Реферат: Моделирование структур элементов БИС - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Моделирование структур элементов БИС

Банк рефератов / Программирование

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 431 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС Физико- тополог ическое моделирование структур элементов БИС является неотъемлемой составной частью современн ых САПР БИС . На этапе проектирования модел ирование элементной базы позволяет решить воп росы , связанные с оптимизацией структурных и топологических решений и нтегральных структур элементов БИС для достижения макс имальной плотности компоновки , максимального быст родействия и минимальной потребляемой мощности . Методы анализа и соответствующее прикладное математическое обеспечение являются основным и нструментом ра з работчика современных БИС и СБИС . Физико-топологическое моделирование основано на использовании математических моделей , численны х методов решения дифференциальных уравнений с учетом результатов расчета и эксперименталь ных данных. Физико-математическую осн ову моделировани я интегральных компонентов составляют фундамента льные уравнения переноса электронов и дырок в полупроводниках . Непосредственно эти уравн ения ввиду чрезвычайной сложности и громоздко сти их численного интегрирования имеют ограни ченное примен е ние . Это делает нево зможным решение задачи проектирования интегральн ых элементов на единой модельной и алгори тмической основе и приводит к необходимости ее разделения на более простые задачи . В настоящее время в практике проектировани я используется большо е число просты х и экономичных моделей , эффективных для о пределенных типов элементов , а также для к онкретных этапов их проектирования . Эти модел и отличаются принятыми допущениями , размерностью , системами независимых переменных , видами кра евых задач и алгори т мами их р ешения . Для эксплуатации программ и интерпретации полученных результатов необходимо прежде все го понимание используемых моделей , поэтому в данном учебном пособии значительное внимание уделяется выводу основных модельных уравнени й . Принятая послед овательность изложения позволяет овладеть основами физико-топологического моделирования , а не просто дает определенну ю сумму знаний . Основные задачи моделирования интегральных структур . Уровни мод елирования В связи с постоянной разр аботкой новой элемен тной базы БИС нео бходимы методы модели ования позволяющие поср едством численных экпи pементов на ЭВМ уст анавливать количественные зависимости между элек трофизическими , топологическими па pаметрами интег pальных ст pукту p и множеством их экспл уатационных парам е т pов с учетом сложных взаимодействий в конкретных БИС . При этом решаются основные задачи : 1) ис следование физических процессов в технологически х установках ; 2) исследование физических процессов в объеме и на поверхности интегральных структур при внешних в оздействиях ; 3) исс ледование электрических взаимодействий полупроводник овых приборов в составе БИС . Моделирование физических процессов в технологических установ ках позволяет получить , в частности , количеств енные характеристики пол п оводниковых интег pальн ы х ст pуктур . Таким характеристикам прежде всего относя тся распределение концентраций легирующих примес ей в эпитаксиальныхп ионно-легированных и диф фузионных слоях , толщины таких слоев и дру гие элект pофизические парамет pы . Они являю тся исходными данными для проектирования элементов БИС . Следует отметить , что моделир ование технологических процессов является важным , но не единственным источником данных , ко торые используются на следующем этапе проекти рования . Моделирование физических процессов в инте гральных с труктурах элементов необходимо для : 1) исследования физики процессбв , протекающих в принципиально новых элементах БИС ; 2) иссле дования новых конструктивно-технологических вариантов компонентов (в частности , компонентов с с убмикронными размерами ) и экстрем а льн ых режимов их работы ; 3) определения параметров эквивалентных электрических схем . В результа те должны быть определены структурные и т опологические параметры элементов БИС . К ст pуктурным параметрам относятся такие геометриче ские размеры и п pиборов , как т олщины областей , глубины залегания р -n- переходов , концентрации п pимесей в ст pукту pе Топологическими параметрами являются геоме трические размеры областей прибора в плоскост и pабочей пове pхности БИС , конфигу pации электродов и взаимное pасположение рабочих о б ластей . Задачи , стоящие перед разработчиком на данном у pовне проектирования , решаются мето дом так называемого численного эксперимента н ад моделями объектов проектирования , п pоводим ого с помощью ЭВМ численные экспе pименты по исследованию физики работы прин ци пиально новых элементов являются одним из наиболее эффективных средств , используемых разр аботчиком . Альтернативой численному эксперименту в данном случае является технологический эксп еримент . Однако технологические эксперименты сопр яжены с большими затр а тами средст в и времени. В эволюции структур элементов БИС име ется постоянно действующая тенденция -- меньшение геометрических азмеров (топологических и стр уктурных ). В связи с этим необходимо прогн озировать количественное улучшение тех или ин ых эксплуатаци онных характеристик элементов БИС при уменьшении размеров их структур . Эта задача становится все более актуальн ой , поскольку уменьшение геометрических размеров достигается ценой больших затрат . В резул ьтате моделирования физических процессов могут быть оп р еделены статические и намические ха pактеистики и парамет ы элем ентов БИС . К основным характеристикам элемент ов относятся входные и выходные вольт-амперны е характеристики , коэффициенты усиления , времена задержки переключения , рабочие частоты и т . п . Однако высокие значения параме тров элементов , полученные в результате модел ирования физических процессов в элементах , ещ е не гарантируют их эффективной работы в составе БИС . Дело в том , что эксплуата ционные ха pакте pистики БИС определяются н е только па pамет pами с о бствен но элементов , но и в значительно мере организацией БИС , в частности видом их вну трисхемных соединений , средствами изоляции и т . п . При освоении метода электронной литографи и ставится задача определения степени увеличе ния быстродействия при его испол ьзовании в БИС определенного класса . Для решения подобной задачи необходимо , как минимум м одели pование технологических процесов с целью расчета па pаметров структуры элементов (п ервая часть задачи ). В частности , следует п ровести модели pование те pмических о п е pаций и опе pации легирования . мен ьшение топологических размеров , обусловленное исп ользованием электронной литографии , в соответстви и с принципом пропорциональной миниатюризации влечет за собой и снижение структурных размеров (толщин слоев и глубин залега н ия р -n-переходов ). Поэтому такое моделирование необходимо дл я получения исходных данных , в частности р аспределения концентраций легирующих примесей , пр и моделировании на приборном уровне . На сл едующем у pовне модели pования (вто pая ч асть задачи ) исследуют о собенности функци они pования элементов с субмикронными разме pами с целью получения количественных парам етров статических вольт-ампе pных характеристик и динамических па pамет pов. Следует подчеркнуть , что результаты этих численных экспериментов носят относител ь ный характер . На т pетьем уровне моделировр ния (т pетья часть задачи ) исследуют электр ические характеристики приборов с учетом взаи модеийствия между элелементами на модели БИС в целом или на ее ф pагменте . Таки м образом , получают количественные данные (абс о л ютные значения ) по быстродействию , энергетические параметры и другие эксплуатацио нные характеристики . На основании полученных данных можно сделать аргументированные выводы о целесообразности применения технологических новшеств для конкретного изделия . Ие pа pхическая система моделей , используемых в САПР элементов БИ С Сложившееся в практике проектирования раз деление труда между разработчиками БИС , с одной стороны , и учет реальных возможностей современных ЭВМ -- с другой , диктуют иной метод моделирования . О бщепринятым в насто ящее время является метод , согласно которому на азличных у овнях модели гния испо льзуют различные модели . Это о еспечивает достижение разумного компромисса : сложность модел и -точность моделирования . Кроме того , такой метод позволяет дос т аточно гибко и оперативно проводить сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными и уточнять исходные значения , т . е . осуществля ть итерационный процесс оптимизации приборных структур по элект pофизическим парамет pам с учетом заданных эле к трических па pамет pов , п pинятых ог pаничений . Эт от метод позволяет также соразмерять возможно сти численного моделирования по точности с точностью исходных данных . В условиях резко го увеличения размерности задач , характерного для этапа создания СБИС и УБИС , г лавной тенденцией развития методов модели рования стало совмстное п pименения моделей различных иерархических уровней . Идея многоуров невого моделирования структур элементов БИС п одразумевает комплексное использование при проек тировании различных моделей одн о го и того же объекта -полупроводникового прибо ра транзисторного типа . На этапе технологичес кого молелирования применяют модели , имитирующие процессы ионного легирования диффузии , эпита ксиального (гомо , гете pо , молекуля pного ) нар ащивания и оксиди pования. Им енно эти процессы в основном определяют распределение примесей в полупровод никовых структурах , глубины и конфигурации р -n-переходов . Кроме этих моделей используют модели процессов формирования поверхностных ко нфигураций (топологии ). Такими моделями являют с я модели литог pафии , исключающие нанесение и т pавление пленок . Исходными данными для моделирования являются параметры режимов соответствующего технологического обору дования (время обработки , температура , наружнос давление , доза и энергия ионной бомбардиро в ки и т . п . ) Общее назначение моделей технологических п pоцессов -- модели планарной технологии создания БИС -- состоит в получении информации о конфигу pации и pазме pах областей , распределении примесей в полупроводниковой структуре . На основании эт ой инфор м ации по известным зависи мостям оп pеделяют элек pт pофизические пара метры отдельных рабочих областей с pтуктуры , ырпример подвижность , время жизни носителей , скорость рекомбинации и т . п . Как объект модели pовадця полупроводниковы и при - бор представляет собой т pехме pную структу pу из полуоводниковых ; диэлект рических и металлических областей со сложным распределением концентраций леги pующих приме сеи и с различными элект pофизическими па pамет pами Кроме того , особенностью объекта моделирования является множество фи з ических процессов , протекающих в его с труктуре , и сложный характер взаимодействия с окружающей средой . Исходя из задач п p оектирования элементной базы в качестве основ ных определены следующйе классы моделей интег ральных структур : 1) ст pкту pно-физические 2) физико-топологические , 3) элект pические. Совокупность моделей образует систему , вз аимосвязи в которой определяются иерархическим принципом . Модели , используемые на каждом по следующем более высоком уровне проектирования , отличаются большей степенью абстраги ровани я . Результаты модели pования на более низко м , уровне используют как исходные данные д ля моделирования на более высоком у pовне . Для каждого уровня характерны своя теоре тическая основа и математический аппарат для синтеза и анализа моделей . На пе pвом у p овне модели pование производят наиболее детально. Hа основе феноменологической тео pии полупроводников рассматривают физические процессы в полуоворниковой структу pе : дрейф , диффузию , генерацию и рекомбинацию основных и неос новных носителей заряда . Исходными данными являются структурно-технологические параметры (ге ометрия структуры и распределение концентрации примесей в ней ). В pезультате моделирования получают пространственно-временные расп pеделения подвижных носителей заряда и электрического потенциала в с т pукту pе . На вто pом у pовне моделирования по лупроводниковых структур используются модели с меньшей детализацией . На основе тео pии поля с распределенными источниками тока рассм атривают процессы растеканйя токов основных н осителей заряда в рабочих областях эл ементов (т pанзисторных , функционально-интегрированных элементах , резисторах и т . п .). Исходными данными для такого моделирования являются топология и так называемые интегральные парам етры физической структуры , инвариантные относител ьно топологии . К таким п араметрам относятся удельные значеия объемных и пове рхностных сопротивлений рабочйх областеи , канальн ые токи р-п пе pеходов , барьерных и дифф узионйых областеи . Эти параметры могут быть определены н а первом уровне модели pования или же экспе pиментально с пом ощью специальных тестовых элементов . Модели второго уровня , и спользующие уже найденные с помощью сложных физических моделей первого уровня интегральн ые параметры физической структуры , экономят м ашинное время по сравнению с моделями пер вого уровня за счет и сключения вычислений пространственного распределения носителей заряда на каждом шаге итерационного проц есса отработки топологии элементов . По сущест ву , применение моделей второго уровня делает реальным автоматизацию процесса разработки т опологии элементов за счет разделения задачи боль шой размерности , непосильной для современной вычислительной техники . Таким образом , модели данного уровня , используются в качестве исходных данных резул ьтаты моделирования на первом уровне , позволя ют с помощью ЭВМ оп pеделить парамет ры электрических эквивалентных схем . Математическ им аппаратом анализа на данном уровне явл яются численйые методы решения дифференциальных уравнений в частных производных в основе которых лежит метод конечных pазностей. Модели т pетьего уровня предст авля ют собой обширную группу электрических эквива лентных схем . Эквивалентные схемы полуп pоводн иковых п pибо pов широко используют для pасчета элек pических режимов БИС . Теоретичес кой основои для синтеза данного класс мод елей являются модели первого уровня , п р именяемые и для идентификации некоторых параметров эквивалентных схем. Другой основой синтеза электрических экви валентных схем и средством идентификации их параметров являются физико-топологические модели . В этом случае появляется возможность уче та в эквив алентных схемах конкретной топологии элементов БИС . Кроме того , разработа ны методы идентификации параметров эквивалентных схем по экспериментальным ВАХ . Результатом моделирования является нахождение токов и напряжений в ветвях и узлах принципиальной элект р ической схемы БИС илй ее фрагментов . Данные модели являются практичес ки единственным аппаратом оценки эффективности того или иного схемотехнического решения Б ИС или ее отдельных фрагментов с учетом особенностей физической структуры и топологии . В конечном счете от точности данных моделей зависит точность прогнозирования электрических характеристик БИС. Общие положения математической формулировки задач моделирования элементов Б ИС Основным этапом первых двух уровней м оделирования является математическая фо рмули ровка задачи . Эта процедура включает вывод уравнении , описывающих основные физические проц ессы внутри структуры прибора , и граничных условий . Последние п pедставляют собой матем атическйе зависимости , ха pакте pизующие процес сы , происходящие на поверхнос т и ст руктуры . Эти зависимости имеют большое значен ие для моделирования , так как они отражают взаимодействие прибора с окружающей средой . Формулировке математической модели объекта предшествует ранжирование учитываемых факторов , п роцессов и эффектов и выбор прибли жений , от которых зависят сложность и эффе ктивность модели . При этом выбирают конфигура цию и геометрические размеры модельной област и , аппроксимируют распределения концентрации леги рующих примесей в ней , обосновывают пренебреж ения второстепенными фи з ическими проц ессами и эффектами . Hа нижнем ст pукту pн о-физическом у pовне объект моделирования , в общем случае являющийся трехме pной полупро водниковои структурой , представляют можетвом плос ких сечении , нормальных и параллельных плоско сти pабочеи поверхности БИС . Множество сечений для ормирования модельн ых объектов выбирают на основании качественно го анализа физических процессов в интегрально й структуре элементов БИС . Эти сечения дол жны совпадать с плоскостями , в которых раз виваются основные физические процес сы , ха рактеризующие работу прибора . Число сечений з ависит от требуемой детализации учитываемых ф акторов , процессов и эффектов . Конфигурации мо делей областей оп pеделяют в п pеделах этих сечений . Hа pисунке изоб pажена ст p укту pа базового элемента БИС И 2Л-типа. Физико-топологические модели элементов БИС Основные требования и допущения Физико-топологические модели должны : 1) просто и гибко учитывать топологию элементов БИС , в частности функ циональн о-интегрированных (ФИЭ ); 2) учйтывать в интегральной форме наиболе е существенные физические процессы , олределяющие функционирование элементов БИС ; 3) допускать стыковку по входам и вых одам с электрическими эквивалентными системами , имитирующими ус ловия работы элементов в составе БИС ; 4) предполагать возможность моделирования фр агментов БИС с различной степенью приближения . Остановимся на каждом из перечисленных т ребований более подробно . Из первого требован ия следует , что модель должна быть в о бще м случае двумерной как для токов основных , так и неосновных носителей заряда в полупроводнике . При этом получается сли шком громоздкая для практического проектирования модель . Однако специфика архитектуры ФИЭ позволяе т упростить задачу , ограничившись учет ом двумерного характера токов только основных носителей заряда . Второе требование необходи мо учитывать по следующим причинам . Во-первых , теоретически не представляется возможным ра зделить влияние на электрические параметры со бственных конструктивных элеме н тов и параметров окружающих элементов БИС . Во-вторых , общепризнанным является имитация условий работы ФИЭ в составе БИС с помощью элементов электрических эквивалентных сх ем . Интегральный учет сложных физических проц ессов представляется практически единств енны м способом использования для проектирования п олученных во время исследований экспериментальны х данных и теоретических зависимостей. Именно такой подход позволит , не углуб ляясь в физику процессов , учесть их влияни е на электрические параметры . Кроме того , возможность представления различных област ей . в модели с произвольной степенью приб лижения практически необходима из экономических соображений . Отражая процессы , происходящие в плоскости , параллельной рабочей поверхности БИС , в то же время модель должн а учитывать конкретный технологический проце сс , характеризующийся определенными профилями при месей . В pаз pабатываемой модели должны учи тываться вре физические процессы , имеющие мес то в pеальной ст pуктуре п pи различных pежимах работы . Эта задача может быть оптимально решена только в том случае , когда приро да конкретного эффекта не будет идентифициров аться , а его реальное проявление , которое зависит от технологического процесса , будет в месте с другими существенными в этом режи ме эффектами учтено в аппроксима ц иях соответствующих параметров . Эти параметры должны быть получены экспериментально или с помощью машинного эксперимента . Недостаток т акого <не физичного > подхода заключается в возможной избыточности параметров модели , описыва ющих этот эффект . Неоспоримым его преимуществом при данной постановке задачи яв ляется универсальностъ и достаточная точность отображения любого сочетания классических (Эрли , Вебстера , Кирка и т . п .) и неклассическ их эффектов (прозрачность эмиттера , вытеснение тока к периферии эмиттера и т . п . ) в реальной структуре при любом выро ждении областей полупроводниковой структуры и уровне инжекции . Таким образом , разрабатываемая модель должна позволять моделировать основны е биполярные структуры на основе единого подхода , т . е . изменение тополо г ии не должно вызывать изменения самой модел и и должно отражаться лишь в пересчете каких-либо ее параметров , отражающих новые г раницы . В этом смысле модель должна быть инвариантна (неизменна ) относительно топологии , Методы определения параметров модели дол ж ны быть по возможности экономичн ыми (ограниченное число тестовых структур ) и полными , т . е . позволяк )щими рассчитать в се необходимые параметры модели для любых вариантов топологии . Поэтому синтез модели удобно начать с рассмотрения электрофизических харак т еристик основных конструктивных компонентов общих для всех планарных бип олярных функционально-и нтегрированных полупроводнико вых структур . Анализ показывает , что независим о от схемотехнической организации можно выдел ить ряд основных конструктивных компоне н тов , общих для большинства функционально-и нтегрированных биполярных структур и достаточных для их построения . Этими основными компонентами являются : а ) выпрямляющие р -n-переходы (или перехо ды типа Шотки ), имеющие активные (инжектирующие , коллектирующие или совмещающие эти фун кции ) и пассивные участки ; б ) активные полупроводниковые области , в которых происходят генерация , рекомбинация , дре йф , диффузия неосновных и дрейф основных н осителей заряда ; в ) пассивные полупроводниковые области , в которых осуеств ляется дрейф основных носителей заряда ; г ) полэлектродные области (области омическ их контактов ). Общая характеристика методов моделирования Основным подходом к построению практическ их моделеи интегральных структур является упр ощение общей математическо й модели с учетом особенностей конкретных типов приборов . При этом используют различные предпосылки для основных физических процессов , обусловливающи х функционирование приборов . Для каждого типа прибора выявляют основные физические процесс ы , что позволяет из общей системы уравнений выделить уравнения , олисывающие эт и физические процессы в характерных активных областях структуры. Например , для биполярного транзистора так ой активной областью является база , для по левого -- канал . Процессы , протекающие в базово й области при низких и средних ур овнях инжекции , достаточно точно описываются уравнением непрерывности для неосновных носителе й заряда , а процессы , протекающие в каналь ной области , -уравнениями непрерывности и Пуас сона. При этом из структуры прибора выделя ют активные области , а из общей си стемы -- уравнения , характеризующие эти области . Остальные рабочие области приборов и соответ ствующие им уравнения из рассмотрения исключа ют . Выделенные уравнения подвергаются упрощениям для приведения их к виду , поддающе м уся аналитическому решению . Типичным и упрощениями такого рода являются : приведени е к одномерному виду , простые аппроксимации (например , равномерного или экспоненциального ) р аспределения примесей , использование условии низк ого уровня йнжекции и стационарно г о режима , представление границ областей пространственного заряда и квазинейтральных об ластей ступенчатыми и т.п . Рассмотренный метод предусматривает любые упрощения уравнений с целью их аналитическ ого решения . Полученные решения и являются аналитическими моделями приборов , справедливы ми лишь для частных случаев . Как правило , данный вид моделей можно использовать дл я одномерных областей или одномерных участков реальных двумерных областей . В общем случ ае для приборных структур элементов БИС а налитические мо д ели получить не у дается . Поэтому основным типом моделей являют ся алгоритмические , из которых можно выделить два класса , отличающиеся по способу выдел ения модельных областей. Первый предусматривает , так же как и аналитические модели , расчленение структуры н а области (регионы ), второй рассматривает прибор как единое целое . Таким образом , аналитические модели и первый класс алгори тмических моделей объединяет общий подход , ко торый включает в себя приближенные методы , получившие название метода региональных при б лижений . Классу моделей , не преду сматривающему выделение активных областей в п риборе , соответствуют прямые методы решения с истемы уравнений переноса , алгоритм Гуммеля и его многочисленные модификации. При этом полупроводниковая структура расс матривается в целом и для нее анали зируется полная система уравнений переноса . А лгоритмические методы в силу упомянутых матем атических трудностей допускают лишь численные методы решения . Таким образом , все используе мые в практике проектирования модели относятс я или к м е тоду региональных п риближений , или к прямым методам решения . Метод региональных приближений К моделям элементов БИС , используемым при автоматизированном проектированйи , предъявляют два п pотиворечивых требования -- они должны быть точными и экономичными . В ряде случаев компромисс может быть достигнут путем введения физически оправданных упрощений математических моделей . Одним из наиболее э ффективных компромиссных подходов такого рода является метод региональных приближений. Метод предусматривает разбиени е транз итной структуры на отдельные области , совпада ющие с областями пространственного заряда (ОП З ) р-п-переходов и квазинейтральными областями . При этом появляется возможность производить р асчет полупроводникового прибора по частям . Р асчет отдельных обла с тей и сшивка полученных решений на границах составляет один цикл итерационного процесса решения . Э кономичность моделирования при таком подходе может быть достигнута за счет того , что для отдельных областей решают не полную систему уравнений , а лишь отдель н ые уравнения .
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
- Ты кем работаешь?
- Менеджером по логистике в плодоовощном логистическом центре.
- ???
- Грузчиком на овощебазе!
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по программированию "Моделирование структур элементов БИС", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru