Реферат: Химическая сборка поверхности твердых тел путем молекулярного наслаивания - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Химическая сборка поверхности твердых тел путем молекулярного наслаивания

Банк рефератов / Химия

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 172 kb, скачать бесплатно
Обойти Антиплагиат
Повысьте уникальность файла до 80-100% здесь.
Промокод referatbank - cкидка 20%!
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

13 Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Северо-Кавказский государственный технический университет” Кафедра НТМ ЭТ Реферат на тему : « ХИМИЧЕСКАЯ СБОРКА ПОВЕРХНО СТИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ. » Выполнил студент гр . Н 041 Кущиков А.Г. Проверил Кичук С.Н. г. Ставрополь , 2008 ВВ ЕДЕНИЕ Получение принципиально новы х характеристик материалов и изделий , особенн о при создании искусственных структур , основа нных на квантовых эффектах [1-6], невозможно в перспективе без создания новых прецизионных синтетических процессов . Последние в зн а чительной степени связаны с использованием фи зико-химических приемов формирования поверхности заданного химического состава и строения с атомно-молекулярной точностью. Одним из перспективных среди химических подходов в области получения низкоразмерных сис тем является метод молекулярного нас лаивания (МН ). ПРИНЦИПЫ И СИНТЕТИЧЕСКИЕ ВОЗМОЖНО СТИ МЕТОДА МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ Основная идея метода МН , используемого для прецезионного синтеза тве рдых тел регулярного строения , состоит в п оследовательном наращив ании монослоев структу рных единиц заданного химического состава на поверхности твердофазной матрицы [7-12]. Таким обр азом , метод МН относится к так называемому матричному синтезу . Для осуществления указан ного процесса необходимо соблюдение принципов , осно в ными из которых являются сл едующие. 1. Синтез основывается на протекании необ ратимых в условиях эксперимента химических ре акций между функциональными группами на повер хности твердого тела и молекулами подводимого извне реагента . При этом используемые реа ге нты и продукты реакции не должны вступать в химические взаимодействия между собой. 2. Для постепенного наращивания слоя ново го вещества необходимо проводить многократную и попеременную (в заданной последовательности ) обработку последнего парами соответству ю щих соединений . При этом каждый вновь обра зующийся монослой новых функциональных групп должен содержать активные атомы или группы атомов , способные реагировать с новой порци ей того же или иного реагента. 3. Для осуществления реакций в процессе МН необходи мо некоторое структурное соо тветствие между поверхностью исходной твердофазн ой матрицы и данным соединением . Но главно е - это наличие на поверхности как исходно й , так и образующейся в ходе синтеза д остаточного количества функциональных групп (ФГ ) и с таки м взаимным расположением , которое обусловливает возможность возникновения поперечных связей между присоединившимися атом ами для образования трехмерной решетки синтез ируемого твердого вещества. На рис . 1 представлена схема процесса хи мической сборки поверхно сти твердого тела методом МН , иллюстрирующая его синтетические возможности исходя из изложенных принципов . Анализ представленных на рис . 1 схем и полученные в настоящее время экспериментальные данные показывают , что методом МН возможн о осуществлять поатом н ую химическую сборку поверхностных нано -, микро - и макрост руктур путем многократного чередования химически х реакций по заданной программе . Рассмотрим некоторые экспериментальные данные на примере синтеза методом МН оксидных структур на поверхности пористо г о диоксида кр емния - силикагеля. СИНТЕЗ МОНОСЛОЯ , ХИМИЧЕСКИ СВЯЗАННОГО С ПОВЕР ХНОСТЬЮ СИЛИКАГЕЛЯ Как известно , силикагель содержит на поверхности в качестве основных реакционноспособных центров гидроксильные групп ы . Хотя в определенных условиях могут вст упать в реакцию и так называемые с илоксановые мостики Si-O-Si, а также физически сорб ированные молекулы воды . После прогрева при 200?C можно удалить физически сорбированную воду и получить полностью гидроксилированную поверх ность , то есть в этом случае к к аждому атому кремния на поверхности пр исоединены одна или две гидроксильные группы . Будем в дальнейшем изображать в реакциях такую поверхность , как n(Ї Si-OH). Если прогрева ть силикагель выше 200?C, то происходит дегидрокси лирование поверхности за счет кон д енсации ОН-групп у соседних атомов кремния по схеме Таким образом , первой и наиболее важно й стадией МН является подготовка поверхности подложки путем , например , прогрева при за данной температуре (Т 0) с целью получения Ф Г с требуемыми концентрацией и взаимн ы м расположением . Учитывая химические свойства ОН-групп , в качестве реагента , способного актив но взаимодействовать с ними , можно использова ть легкогидролизующиеся вещества . К таким мож но отнести , например , летучие галогениды многи х элементов . Чтобы достав и ть пары реагента к поверхности твердой матрицы , исп ользуют газ-носитель , который не должен содерж ать примесей , способных вступать в химические взаимодействия с поверхностными ФГ , транспор тируемым веществом , а также с продуктами р еакции . Наиболее часто в к а честве газа-носителя применяют азот , аргон , гелий и ли воздух . Основной нежелательной примесью яв ляются пары воды . Поэтому газ-носитель тщатель но осушают , пропуская через адсорберы , заполне нные силикагелем и цеолитом , а синтез осущ ествляют в обогреваемом р е акторе , в нутренний объем которого изолирован от внешне й среды . Процесс проводят в цилиндрическом вертикальном обогреваемом реакторе , куда загруж ают силикагель , прогревают его в потоке ос ушенного газа при 200?C (для удаления физически сорбированной воды ), а затем через слой продувают азот , насыщенный парами гало генида , например SiCl4 . На поверхности протекает р еакция с образованием монослоя кремнийоксохлорид ных групп по схеме Чтобы обеспечить 100%-ное замещение доступных ОН-групп в реакции (2) согласно прин ципа м МН , обработку проводят в условиях максим ального удаления от равновесия . Экспериментально это достигается проведением процесса в н е менее чем трехкратном избытке SiCl4 по срав нению с количеством хемосорбированного по схе ме (2) и удалением из зоны реа к ции газообразного продукта взаимодействия (HCl), способно го при накоплении в реакционной зоне разр ушать связи Si-O-Э (Э = Ti, Cr, P, V, Si). Следующая операция - продувка сухим азотом для удаления избытка SiCl4 , НС 1. Если использовать хлориды других э лем е нтов , то можно получить структу ры , содержащие атомы , отличные от имеющихся в матрице , например : (эту реакцию впервые изучила А.Н . Волк ова ) Число связей с поверхностью , концентрация привитых ФГ в монослое зависят от ко личества и расположения ОН-групп на исх одной поверхности , химической природы реаг ента и будут уменьшаться с увеличением Т 0 по причинам , изложенным выше (см . реакцию (1)). Отметим важнейшую закономерность метода М Н : после замещения протона в составе всех доступных гидроксилов , сколько бы времени ни подавать тот же реагент в ка меру , не удается получить (при соблюдении принципов МН ) более одного монослоя новых ФГ . Это принципиальный вывод , так как во всех известных процессах получения покрытий (пропитка , химическое осаждение , вакуумное напыл ение ) с увеличением времени подачи р еагентов возрастает и толщина слоя . Существен ный момент - проведение процесса в условиях максимального удаления от равновесия . Нарушение этого основополагающего принципа МН приводит к невоспроизводимости продуктов синтеза как п о концентрации , так и по стр уктуре привитых группировок . В специально пос тавленных экспериментах показано , что , во-первых , снижение концентрации хлорида в газовой фа зе ниже определенного порогового значения при водит к неполному использованию ОНгрупп в реа к ции , а во-вторых , превышение о пределенных пороговых значений отношения мольных концентраций хлороводорода и хлорида в г азовой фазе также может приводить к анало гичным результатам и разрушению Si-O-Э-связей. СИНТЕЗ ОКСИДНОГО СЛОЯ ЗАДАННОЙ ТОЛЩИНЫ При нане сении слоя заданной толщины нужно строго соблюдать пр инципы , о которых упоминалось выше , а такж е учитывать свойства поверхности с вновь привитыми ФГ при выборе режимов и реагент ов для нанесения второго и последующих мо нослоев . Необходимо составить програм м у синтеза в зависимости от состава и с труктуры целевого продукта , которая должна вк лючать технологические режимы (температура , концен трация реагентов , время ), набор реагентов и последовательность обработки ими. Рассмотрим возможную программу и пути ее реал изации при синтезе методом МН оксидного слоя заданной толщины . С учетом состава привитых ФГ (см . реакции (2)-(5)) и их химических свойств возможны несколько путе й вторичных превращений на поверхности . При составе групп (Ї Si-O-)2SiCl2 , (Ї Si-O-)2TiCl2 треб у ет ся подобрать такой реагент , который , во-первых , был бы способен заместить хлор-ионы в них и создать новые активные центры , а во-вторых , доставить на место хлора кисло род , так как стоит задача получить на поверхности оксидный слой . Вполне логичным пр едст а вляется использовать на стадии замещения хлор-ионов в качестве реагента па ры воды (донора кислорода ) и активного хло рзамещающего реагента . При обработке парами в оды на поверхности протекают реакции по с хемам Как и при синтезе элементоксохлоридного монослоя , процесс проводят до полного замещения Cl на ОН с последующим удалением избытка физически сорбированной воды и хлоров одорода - газообразного продукта реакций (6, 7), то есть вновь получаем гидроксилированную поверхнос ть , но ОН-группы уже связаны не с ато м ами исходной матрицы , а с атом ами в составе привитых ФГ . Гидроксилированную поверхность вновь обрабатывают парами соотве тствующего хлорида , и образуется второй элеме нтоксохлоридный монослой , например , по схеме Затем вновь продукт реакции (8) может быт ь под вергнут обработке парами воды и т.д . (Реакции (3), (6)-(8) впервые были изучены С.И . Кольцовым .) Таким образом , многократно и попеременно обрабатывая силикагель парами четыреххлористого титана и воды с соблюдением принципов МН удается сформировать на повер хности титаноксидный слой , толщина которого определяет ся числом циклов МН (один цикл в данно м примере включает реакции (3), (7)). Но как пост упить в случае , когда атомов хлора нет в составе привитых ФГ (см . схемы (4), (5))? Один путь - создать хлорсодержа щ ие групп ы , осуществляя реакции с частично дегидроксил ированной поверхностью , например , по схеме А далее по изложенной выше программе , используя в качестве второго реагента па ры Н 2О. Но возможен и другой путь , связанный с окислительно-восстановительными сво йствами трехвалентного фосфора и шестивалентного хрома в составе привитого монослоя . Так , А.Н . Волкова и С.И . Кольцов синтезировали оксидный слой пятивалентного фосфора на силикагеле по следующим реакциям : и затем вновь обрабатывали продукт (11) п арами РС l 3 . Многократно чередуя реакции (4), (10), (11) можно сформировать на поверхности фосфоркисл ородный слой заданной толщины. Используя окислительные свойства хрома в составе групп (Ї Si-O-)2CrO2 , для получения на поверхности гидроксильных групп , способных вс тупать в дальнейшем в реакции с ок сохлоридом хрома (6), продукт реакции (5) обрабатывали восстановителем - молекулярным водородом . При этом на поверхности при 200?C протекала реакция по схеме с образованием трехвалентного хро ма в составе ФГ. Присоединение второго монослоя осуществл яли по реакции продукта Iб с оксохлоридом хрома Восстановление шестивалентного хрома в по лученном продукте IIа водородом по схеме приводит к увеличению концентрации гидроксилов на поверхн ости , что вызывает конденсацию их у соседн их атомов хрома по реакции (продукт IIб ) В дальнейшем процесс МН осуществляют п утем многократного чередования реакций , аналогичн ых (13)-(15). На рис . 2 представлена предполагаемая схе ма продукта (VIб ) после шести циклов МН . При этом наблюдается прямолинейн ая зависи мость уменьшения удельной поверхности образцов с увеличением как концентрации хрома в образцах , так и числа циклов МН (рис . 3). Предложенные схемы реакций (5), (12)-(15) хорошо согласуются с геометрическими соотношениями в образующих ся продуктах, связанными с изменением межатомных расстояний на поверхности в про цессе МН . О ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ СООТНОШЕНИЯХ НА ПОВЕРХНОСТИ ПРИ СИНТЕЗЕ ХРОМОКСИДНОГО СЛОЯ Как известно , в зависимос ти от ориентации кремнекислородных тетраэдров и вследствие их подвижности уг ол Si-O-Si в силикагеле может изменяться от 180? (тридимит ) до 150? (кварц ) и даже 130? (в природных силикат ах ), а расстояние между ОНгруппами на полн остью гидроксилированной поверхности составляет 0,3-0,45 нм . При этом гидроксилы могут принадлежать двум т етраэдрам , либо имеющим общ ую вершину (рис . 4, а ), либо не имеющим ее (рис . 4, б ). Однако такое различие не име ет существенного значения для величины угла Si-O-Si, который близок к 150? (кварц ), если принять расстояние между гидроксилами dOH-OH = = 0,3 н м , а dO-O = 0,162 нм (кварц ). Тетраэдрическая молекула CrO2Cl2 , в которой расстояние dCl-Cl = = 0,354 нм , взаимодейству ет с двумя гидроксилами силикагеля , среднее расстояние между которыми в исходной матри це составляет 0,30-0,36 нм . Примем расстояние межд у атомом хрома и кислорода при образовании Si-O-Cr-связи dCr-O = 0,175 нм (расстояние между атомом хрома и мостиковым кислородом Ом в CrO3). При значении угла Ом-С r-Ом в гру ппах (Ї Si-O-)2CrO2 (рис . 4, в ) 113? ( равен углу Cl-Cr-Cl в тетраэдре С rO2Cl2) dOH-OH = 0,175 i 2 i i sin 56,5? = 0,293 нм , что близко к величине расстояния на поверхности сил икагеля между ОНгруппами , связанными водородными связями (рис . 4, а , б ), то есть происходит незначительное смещение тетраэдров [SiO4]. Как известно , ср еднее расстояние dCr-O в соединениях трехвалентного хрома возрастает по сравнению с соединениями шестивалентного х рома на 0,03-0,04 нм . Поэтому можно считать , что при восстановлении шестивалентного хрома в группах (Ї Si-O-)2CrO2 до трехвалентного с образов а нием группировок (Ї Si-O-)2CrOН расстояние между атомами хрома и кислорода должно увеличиваться до dCr-O = 0,175 + 0,035 = 0,210 нм (как в Cr2O3). Если предположить , что атом хрома в группе (Ї Si-O-)2CrOН (рис . 4, г ) находится в ц ентре равностороннего т реугольника с вершинами [ОН , Ом , Ом ], то расстояние между вершинами кремнекислородных тет раэдров , связанных с хромом , будет равно dOH-OH = 0,21 i 2 i sin 60? = 0,364 нм . Таким образом , в процессе восстан овления групп (Ї Si-O-)2CrO2 т етраэдры [SiO4] вновь незначительно смещаются. При дальнейшем расчете геометрических соо тношений в процессе наращивания оксидного сло я трехвалентного хрома исходили из предположе ния , подтвержденного экспериментальными данными , ч то приращение хрома после вт орого и последующих циклов МН осуществляется за сч ет взаимодействия оксохлорида хрома с ОН-груп пами , связанными с атомами хрома предыдущего слоя . Исходя из предложенных допущений и учитывая прямолинейную зависимость между вел ичиной удельной поверхности (S у д ) и содержанием хрома (СЭ ) (числом циклов МН ) в продуктах (I-VI)б можно рассчитать средние расстояния dCr-Cr , а также dOH-OH в этих образцах до и после конденсации ОН-групп у соседних атомов хрома (табл . 1) по формуле где NA - число Авогадро , а DСЭ - при р ащение концентрации хрома или содержание OHгру пп в образце. Как следует из данных табл . 1, в прод укте Iб резко возрастают расстояния между соседними ОН-группами (0,633 нм ) по сравнению с исходным силикагелем . Конфигурация образующейся п осле восстановления (Ї Si-O-)2CrO2 группировки (рис . 4, г ) не допускае т возможности конденсации гидроксилов у сосед них атомов хрома . А расстояние dOH-OH = = 0,633 нм зна чительно больше , чем dCl-Cl = 0,354 нм в молекуле окс охлорида хрома . Иначе гово ря , присоединение CrO2Cl2 к группам =Cr-ОН на поверхности образца Iб возможно лишь за счет одного атома хлора в молекуле оксохлорида. С образованием продукта IIб на поверхно сти концентрация гидроксилов возрастает , так как образуются группы -Cr(OH)2 (см . ре акцию (15)). При этом среднее расстояние между соседними ОН-группами уменьшается с 0,633 нм (для Iб ) до 0,452 нм (для IIб ) и далее остается практи чески постоянным , составляя в среднем 0,441 нм (табл . 1, рис . 4, д ). В то же время , как показали эксперимента л ьные данные , и менно с продукта IIб начинается конденсация гидроксилов у соседних атомов хрома. Рассмотрим возможность протекания этого п роцесса с точки зрения соответствия межатомны х расстояний . На схеме (рис . 4, д , е ) сторо на равностороннего треугольника представляет собой расстояние dO-O = 0,364 нм при dCr-O = 0,210 нм и угл е OcrO = 120?. Величина dCr-Cr для Iб и IIб практически одинакова (0,636 нм ). Конденсация гидроксилов , распол оженных на расстоянии 0,441 нм (рис . 4, д ), приводи т к образованию группир о вки со связью CrII-O-CrII (рис . 4, е ). Если считать , что конфиг урация групп [CrIIO1/2(OH)2] представляет собой плоский т реугольник с атомом хрома в центре , то этот треугольник равновероятно может располага ться как в плоскости ZX (рис . 4, е ) (в этой плоско с ти находится и треугольник [CrIO3/2] предыдущего монослоя в продукте Iб ), так и в плоскости ZY (рис . 4, ж ). Тогда при конденсации ОН-групп у сосед них атомов хрома происходит сближение треугол ьников с атомом CrII в центре в продукте IIб либо в плоскости ZX (рис . 4, е ), либо в плоскости ZY (рис . 4, ж ), а угол CrIOCrII уменьш ается со 180? (рис . 4, д ) до 120? (рис . 4, е , ж ). П ри этом dOH-OH = 0,629 нм в продукте IIб , что приме рно соответствует расстоянию dCr-Cr в продукте Iб , то есть ОНгруппы располагаются над атомами хрома предыдущего слоя . Из соо бражений симметрии при образовании продукта III б треугольник с вершинами [O1/2(OH)2] с атомом хро ма CrIII в центре будет , по-видимому , располагаться в плоскости , перпендикулярной той , в кото рой находится группа [CrIIO 3 /2] в образце IIб . Тогда после конденсации ОН-групп строе ние продукта IIIб в зависимости от располож ения треугольников с вершинами [O3/2] в продуктах Iб и IIб можно представить в виде с хем на рис . 5, а , б , где средние расстояни я между ОН-группами и атомам и хром а , а также углы CrOCr близки к аналогичным значениям в образце IIб . Можно показать , что и в дальнейшем сохраняются одинаковыми с редние значения указанных величин , а каждый треугольник с вершинами [O3/2] i-го слоя лежит в плоскости , перпендикулярной п о добн ому треугольнику (i - 1)-слоя , как это видно из рис . 5, в. Приведенные рассуждения и схемы на рис . 4, 5 позволяют полагать , что по мере наслаив ания происходит образование связей Cr-O-Cr между со седними атомами хрома , находящимися как в одной плоскости, так и в параллельных плоскостях , то есть в процессе МН форми руется трехмерная оксидная структура трехвалентн ого хрома , химическая проекция которой предст авлена на рис . 2. Для создания многокомпонентных монослоев , а также структур с чередующими ся слоями з а данной химической прир оды , как следует из рис . 1, б , в и ана лиза представленных экспериментальных данных , на разных стадиях МН необходимо использовать различные реагенты . Рассмотренные в статье подходы для реа лизации метода МН на примере синтеза окси дных структур на поверхности силикагеля могут быть и были реализованы с использов анием твердофазных матриц другой химической п рироды (оксиды алюминия , цинка , магния и т.д ., карбид кремния , нитрид бора , кремний , арсе нид галлия , металлы никель , железо , медь , ст е к ла , полимерные материалы ), различной геометрической формы (дисперсные частицы , волок на , пластины , заготовки и изделия сложной конфигурации ). При этом были синтезированы не только оксидные , но и сульфидные , углерод ные , нитридные , карбидные , металлические м о но - и полислои элементов II-VII групп Период ической системы на поверхности различных твер дофазных матриц [7-10, 12]. С достаточной степенью обо снованности можно утверждать о возможности со здания на принципах метода МН универсальной технологии для получени я материалов различного функционального назначения. ЛИТЕРАТУРА 1. Лифшиц В.Г . Поверхностные фазы и выращивание микроэлектронных структур на кремнии // Соросо вский Образовательный Журнал . 1997. № 2. С . 107-115. 2. Трубецкой Д.И . Вакуумная микроэлектроника // Там же . № 4. С . 58-65. 3. Демиховский В.Я . Квантовые ямы , нити , точки : Что это такое ? // Там же . № 5. С . 80-86. 4. Шик А.Я . Квантовые нити // Там же . С . 87-92. 5. Белявский Ц.И . Экситоны в низкоразмерных системах // Там же . С . 93-99. 6. Борисенко В.Е . Наноэлектроника - основа информационных систем XXI века // Там же . С . 100-104. 7. Алесковский В.Б . Химия надмолекулярных с оединений : Учеб . пособие . СПб .: Изд-во С.-Петербург . ун-та , 1996. 256 с . 8. Кольцов С.И . Химическое конструирование твердых веществ . Л .: Изд-во ЛТИ им . Ленс овета , 1990. 48 с. 9. Малыгин А.А . Химическая сборка материало в с заданными свойствами : Текст лекций . Л .: ЛТИ им . Ленсовета , 1986. 51 с . 10. Алехин А.П . Физико-химические основы суб микронной технологии . М .: МИФИ , 1996. 178 с. 11. Ма лыгин А.А ., Ежовский Ю.К . Оборудо вание процесса химической сборки материалов : Учеб . пособие . Л .: ЛТИ им . Ленсовета , 1987. 96 с . 12. Малыгин А.А . // Журн . прикл . химии . 1996. Т . 69, № 10. С . 1419-1426.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Лучшая защита - это нападение, поэтому вместо "объяснительной" всегда пиши "докладная"...
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по химии "Химическая сборка поверхности твердых тел путем молекулярного наслаивания", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2017
Рейтинг@Mail.ru