синтез ируемого твердого вещества. На рис . 1 представлена схема процесса хи мической сборки поверхно сти твердого тела методом МН , иллюстрирующая его синтетические возможности исходя из изложенных принципов . Анализ представленных на рис . 1 схем и полученные в настоящее время экспериментальные данные показывают , что методом МН возможн о осуществлять поатом н ую химическую сборку поверхностных нано -, микро - и макрост руктур путем многократного чередования химически х реакций по заданной программе . Рассмотрим некоторые экспериментальные данные на примере синтеза методом МН оксидных структур на поверхности пористо г о диоксида кр емния - силикагеля. СИНТЕЗ МОНОСЛОЯ , ХИМИЧЕСКИ СВЯЗАННОГО С ПОВЕР ХНОСТЬЮ СИЛИКАГЕЛЯ Как известно , силикагель содержит на поверхности в качестве основных реакционноспособных центров гидроксильные групп ы . Хотя в определенных условиях могут вст упать в реакцию и так называемые с илоксановые мостики Si-O-Si, а также физически сорб ированные молекулы воды . После прогрева при 200?C можно удалить физически сорбированную воду и получить полностью гидроксилированную поверх ность , то есть в этом случае к к аждому атому кремния на поверхности пр исоединены одна или две гидроксильные группы . Будем в дальнейшем изображать в реакциях такую поверхность , как n(Ї Si-OH). Если прогрева ть силикагель выше 200?C, то происходит дегидрокси лирование поверхности за счет кон д енсации ОН-групп у соседних атомов кремния по схеме Таким образом , первой и наиболее важно й стадией МН является подготовка поверхности подложки путем , например , прогрева при за данной температуре (Т 0) с целью получения Ф Г с требуемыми концентрацией и взаимн ы м расположением . Учитывая химические свойства ОН-групп , в качестве реагента , способного актив но взаимодействовать с ними , можно использова ть легкогидролизующиеся вещества . К таким мож но отнести , например , летучие галогениды многи х элементов . Чтобы достав и ть пары реагента к поверхности твердой матрицы , исп ользуют газ-носитель , который не должен содерж ать примесей , способных вступать в химические взаимодействия с поверхностными ФГ , транспор тируемым веществом , а также с продуктами р еакции . Наиболее часто в к а честве газа-носителя применяют азот , аргон , гелий и ли воздух . Основной нежелательной примесью яв ляются пары воды . Поэтому газ-носитель тщатель но осушают , пропуская через адсорберы , заполне нные силикагелем и цеолитом , а синтез осущ ествляют в обогреваемом р е акторе , в нутренний объем которого изолирован от внешне й среды . Процесс проводят в цилиндрическом вертикальном обогреваемом реакторе , куда загруж ают силикагель , прогревают его в потоке ос ушенного газа при 200?C (для удаления физически сорбированной воды ), а затем через слой продувают азот , насыщенный парами гало генида , например SiCl4 . На поверхности протекает р еакция с образованием монослоя кремнийоксохлорид ных групп по схеме Чтобы обеспечить 100%-ное замещение доступных ОН-групп в реакции (2) согласно прин ципа м МН , обработку проводят в условиях максим ального удаления от равновесия . Экспериментально это достигается проведением процесса в н е менее чем трехкратном избытке SiCl4 по срав нению с количеством хемосорбированного по схе ме (2) и удалением из зоны реа к ции газообразного продукта взаимодействия (HCl), способно го при накоплении в реакционной зоне разр ушать связи Si-O-Э (Э = Ti, Cr, P, V, Si). Следующая операция - продувка сухим азотом для удаления избытка SiCl4 , НС 1. Если использовать хлориды других э лем е нтов , то можно получить структу ры , содержащие атомы , отличные от имеющихся в матрице , например : (эту реакцию впервые изучила А.Н . Волк ова ) Число связей с поверхностью , концентрация привитых ФГ в монослое зависят от ко личества и расположения ОН-групп на исх одной поверхности , химической природы реаг ента и будут уменьшаться с увеличением Т 0 по причинам , изложенным выше (см . реакцию (1)). Отметим важнейшую закономерность метода М Н : после замещения протона в составе всех доступных гидроксилов , сколько бы времени ни подавать тот же реагент в ка меру , не удается получить (при соблюдении принципов МН ) более одного монослоя новых ФГ . Это принципиальный вывод , так как во всех известных процессах получения покрытий (пропитка , химическое осаждение , вакуумное напыл ение ) с увеличением времени подачи р еагентов возрастает и толщина слоя . Существен ный момент - проведение процесса в условиях максимального удаления от равновесия . Нарушение этого основополагающего принципа МН приводит к невоспроизводимости продуктов синтеза как п о концентрации , так и по стр уктуре привитых группировок . В специально пос тавленных экспериментах показано , что , во-первых , снижение концентрации хлорида в газовой фа зе ниже определенного порогового значения при водит к неполному использованию ОНгрупп в реа к ции , а во-вторых , превышение о пределенных пороговых значений отношения мольных концентраций хлороводорода и хлорида в г азовой фазе также может приводить к анало гичным результатам и разрушению Si-O-Э-связей. СИНТЕЗ ОКСИДНОГО СЛОЯ ЗАДАННОЙ ТОЛЩИНЫ При нане сении слоя заданной толщины нужно строго соблюдать пр инципы , о которых упоминалось выше , а такж е учитывать свойства поверхности с вновь привитыми ФГ при выборе режимов и реагент ов для нанесения второго и последующих мо нослоев . Необходимо составить програм м у синтеза в зависимости от состава и с труктуры целевого продукта , которая должна вк лючать технологические режимы (температура , концен трация реагентов , время ), набор реагентов и последовательность обработки ими. Рассмотрим возможную программу и пути ее реал изации при синтезе методом МН оксидного слоя заданной толщины . С учетом состава привитых ФГ (см . реакции (2)-(5)) и их химических свойств возможны несколько путе й вторичных превращений на поверхности . При составе групп (Ї Si-O-)2SiCl2 , (Ї Si-O-)2TiCl2 треб у ет ся подобрать такой реагент , который , во-первых , был бы способен заместить хлор-ионы в них и создать новые активные центры , а во-вторых , доставить на место хлора кисло род , так как стоит задача получить на поверхности оксидный слой . Вполне логичным пр едст а вляется использовать на стадии замещения хлор-ионов в качестве реагента па ры воды (донора кислорода ) и активного хло рзамещающего реагента . При обработке парами в оды на поверхности протекают реакции по с хемам Как и при синтезе элементоксохлоридного монослоя , процесс проводят до полного замещения Cl на ОН с последующим удалением избытка физически сорбированной воды и хлоров одорода - газообразного продукта реакций (6, 7), то есть вновь получаем гидроксилированную поверхнос ть , но ОН-группы уже связаны не с ато м ами исходной матрицы , а с атом ами в составе привитых ФГ . Гидроксилированную поверхность вновь обрабатывают парами соотве тствующего хлорида , и образуется второй элеме нтоксохлоридный монослой , например , по схеме Затем вновь продукт реакции (8) может быт ь под вергнут обработке парами воды и т.д . (Реакции (3), (6)-(8) впервые были изучены С.И . Кольцовым .) Таким образом , многократно и попеременно обрабатывая силикагель парами четыреххлористого титана и воды с соблюдением принципов МН удается сформировать на повер хности титаноксидный слой , толщина которого определяет ся числом циклов МН (один цикл в данно м примере включает реакции (3), (7)). Но как пост упить в случае , когда атомов хлора нет в составе привитых ФГ (см . схемы (4), (5))? Один путь - создать хлорсодержа щ ие групп ы , осуществляя реакции с частично дегидроксил ированной поверхностью , например , по схеме А далее по изложенной выше программе , используя в качестве второго реагента па ры Н 2О. Но возможен и другой путь , связанный с окислительно-восстановительными сво йствами трехвалентного фосфора и шестивалентного хрома в составе привитого монослоя . Так , А.Н . Волкова и С.И . Кольцов синтезировали оксидный слой пятивалентного фосфора на силикагеле по следующим реакциям : и затем вновь обрабатывали продукт (11) п арами РС l 3 . Многократно чередуя реакции (4), (10), (11) можно сформировать на поверхности фосфоркисл ородный слой заданной толщины. Используя окислительные свойства хрома в составе групп (Ї Si-O-)2CrO2 , для получения на поверхности гидроксильных групп , способных вс тупать в дальнейшем в реакции с ок сохлоридом хрома (6), продукт реакции (5) обрабатывали восстановителем - молекулярным водородом . При этом на поверхности при 200?C протекала реакция по схеме с образованием трехвалентного хро ма в составе ФГ. Присоединение второго монослоя осуществл яли по реакции продукта Iб с оксохлоридом хрома Восстановление шестивалентного хрома в по лученном продукте IIа водородом по схеме приводит к увеличению концентрации гидроксилов на поверхн ости , что вызывает конденсацию их у соседн их атомов хрома по реакции (продукт IIб ) В дальнейшем процесс МН осуществляют п утем многократного чередования реакций , аналогичн ых (13)-(15). На рис . 2 представлена предполагаемая схе ма продукта (VIб ) после шести циклов МН . При этом наблюдается прямолинейн ая зависи мость уменьшения удельной поверхности образцов с увеличением как концентрации хрома в образцах , так и числа циклов МН (рис . 3). Предложенные схемы реакций (5), (12)-(15) хорошо согласуются с геометрическими соотношениями в образующих ся продуктах, связанными с изменением межатомных расстояний на поверхности в про цессе МН . О ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ СООТНОШЕНИЯХ НА ПОВЕРХНОСТИ ПРИ СИНТЕЗЕ ХРОМОКСИДНОГО СЛОЯ Как известно , в зависимос ти от ориентации кремнекислородных тетраэдров и вследствие их подвижности уг ол Si-O-Si в силикагеле может изменяться от 180? (тридимит ) до 150? (кварц ) и даже 130? (в природных силикат ах ), а расстояние между ОНгруппами на полн остью гидроксилированной поверхности составляет 0,3-0,45 нм . При этом гидроксилы могут принадлежать двум т етраэдрам , либо имеющим общ ую вершину (рис . 4, а ), либо не имеющим ее (рис . 4, б ). Однако такое различие не име ет существенного значения для величины угла Si-O-Si, который близок к 150? (кварц ), если принять расстояние между гидроксилами dOH-OH = = 0,3 н м , а dO-O = 0,162 нм (кварц ). Тетраэдрическая молекула CrO2Cl2 , в которой расстояние dCl-Cl = = 0,354 нм , взаимодейству ет с двумя гидроксилами силикагеля , среднее расстояние между которыми в исходной матри це составляет 0,30-0,36 нм . Примем расстояние межд у атомом хрома и кислорода при образовании Si-O-Cr-связи dCr-O = 0,175 нм (расстояние между атомом хрома и мостиковым кислородом Ом в CrO3). При значении угла Ом-С r-Ом в гру ппах (Ї Si-O-)2CrO2 (рис . 4, в ) 113? ( равен углу Cl-Cr-Cl в тетраэдре С rO2Cl2) dOH-OH = 0,175 i 2 i i sin 56,5? = 0,293 нм , что близко к величине расстояния на поверхности сил икагеля между ОНгруппами , связанными водородными связями (рис . 4, а , б ), то есть происходит незначительное смещение тетраэдров [SiO4]. Как известно , ср еднее расстояние dCr-O в соединениях трехвалентного хрома возрастает по сравнению с соединениями шестивалентного х рома на 0,03-0,04 нм . Поэтому можно считать , что при восстановлении шестивалентного хрома в группах (Ї Si-O-)2CrO2 до трехвалентного с образов а нием группировок (Ї Si-O-)2CrOН расстояние между атомами хрома и кислорода должно увеличиваться до dCr-O = 0,175 + 0,035 = 0,210 нм (как в Cr2O3). Если предположить , что атом хрома в группе (Ї Si-O-)2CrOН (рис . 4, г ) находится в ц ентре равностороннего т реугольника с вершинами [ОН , Ом , Ом ], то расстояние между вершинами кремнекислородных тет раэдров , связанных с хромом , будет равно dOH-OH = 0,21 i 2 i sin 60? = 0,364 нм . Таким образом , в процессе восстан овления групп (Ї Si-O-)2CrO2 т етраэдры [SiO4] вновь незначительно смещаются. При дальнейшем расчете геометрических соо тношений в процессе наращивания оксидного сло я трехвалентного хрома исходили из предположе ния , подтвержденного экспериментальными данными , ч то приращение хрома после вт орого и последующих циклов МН осуществляется за сч ет взаимодействия оксохлорида хрома с ОН-груп пами , связанными с атомами хрома предыдущего слоя . Исходя из предложенных допущений и учитывая прямолинейную зависимость между вел ичиной удельной поверхности (S у д ) и содержанием хрома (СЭ ) (числом циклов МН ) в продуктах (I-VI)б можно рассчитать средние расстояния dCr-Cr , а также dOH-OH в этих образцах до и после конденсации ОН-групп у соседних атомов хрома (табл . 1) по формуле где NA - число Авогадро , а DСЭ - при р ащение концентрации хрома или содержание OHгру пп в образце. Как следует из данных табл . 1, в прод укте Iб резко возрастают расстояния между соседними ОН-группами (0,633 нм ) по сравнению с исходным силикагелем . Конфигурация образующейся п осле восстановления (Ї Si-O-)2CrO2 группировки (рис . 4, г ) не допускае т возможности конденсации гидроксилов у сосед них атомов хрома . А расстояние dOH-OH = = 0,633 нм зна чительно больше , чем dCl-Cl = 0,354 нм в молекуле окс охлорида хрома . Иначе гово ря , присоединение CrO2Cl2 к группам =Cr-ОН на поверхности образца Iб возможно лишь за счет одного атома хлора в молекуле оксохлорида. С образованием продукта IIб на поверхно сти концентрация гидроксилов возрастает , так как образуются группы -Cr(OH)2 (см . ре акцию (15)). При этом среднее расстояние между соседними ОН-группами уменьшается с 0,633 нм (для Iб ) до 0,452 нм (для IIб ) и далее остается практи чески постоянным , составляя в среднем 0,441 нм (табл . 1, рис . 4, д ). В то же время , как показали эксперимента л ьные данные , и менно с продукта IIб начинается конденсация гидроксилов у соседних атомов хрома. Рассмотрим возможность протекания этого п роцесса с точки зрения соответствия межатомны х расстояний . На схеме (рис . 4, д , е ) сторо на равностороннего треугольника представляет собой расстояние dO-O = 0,364 нм при dCr-O = 0,210 нм и угл е OcrO = 120?. Величина dCr-Cr для Iб и IIб практически одинакова (0,636 нм ). Конденсация гидроксилов , распол оженных на расстоянии 0,441 нм (рис . 4, д ), приводи т к образованию группир о вки со связью CrII-O-CrII (рис . 4, е ). Если считать , что конфиг урация групп [CrIIO1/2(OH)2] представляет собой плоский т реугольник с атомом хрома в центре , то этот треугольник равновероятно может располага ться как в плоскости ZX (рис . 4, е ) (в этой плоско с ти находится и треугольник [CrIO3/2] предыдущего монослоя в продукте Iб ), так и в плоскости ZY (рис . 4, ж ). Тогда при конденсации ОН-групп у сосед них атомов хрома происходит сближение треугол ьников с атомом CrII в центре в продукте IIб либо в плоскости ZX (рис . 4, е ), либо в плоскости ZY (рис . 4, ж ), а угол CrIOCrII уменьш ается со 180? (рис . 4, д ) до 120? (рис . 4, е , ж ). П ри этом dOH-OH = 0,629 нм в продукте IIб , что приме рно соответствует расстоянию dCr-Cr в продукте Iб , то есть ОНгруппы располагаются над атомами хрома предыдущего слоя . Из соо бражений симметрии при образовании продукта III б треугольник с вершинами [O1/2(OH)2] с атомом хро ма CrIII в центре будет , по-видимому , располагаться в плоскости , перпендикулярной той , в кото рой находится группа [CrIIO 3 /2] в образце IIб . Тогда после конденсации ОН-групп строе ние продукта IIIб в зависимости от располож ения треугольников с вершинами [O3/2] в продуктах Iб и IIб можно представить в виде с хем на рис . 5, а , б , где средние расстояни я между ОН-группами и атомам и хром а , а также углы CrOCr близки к аналогичным значениям в образце IIб . Можно показать , что и в дальнейшем сохраняются одинаковыми с редние значения указанных величин , а каждый треугольник с вершинами [O3/2] i-го слоя лежит в плоскости , перпендикулярной п о добн ому треугольнику (i - 1)-слоя , как это видно из рис . 5, в. Приведенные рассуждения и схемы на рис . 4, 5 позволяют полагать , что по мере наслаив ания происходит образование связей Cr-O-Cr между со седними атомами хрома , находящимися как в одной плоскости, так и в параллельных плоскостях , то есть в процессе МН форми руется трехмерная оксидная структура трехвалентн ого хрома , химическая проекция которой предст авлена на рис . 2. Для создания многокомпонентных монослоев , а также структур с чередующими ся слоями з а данной химической прир оды , как следует из рис . 1, б , в и ана лиза представленных экспериментальных данных , на разных стадиях МН необходимо использовать различные реагенты . Рассмотренные в статье подходы для реа лизации метода МН на примере синтеза окси дных структур на поверхности силикагеля могут быть и были реализованы с использов анием твердофазных матриц другой химической п рироды (оксиды алюминия , цинка , магния и т.д ., карбид кремния , нитрид бора , кремний , арсе нид галлия , металлы никель , железо , медь , ст е к ла , полимерные материалы ), различной геометрической формы (дисперсные частицы , волок на , пластины , заготовки и изделия сложной конфигурации ). При этом были синтезированы не только оксидные , но и сульфидные , углерод ные , нитридные , карбидные , металлические м о но - и полислои элементов II-VII групп Период ической системы на поверхности различных твер дофазных матриц [7-10, 12]. С достаточной степенью обо снованности можно утверждать о возможности со здания на принципах метода МН универсальной технологии для получени я материалов различного функционального назначения. ЛИТЕРАТУРА 1. Лифшиц В.Г . Поверхностные фазы и выращивание микроэлектронных структур на кремнии // Соросо вский Образовательный Журнал . 1997. № 2. С . 107-115. 2. Трубецкой Д.И . Вакуумная микроэлектроника // Там же . № 4. С . 58-65. 3. Демиховский В.Я . Квантовые ямы , нити , точки : Что это такое ? // Там же . № 5. С . 80-86. 4. Шик А.Я . Квантовые нити // Там же . С . 87-92. 5. Белявский Ц.И . Экситоны в низкоразмерных системах // Там же . С . 93-99. 6. Борисенко В.Е . Наноэлектроника - основа информационных систем XXI века // Там же . С . 100-104. 7. Алесковский В.Б . Химия надмолекулярных с оединений : Учеб . пособие . СПб .: Изд-во С.-Петербург . ун-та , 1996. 256 с . 8. Кольцов С.И . Химическое конструирование твердых веществ . Л .: Изд-во ЛТИ им . Ленс овета , 1990. 48 с. 9. Малыгин А.А . Химическая сборка материало в с заданными свойствами : Текст лекций . Л .: ЛТИ им . Ленсовета , 1986. 51 с . 10. Алехин А.П . Физико-химические основы суб микронной технологии . М .: МИФИ , 1996. 178 с. 11. Ма лыгин А.А ., Ежовский Ю.К . Оборудо вание процесса химической сборки материалов : Учеб . пособие . Л .: ЛТИ им . Ленсовета , 1987. 96 с . 12. Малыгин А.А . // Журн . прикл . химии . 1996. Т . 69, № 10. С . 1419-1426.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Когда очень красивая девушка вошла в дорогой бутик, раздался щелчок...
Это у продавца поменялась ориентация.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по химии "Химическая сборка поверхности твердых тел путем молекулярного наслаивания", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru