Реферат: Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения

Банк рефератов / Программирование

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 1819 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

- 4 - МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ОДЕССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ У НИВЕРСИТЕТ им . И.И . МЕЧНИКОВА Кафедра экспериментальной физики КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СЕНСИТОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОРМИРОВАТЕЛЕЙ СИГНАЛОВ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА CdS-Cu 2 S. Дипломная работа студента 5-го курса физического факультета Барды Алексея Валерьевича Научные руководители – канд . ф.-м . наук, доцент Виктор П.А. ст.н.с . Борщак В.А. О Д Е С С А - 2000 г. СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ. 3 ГЛАВА I. ГЕТЕРОПЕРЕХОД CdS-Cu 2 S, ЕГО СВОЙСТВА И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ. 5 § 1. Общие свойства гетеропереходов. 5 § 2. Модели токопереноса в гетеропереходе CdS – Cu 2 S. 9 § 3. Фотоэлектрические свойства гетероперехода CdS-Cu 2 S. 12 § 4. Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu 2 S. 15 § 5. Технология изготовления гетеропары CdS-Cu 2 S. 19 ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СЕНСИТОМЕТРИЧЕСКИХ ХАР АКТЕРИСТИК ГЕТЕРОПЕРЕХОДА CdS-Cu 2 S И ИХ КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ. 25 § 6. Общие понятия о сенситометрии. 25 § 7. Опис ание экспериментальной установки. 27 § 8. Исследование сенси тометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu 2 S. 29 § 9. Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых. 33 ВЫВОДЫ 37 ЛИТЕРАТУРА. 38 ВВЕДЕНИЕ. Исследование гетеропереходов представляет собой важный раздел физики полупроводниковых приборов , который сформировался в последние четыре десятилетия на основе изучения эпитаксиального выращивания полупроводников. Барьеры на диаграмм е энергетических зон , связанные с различием в ширине запрещенной зоны двух полупроводников открывают новые возможности для конструкторов. Гетеропереходы используются в лазерах , вычислительной технике , интегральных схемах . Электрооптические свойства гетероп ереходов нашли практическое применение в фототранзисторах и в солнечных элементах. Однако в этой области имеется еще много нерешенных проблем , многие классы гетеропереходов еще ожидают своего тщательного изучения и применения. Основная часть достижений в и сследованиях гетеропереходов связана с использованием гетеропары GaAs-AlGaAs, в которой осуществлен так называемый идеальный гетеропереход . При этом использованы полупроводники с однотипной кристаллической решеткой , которые имеют настолько близкие значени я постоянных своих решеток , что на границе не возникает электрически активных дефектов. Однако физика и техника гетеропереходов имеют и другой важный аспект - создание , исследование и практическое применение неидеальных гетеропереходов . Такие структуры обра зованы поликристаллическими полупроводниками с несовпадающими констан тами кристаллических решеток , зачастую и различных решеточных симметрии . В неидеальных гетеропереходах наблюдается большой набор различных эффектов и явлений , связанных с различными сво й ствами полупроводников по обе стороны границы , а также с появлением большого количества электрически активных дефектов на гетерогранице , принимающих участие в токопереносе , поглощении и излучении световых квантов. Перспективность практического применения н еидеальных гетеропереходов связана в первую очередь с более экономичной технологией создания поликристаллических гетероструктур в сравнении с монокристаллическими. Одним из направлений в изучении неидеальных гетеропереходов является возможность применения критериев , разработанных в классической фотографической сенситометрии , к преобразователям оптического изображения в электрический сигнал на основе гетероперехода CdS-Cu 2 S. Целью данной работы является создание математической модели характеристической криво й и расчет основных сенситометрических характеристик ( г -коэфициент контрастности и S-фоточувствительность ) формирователя сигнала изображения (ФСИ ) на основе гетероперехода CdS-Cu 2 S, используя в качестве исходных данных характеристики локальных центров в ге теропереходе. ГЛАВА I. ГЕТЕРОПЕРЕХОД CdS-Cu 2 S, ЕГО СВОЙСТВА И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ. § 1. Общие свойства гетеропереходов. Гетеропереходом называется контакт двух различных по химическому составу полу проводников . Если полупроводники имеют одинаковый тип проводимости , то они образуют изотипный гетеропереход . Если тип их проводимости различен , то получается анизотипный гетеропереход. Для получения идеальных монокристаллических гетеропереходов без дефекто в решетки и поверхностных состояний на границе раздела необходимо , чтобы у полупроводников совпадали типы кристаллических решеток , их периоды и коэффициент термического расширения . Для их получения периоды решеток должны совпадать с точностью ~0,1%. Приме р идеального гетероперехода : GaAS -AIGaAS [1]. Модель зоны структуры идеального резкого гетероперехода без ловушек на границе раздела была предложена Андерсеном , который использовал результаты работы Шокли [2]. На рис .1 приведена зонная диаграмма двух изоли рованных полупроводников , у которых различные значения ширины запрещенной зоны Е g , диэлектрической проницаемости , работы выхода m и электронного сродства . Работа выхода и электронное сродство определяются как энергия , необходимая для удаления электрона с уровня Ферми Е f и со дна зоны проводимости Е c в вакуум соответственно . Различие в положении дна зоны проводимости полупроводников обозначено Е c ; а различие в положении потолка валентной зоны Д E v . На рисунке 1 показан случай , когда Д Е c =(ч 1 -ч 2 ) . Рис . 1. Зонная диаграмма двух изолированных полупроводников при условии электронейтральности Зонная диаграмма анизотипного p-n - гетероперехода в равновесии , образованного этими полупроводниками приведена на рис .2. Рис .2. Зонная диаграмма идеального аниз отипного p-n гетероперехода при тепловом равновесии. Положение уровня Ферми в равновесном состоянии должно быть одинаково по обе стороны перехода , а уровень энергии , соответствующий вакууму , должен быть параллелен краям зон и непрерывен . Поэтому разрыв в положении краев зоны проводимости и краев валентной зоны не связан с уровнем легирования. Полный контактный потенциал Vb i . равен сумме потенциалов Vb 1 +Vb 2 , где Vb 1 и Vb2 - электростатические потенциалы равновесия состояния первого и второго полупроводников соответственно. Ширину обедненного слоя (W) в каждом полупроводнике и барьерную емкость (С ) можно найти решив уравнение Пуассона для резкого перехода с каждой стороны границы раздела . Одним из граничных условий является непрерывность электрической индукци и на границе раздела , т.е . е 1 E 1 = е 2 E 2 . В результате имеем : (1) (2) (3) где Nd 1 - концентрация доноров в 1-м полупроводнике ; Na 2 - концентрация акцепторов во 2-м полупроводнике. Отношение напряжений в каждом полупроводнике составляет : (4) где V=V 1 +V 2 - полное приложенное напряжение. Вольт - амперная характеристика принимает вид : (5) где I - плотность тока. (6) Приведенное выражение отличается от вольт - амперной характеристики контакта металл-полупроводник множителем I 0 , а также характе ром зависимости от температуры . Обратный ток не имеет насыщения , а при больших V линейно возрастает с напряжением . В прямом направлении зависимость I от допускает аппроксимацию экспоненциальной функцией , т.е . . Механизмы протекания тока. В резком гетеропереходе благодаря разрывам Д E c и Д E v высоты потенциальных барьеров для электронов и дырок разные . Поэтому при прямом смещении в гетеропереходе обычно происхо дит односторонняя инжекция носителей из широкозонного полупроводника в узкозонный. Инжектированные носители (в данном случае дырки ) должны преодолеть потенциальные барьеры (“пики” ), возникающие из-за разрывов зон . Механизмы протекания тока через эти барьер ы , дополнительные по сравнению с p-n - переходом (туннельный и термоинжекционный ) зависят от величины смещения на гетеропереходе , температуры , а также от степени легирования полупроводников. В плавном гетеропереходе заряда на неосновные носители заряда дей ствует внутреннее электрическое поле е i , возникающее вследствие изменения E g . При прямом смещении в этом случае также происходит односторонняя инжекция дырок в более узкозонную часть. Фотоэффект. Как и в p-n переходе фотоэффект в гетеропереходе возникает за счет пространственного разделения в поле объемного заряда носителей , возбужденных светом . При освещении полупроводника со стороны широкозонного полупроводника в узкозонном поглощаются фотоны с энергией : Eg 1
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Сегодня шёл домой, смотрю - у мусоропровода толстая пачка журналов "Playboy". Наверное, кто-то подключился к Интернету.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по программированию "Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru