Реферат: Свет из гетеропереходов - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Свет из гетеропереходов

Банк рефератов / Технологии

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 3548 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Свет из гетеропереходов Если говорить о пути от фундаментальных на учных идей , основанных на сложных теоретических понятиях , до изобретений , революционизирующих технику и промышленность , то для физики полупроводников этот путь , пожалуй , наиболее краток . Самые яркие примеры таких преобразований в технике , которые качестве н но подняли уровень жизни людей , - изобретение транзисторов , последующее развитие полупроводниковой электроники и создание компьютеров во второй половине XX в . Компьютеризация кардинально изменила характер высоко технологичных производств , организацию труд а на всех уровнях управления , стала основой современных средств связи . Похожие по своей значимости перспективы возникли в той области физики полупроводников , которая изучает люминесценцию - излучательную рекомбинацию электронов и дырок . Это явление позволи ло создать полупроводниковые источники света - светодиоды и инжекционные лазеры . Первые открытия здесь были сделаны в нашей стране еще в 1923 г . О.В.Лосевым , работавшим в Ленинградском физико-техническом институте и Нижегородской радиотехнической лаборато рии . Лосев писал : “У кристаллов карборунда (полупрозрачных ) можно наблюдать (в месте контакта ) зеленоватое свечение при токе через контакт всего 0.4 мА… Светящийся детектор может быть пригоден в качестве светового реле как безынертный источник света” [ 1 ]. Однако реализованы на практике эти идеи были лишь в 60- 70-е годы , после обнаружения эффективной люминесценции полупроводниковых соединений типа A III B V - фосфида и арсенида галлия и их твердых растворов . В итоге на их основе были созданы светодиоды и таким образом заложен фундамент новой отрасли техники - оптоэ лектроники [ 2 ]. Советские ученые внесли в развитие данн ой области существенный вклад . Ж.И.Алфёров (академик , директор Физико-технического института им.А.Ф.Иоффе , лауреат Ленинской премии ) получил золотую медаль Американского физического общества за исследования гетероструктур на основе Ga 1-x Al x As еще в 70-х го дах . В 2000 г ., когда стало ясно , как велико значение этих работ для развития науки и техники , насколько важны их практические применения для человечества , ему была присуждена Нобелевская премия [ 3 , 4 ]. На рубеже 90-х годов наша промышленность выпускала более 100 млн светодиодов в год ; мировая - десятки миллиардов . Диоды нашли применение в передаче и визуализации ин формации : в световых индикаторах , табло , в приборных панелях автомобилей и самолетов , в рекламных экранах . Эффективность излучателя света характеризуется отношением светового потока (в люменах ) к потребляемой электрической мощности (в ваттах ). Эта величин а , называемая светоотдачей , для светодиодов из материалов типа A III B V стала больше , чем у ламп накаливания во всех основных цветах видимого диапазона [ 5 ]. Светоотдача приборов на основе гетероструктур с активными слоями InGaN и AlInGaP на длинах волн , отвечающих максимуму излучения . Стрелки справа показывают светоотдачу вакуумных и газонаполненных ламп ; кривая - спектральн ую чувствительность глаза ( кривая видности ). Очень привлекательна идея использовать светодиоды для обычного освещения , поскольку сочетание их с люминофорами позволяет получить белый свет . Потребление электроэнергии у них меньше , чем у обычных ламп , кроме того , они долговечнее , надежнее и безопаснее и ламп накаливания , и люминесцентных . Американская программа исследований , разработок и промышленного выпуска светоизлучающих приборов и устройств с их использованием , рассчитанная до 2010 г ., предполагает в ре з ультате получить экономию такого количества электроэнергии , которое производят 100 атомных электростанций . Как устроен и работает светодиод ? Светодиод - это полупроводниковый прибор с двумя контактами , преобразующий энергию электрического тока в световую . Например , если в образце создан p-n переход , т.е . граница между областями с дырочной ( p- ) и электронной ( n- ) проводимостью , то при положительной полярности внешнего источника тока на контакте к p-области (и отрицательной - на контакте к n-области ) потенц иальный барьер в p-n переходе понижается и электроны из n-области инжектируются в р-область , а дырки из p-области - в n-область . Инжектированные электроны и дырки рекомбинируют , передавая свою энергию либо квантам света h n (излучательная рекомбинация ), ли бо , через дефекты и примеси , - тепловым колебаниям решетки (безызлучательная рекомбинация ). Вероятность излучательной рекомбинации пропорциональна концентрации электронно-дырочных пар , поэтому наряду с повышением концентраций основных носителей в p- и n-об ластях желательно уменьшать толщину активной области , в которой идет рекомбинация . Но в обычных p-n переходах эта толщина не может быть меньше диффузионной длины - среднего расстояния , на которое диффундируют инжектированные носители заряда , пока не рекомб инируют . Энергетическая диаграмма обычного (гомогенного ) p-n перехода в полупроводнике при прямом смеще нии U . Черными стрелками показана инжекция электронов и дырок ; цветными - рекомбинация электрона и дырки . В отсутствие смещения ( U = 0) уровень Ферми (штриховые прямые ) одинаков во всем переходе F p = F n , и барьеры для основных носителей выше , чем при прямо м включении p-n перехода , когда уровни раздвигаются на величину eU = F n – F p . Задача ограничения активной области рекомбинации решена в конце 60-х годов Алфёровым и его сотрудниками . Были предложены и практически изготовлены гетероструктуры , сначала на ос нове GaAs и его твердых растворов типа AlGaAs, а затем и на основе других полупроводниковых соединений [ 3 , 4 ]. В гетероструктурах толщина активной области рекомбинации может быть много меньше диффузионной длины . Рассмотрим энергетическую диаграмму гетероструктуры , в которой между внешними p- и n-областями полупроводника с большими величинами ширины запрещенной зоны E g2 , E g3 расположен тонкий слой с меньшей шириной E g1 . Толщину этого слоя d можно сделать очень малой , порядка сотен или даже десятков атомных слоев . Помимо потенциального барьера обычного p-n перехода на гетерограницах слоя образуются потенциальные барьер ы для электронов D E c и дырок D E v . Если приложить к переходу прямое смещение , возникнет инжекция электронов и дырок с обеих сторон в узкозонный слой . Электроны будут стремиться занять положения с наименьшей энергией , спускаясь на дно потенциальной ямы в сло е , дырки устремятся вверх - к краю валентной зоны в слое , где минимальны их энергии . Широкозонные внешние части гетероперехода можно сильно легировать с обеих сторон , добиваясь больших концентраций в них равновесных носителей . И тогда , даже не легируя акт ивную узкозонную область примесями , удается достичь при инжекции значительных концентраций неравновесных электронно-дырочных пар в слое . Отказ от легирования активной области принципиально важен , поскольку атомы примеси , как уже говорилось , могут служить ц ентрами безызлучательной рекомбинации . Попав в яму , инжектированные электроны наталкиваются на потенциальный барьер D E c , дырки - на барьер D E v , поэтому и те , и другие перестают диффундировать дальше и рекомбинируют в тонком активном слое с испусканием фото нов . Задачник для конструктора Подытожим : чтобы достичь максимальной эффективности излучения света , необходимо выполнить следующие условия [ 6 ]. При оптических переходах электронов из зоны проводимости полупроводника в валентную должен соблюдаться закон сохранения энергии . Поэтому ширина запрещенной зоны E g в активной области диода должна быть близка к нужной энергии квантов излучения . Одновременно должен соблюдаться закон сохранения импульса . Точнее - квазиимпульса , так как электрон (и дырка ) в кристалле уже не свободная частица - он движется в поле периодиче с ки упорядоченных ионных остовов , представляя собой фактически возбужденное состояние твердого тела . Движение этих возбуждений (электронных и дырочных ) очень напоминает свободное распространение заряженных частиц , поэтому их называют квазичастицами . И энер г ии e отдельных квазичастиц связаны с их квазиимпульсами p так же , как у свободных : e = p 2 /2 m , только вместо массы электрона m 0 ~ 10 – 30 кг фигурируют эффективные массы m n , m p электронов и дырок в данном полупроводнике , которые по величине могут значительно отличаться от массы электрона . Энергетическая диаграмма p-n гетероструктуры типа InGaN/AlGaN/GaN при прямом смещении U. Черными стрелками показана инжекция электронов и дырок в активную область p-n гетероструктуры . Попадая в узкие и достаточно глубокие ямы , электроны и дырки оказываются запертыми в них . Если активный слой (с узкой запрещенной зоной E g1 ) с одержит малое количество дефектов , электронно-дырочные пары рекомбинируют с излучением кванта E g1 (цветная стрелка ). Импульс p ф , уносимый излученным фотоном , пренебрежимо мал по сравнению с квазиимпульсами рекомбинирующих квазичастиц . В самом деле , для фо тона p ф = E g / c , для электрона при рекомбинации p = ?2 m n E g ; их отношение <<1. Поэтому при излучательной рекомбинации квазиимпульс электронов не меняется , а это возможно только у прямозонных полупроводников , у которых максимум валентной зоны и минимум зоны проводимости располагаются в пространстве квазиимпульсов в центре зоны Бриллюэна (области однозначного задания квазиимпульса в кристалле ). Кроме того , кристалл полупроводника должен быть по возможности бездефектным , как и границы между разными слоями , пос к ольку дефекты на них (дислокации , например ) тоже порождают безызлучательную рекомбинацию . Поэтому особого внимания требует подбор пар материалов с точки зрения согласования параметров их элементарных ячеек - на границе несогласованных решеток возникнет мн о го дислокаций . Работы группы Алфёрова показали , что в гетероструктурах соединений типа A III B V могут быть созданы практически идеальные границы [ 4 , 7 ]. Насколько успешно удалось решить все эти задачи , можно судить по значениям ряда параметров . О вероятности излучательной рекомбинации в узкозонном слое говорит внутренний квантовый выход излучения h i (число излучаемых фотонов на одну электронно-дырочную пару ). В гетероструктурах величина h i может быть близка к 100%. Для практики , однако , важнее внешний квантовый выход излучения h e - отношение числа излучаемых во внешнюю среду квантов света к числу электронно-дырочных па р , пересекающих p-n переход . Он характеризует преобразование электрической энергии в световую и , помимо внутреннего квантового выхода ( h i ), учитывает коэффициент инжекции пар в активную область ( g ) и коэффициент вывода света во внешнюю среду ( h o ): h e = gh i h o . Зависимость энергии электронов от квазиимпульса для прямозонных полупроводников . Стрелкой показан переход электронов из зоны проводимости в валентную , сопровождающийся излучением кванта. Коэффициент полезного действия светоизлучающего прибора ограничивается еще и потерями на джоулево тепло , поэтому сопротивление всех областей структуры и омических кон тактов на выводах должно быть малым . Восприятие же излучения человеком , глаз которого по-разному воспринимает различные участки оптического спектра (в соответствии с кривой видности ), выдвигает свои требования к световым и спектральным характеристикам изл у чателей . Излучаемые световые кванты должны выходить во внешнюю среду в заданном телесном угле с минимальным их поглощением внутри прибора . Малые размеры полупроводниковых светодиодов отличают их от ламп накаливания , в противоположность лампам диод - почти точечный источник света с площадью кристалла (0.25x0.25)-(0.5x0.5) мм 2 . Кристалл покрывается выпуклым или плоским пластмассовым колпачком размерами 3-10 мм . Показатель преломления пластмассы выбирается так , чтобы увеличить коэффициент вывода излучения h o . Конструкция колпачка обеспечивает фокусировку излучения в нужном телесном угле 5-45° . Держатель кристалла отводит тепло от активной области . Работая , одиночный светодиод потребляет очень небольшую энергию : при напряжении 2-4 В и токе 10-30 мА , электриче ская мощность варьирует от 20 до 120 мВт . При КПД в 5-25% в виде света излучается 1-30 мВт (сила света 1-30 кд ). Для сравнения - миниатюрная лампа накаливания работает при напряжении около 12 В и токе 50-100 мА . Для получения больших световых потоков деся т ки и сотни светодиодов объединяют в световые панели . Возможность фокусировки излучения в каждом элементе позволяет создавать световые панели с направленным излучением . Конструкция (слева ) и внешний в ид светодиодов. Замена ламп накаливания диодами особенно эффективна в цветной светосигнальной аппаратуре . Лампы должны иметь цветные фильтры , что уменьшает КПД - часть излучения поглощается фильтрами . Цвет оптического излучения полупроводниковых приборов з адается энергией квантов в узкой области спектра , фильтры им не нужны . На цветовой диаграмме показано , как из “чистых” цветов , расположенных на внешнем подковообразном контуре , можно получить любой смешанный . Центр диаграммы соответствует белому цвету , на краях отмечены кружки для разных диодов . Цветовой график Международной комиссии по освещению . В цен тре - область белого цвета , пересекаемая дугой , соответствующей цвету черного тела при разных температурах . Кружками отмечены цветовые координаты разных светодиодов. В ходе разработок светодиодов за последние десятилетия перечисленные выше сложные условия выполнялись последовательно для разных длин волн , и вот с какими результатами . Красные диоды на основе твердых растворов арсенидов галлия-алюминия Al x Ga 1-x As достигли внешнего квантового выхода излучения h e более 15%. Диоды из фосфида галлия GaP, светящие ся желтовато-зеленым цветом , имеют h e ~ 0.1%, но близость спектра излучения к максимуму чувствительности глаза (l= 555 нм ) обеспечила им в 70-90-х годах широкое применение . КПД промышленных образцов красных , оранжево-желтых и желто-зеленых светодиодов на о снове гетероструктур из твердых растворов In y Al x Ga 1 – x – y P были доведены к концу 90-х годов до h e = 25-55% [5]. Светодиоды в отличие от лазеров - источники спонтанного излучения , их спектральные “линии” имеют заметную ширину : на уровне половины максимальной интенсивности она составляет 20-50 нм , что соответствует средней тепловой энергии электронов . А вот эффективные светодиоды для зеленовато-голубой , голубой , синей и фиолетовой частей спектра были созданы только в 90-е годы . Сделать их можно на основе полу проводников с большой шириной запрещенной зоны : карбида кремния SiC, соединений группы A II B VI , нитридов группы A III B V . У излучателей на основе ZnSe (A II B VI ) большой квантовый выход , но они недолговечны и имеют большое электрическое сопротивление . У карбид- кремниевых излучателей очень мал КПД , так как SiC - непрямозонный полупроводник . В последние годы был сделан настоящий прорыв в разработках голубых и зеленых светодиодов . В приборах на основе нитрида галлия и его твердых растворов GaN, In x Ga 1 – x N, Al x Ga 1 – x N внешний квантовый выход увеличен до h e = 9-16 % [ 8 - 10 ]. Светоотдача диодных излучателей из разных материалов д ля всех основных цветов превысила светоотдачу ламп накаливания . Диоды стали приборами и оптоэлектроники , и светотехники . Замечательный нитрид Нитрид галлия GaN, представитель группы A III B V , в отличие от кубических кристаллов GaAs, InP, AlAs кристаллизуетс я в гексагональной решетке типа вюрцита (постоянные решетки a = 3.18 А , с = 5.18 А ) и имеет ширину запрещенной зоны E g = 3.5 эВ . Выращивание монокристаллов этого полупроводника непростая задача , так как температура плавления GaN ~2000°С , а равновесное давл ение паров азота должно быть 40 атм . GaN - прямозонный полупроводник ; нелегированные кристаллы GaN имеют большую концентрацию доноров , обусловливающих проводимость n -типа и концентрацию электронов n = 10 18 -10 19 см – 3 [ 11 ]. Кристаллы аналогичных соединений - нитридов алюминия и индия AlN и InN - также гексагон альные с сильно различающимися постоянными решеток (a = 3.11, 3.54А и с = 4.98, 5.70А ); это - прямозонные полупроводники с E g = 6.5 и 1.8 эВ соответственно . Бинарные соединения допускают образование тройных твердых растворов Ga 1 – x In x N, Ga 1 – x Al x N. В ряду G a 1 – x In x N можно так подобрать параметр х , что энергия E g будет отвечать фиолетовой , голубой или зеленой области спектра . Еще в 70-х годах группа Ж . Панкова из лаборатории компании IBM создала фиолетовые и голубые диоды на основе эпитаксиальных пленок GaN. Квантовый выход был достаточен для практики (доли %), но срок их службы был ограничен . В р- области p-n перехода концентрация дырок была мала , и сопротивление диодов оказалось слишком большим , они довольно быстро перегревались и выходили из строя . В начале 80-х годов Г.В.Сапарин и М.В.Чукичев в Московском государственном университете им.М.В.Ломоносова обнаружили , что после действия электронного пучка образец GaN, легированный Zn, локально становится ярким люминофором . Были предложены устройства оптической п амяти с пространственным разрешением 1-10 мкм . Но причину яркого свечения - активацию акцепторов Zn под влиянием пучка электронов - тогда понять не удалось . Эту причину раскрыли И.Акасаки и Х.Амано из Нагойского университета [ 10 ]. Дело оказалось в том , что примесные атомы Zn при росте кристалла реагировали с неизбежно присутствующими атомами водорода , образовывали нейтральный комплекс Zn-H + и переставали работать акцепторами . Обработка электронным пучком разрушала связи Zn-H + и возвращала атомам Zn акцепторную роль . Поняв это , японские ученые сделали принципи альный шаг в создании p-n переходов из GaN. Для аналогичного акцептора - Mg - было показано , что обработкой сканирующим электронным пучком можно р- слой GaN с примесью Mg сделать ярко люминесцирующим , имеющим большую концентрацию дырок , которая необходима д ля эффективной инжекции дырок в p-n переход . Авторы заявили патент на эффективное легирование GaN р- типа . В 1989 г . Ш.Накамура (компания “Ничия Кемикал” ) начал исследования пленок нитридов элементов III группы , выращенных методом газовой эпитаксии из мета ллорганических соединений . Он пошел дальше Акасаки – заменил обработку электронным пучком нагревом в атмосфере N 2 . Водород взаимодействовал с азотом , образуя NH 3 , и не препятствовал атомам Mg работать акцепторами . Подобранными режимами легирования и термоо бработки были получены эффективно инжектирующие слои р- типа с большой концентрацией дырок в GaN-гетероструктурах [ 8 , 9 ]. В технологии были учтены особенности легирования примесями Mg и Zn. Были выращены при сравнительно низких температурах структуры GaN/Ga 1 – y Al y N, GaN/Ga 1 – x In x N, Ga 1 – x InxN/Ga 1 – y Al y N с толщиной активных слоев до 10-2 нм и шероховатостью гетерограниц по рядка одного атомного слоя [ 8 , 9 ]. Сначала были созданы светодиоды из двойных етероструктур Ga 1 – x In x N/Ga 1 – y Al y N с активным слоем Ga 1 – x In x N:Zn. Максимумы голубого и зеленого света с яркостями 1 и 2 кд приходились на 460 и 520 нм , а внешний квантовый выход составил 3 и 2%. Спектры электролюминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN (сплошные линии ) и AlInGaP/GaP (штриховые ). Видно , что они перекрывают всю область видимого спектра. Светят квантовые ямы На следующем этапе разработок перешли к многослойным гетероструктурам GaN/ /Ga 1 – x In x N с нелегированным активным слоем Ga 1 – x In x N толщиной до 2-3 нм . Физические принципы , ранее использованные при создании приборов на основе GaAs/Ga 1 – x Al x As и GaAs/In x Al y Ga 1 – x-y P, послужили применительно к новым структурам [ 8 - 10 ]. В сверхтонких слоях сказываются эффекты размерног о квантования - зависимости энергетического спектра электронов и дырок от толщины слоя , когда последняя сравнима с длиной волны де Бройля . Таким образом , открылась возможность регулировать цвет свечения , изменяя не состав полупроводника , а толщину потенци а льной ямы , называемой в этих условиях квантовой . Было очень важно также разработать технологию выращивания новых структур , обеспечивая на границах минимальное число дефектов . Помогло то , что в сверхтонких слоях несоответствие параметров решетки в определе нных случаях вызывает на гетерограницах лишь упругую деформацию растяжения или сжатия . А чисто упругая деформация не сопровождается образованием дислокаций и дефектов - центров безызлучательной рекомбинации . Структура светодиода с множественными квантовым и ямами представляет собой довольно сложный “пирог” . На сапфировой подложке , после буферного слоя AlN (толщиной 30 нм ), выращен относительно толстый (4 мкм ) слой n- GaN:Si. Затем идет активный нелегированный слой , состоящий из пяти чередующихся квантовых ям In x Ga 1 – x N (3-4 нм ) и барьеров GaN (4-5 нм ). Эффективная ширина запрещенной зоны квантовых ям In x Ga 1 – x N соответствует излучению от голубой до желтой области (450-580 нм ), если состав активного слоя меняется в пределах x = 0.2-0.4; она зависит и от толщины d . Расположенный выше барьерный широкозонный слой p- Al 0.1 Ga 0.9 N:Mg (100 нм ) инжектирует дырки и согласует решетку с решеткой верхнего слоя p-GaN:Mg (0.5 мкм ), на который нанесен металлический контакт Ni-Au. Второй металлический контакт (Ti-Al) с нижним сло ем n- GaN создается после стравливания части структуры . Схема светодиода на основе гетероструктур типа I nGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. Свет в доме и на улице В 1999 г . компании “Ничия Кемикал” , “Тойода Госей” , “Хьюлетт-Паккард” , “Крии” выпускали по нескольку десятков миллионов голубых и зеленых светодиодов в месяц . В июле 1999 г . Накамура сообщил , что светоотдача этих приборов достигает 60 лм /Вт , а мощность желтых на основе InGaN - 6 мВт [8]. Если голубой диод покрыть желтым люминофором , в котором свет возбуждается голубым излучением , то сложение цветов дает белое свечение , как это видно и з цветовой диаграммы на стр .43. Белые светодиоды выпускают “Ничия” и “Осрам” ; пока их светоотдача меньше , чем ламп накаливания , но в проектах разработок на ближайшие годы стоит цель вывести белые полупроводниковые источники света вперед . Примеры массового применения светодиодов можно найти уже повсюду . На перекрестках Москвы к 850-летнему юбилею города было установлено 1000 светодиодных светофоров ; для зеленого света применены элементы на основе нитридов . Сделаны первые светодиодные железнодорожные светоф о ры с узкой направленностью излучения . На одном из небоскребов Нью-Йорка , на Таймс-Сквер , установлен полноцветный светодиодный экран площадью несколько квадратных метров , смонтированный из 16 млн элементов ; в Москве первый экран (меньших размеров ) начал ра б отать на Манежной площади . Проектируются телевизоры с экранами более 70 см по диагонали , в которых каждая из 100 тыс . светящихся точек , формирующих изображение , сделана из светодиодов трех цветов - синего , зеленого и красного . Компания “Осрам-Оптосемиконд акторс” , специально организованная двумя промышленными гигантами “Осрам” и “Сименс” для производства светодиодов , продемонстрировала служебное помещение с плафоном на потолке из 14 тыс . голубых , зеленых , желтых , красных и белых светодиодов . Режим работы у с танавливается процессором , поэтому простым выбором тока легко задать освещение того или иного типа от теплого , близкого к свету ламп накаливания , до холодного , как у люминесцентных ламп . Излучение светодиодов в плафоне сфокусировано так , что свет идет вни з , не рассеиваясь к стенам . Светодиоды найдут применение и в декоративном освещении архитектурных деталей , как это уже осуществлено в Дуйсбурге (Германия ), при освещении моста полупроводниковыми светильниками , смонтированными в столбах ограды . Производство светодиодов на основе нитридов за последние пять лет опередило все самые оптимистичные прогнозы на 20-30%. Прибыли производящих компаний в 1999 г . составили 420 млн амер . долл . и планируются на отметке 4.5 млрд в 2009 г . Разработка полупроводниковых излу чателей еще раз показала , что наука о полупроводниках далеко не исчерпана . Нобелевская премия Ж.И.Алфёрову и Г.Крёмеру - это признание важности исследований гетеропереходов для настоящего и будущего , исследований , которые порождают технику , кардинально ул у чшающую нашу жизнь . Литература 1. Лосев О.В. У истоков полупроводниковой техники : Избранные труды . Л ., 1972. 2. Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды . М ., 1983. 3. Алфёров Ж.И. Физика и Жизнь . СПб ., 2000. 4. Копаев Ю.В. Лауреаты Нобелевской премии 2000 г . по физике - Ж.И.Алфёров , Г.Крёмер , Дж.Килби // Природа . 2001. № 1. С .3-7. 5. Craford M.G. // MRS Bull. 2000. V.25. № 10. P.27-31. 6. Берг А ., Дин П. Светодиоды / Пер . с англ . под ред . А.Э.Юновича . М ., 1 979. 7. Алфёров Ж.И. // Физика и техника полупроводников . 1998. Т .32. № 1. С .3-18. 8. Nakamura S., Fasol G. The blue Laser Diode; GaN based Light Emitters and Lasers. Heidelberg, 1997. 9. Nakamura S.et al. // Jap. J. Appl. Phys. Part II . 1999. V.38. № 7a. P.3976. 10. Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. // Jap. J. Appl. Phys. 1989. V.28. P.L2112-2114. 11. Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications / Ed. B.Gil. Oxford, 1998.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
- Алло! Это центр занятости?
- Да!
- Можно у вас занять?!
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru