Курсовая: Усилитель промежуточной частоты - текст курсовой. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Курсовая

Усилитель промежуточной частоты

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Курсовая работа
Язык курсовой: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 3036 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникальной курсовой работы

Узнайте стоимость написания уникальной работы

2 РГРТА Кафедра КПРА Курсовая раб ота по курсу : “Технологические процессы микроэлектроники” На тему : ”Усилитель промежуточной частоты” Выполнил ст . гр . 9 52 Проверил : Рязань 200 2 Содержание Кафедра КПРА 1 Рязань 2001 1 Содержание 2 Исходные данные : 3 Введение 4 Анализ технического задания 5 Разработка топологии 6 Резисторы. 6 Конденсаторы 11 Заключение …………………………………………………………………………………………… .16 Список литературы 17 Исходные данные : Номиналы R 1, R 10 – Резистор 12.0 k ОМ 2шт ; C 1, C 4 – Конденсатор 0.03 мкФ 2шт R 2 – Резистор 7.5 k ОМ 1шт ; С 2, С 5 – Конденсатор 6800 рФ 2шт R 3 – Резистор 5.0 k ОМ 1шт ; С 3, С 6 – Конденсатор 1500 рФ 2шт R 4, R 7 – Резистор 15.0 k ОМ 2шт ; R 5 – Резистор 2.0 k ОМ 1шт ; VT 1, VT 2 – Транзистор КТ 324В 2шт R 6 – Резистор 510 ОМ 1шт ; (СБО .336.0 31 ТУ ) R 8 – Резистор 0.34 k ОМ 1шт ; R 9 – Резистор 2.8 k ОМ 1шт ; ТР 1 – Трансформатор ВЧ . 1 шт Плату следует изготовить методом фотополитографии . Эксплуатационные требования : Т р = -15 0 +40 0 С , t э = 1000 ч ., корпус , серия К 151,159. Введение Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппарат у ры , повышение ее надежности . До появления интегральных микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов . Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем . Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем , что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей , а и з функциональных схем , образованных в едином технологическом процессе производства . О с новными разновидностями технологии микросхем являются : пленочная , полупроводниковая и смешанная. В пленочной технологии интегральная микросхема образуется нанесением на ди электрич е скую подложку в определенной последовательности пленок из соответствующих материалов . Изготовленные таким образом микросхемы называются пленочными интегральными микросх е мами (ПИМС ). Разновидностью ПИМС являются гибридные интегральные микросхемы (Г ИМС ), у которых часть элементов , имеющих самостоятельное конструктивное оформление , вносится в виде навесных деталей . Чрезвычайным важными характеристиками микросхем является степень интеграции и пло т ность упаковки . Степень интеграции представляет показат ель сложности микросхемы и хара к теризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов . Плотностью упаковки наз ы вается отношение числа элементов и компонентов микросхемы к ее объему . Анализ технического задания В данной к урсовой работе необходимо разработать топологический чертеж усилителя пром е жуточной частоты . Топологическим называется такой чертеж интегральной микросхемы , в к о тором указана форма , местоположение и коммутативная связь элементов на подложке . В разр а ботку т опологии микросхемы входит : расчет геометрии каждого пленочного элемента и допу с ков на его размеры , выбор материала для них ; определение оптимальных условий расположения пленочных и навесных элементов (при этом должны учитываться рассеиваемые мощности эл е м ентов , возможные паразитные связи между ними и их влияние на электрические параметры микросхемы ); расчет размеров и выбор материала подложки , определение последовательности и выбор технологии напыления пленок. Плату данного устройства необходимо изготовить фотолитографическим методом , т.е . ну ж ные конфигурации пленок получают в процессе травления . Данная плата должна стабильно р а ботать диапазоне температур от – 15 до +40 0 С. Разработка топологии Резисторы. В гибридных интегральных микросхемах широко применяются тонкопленочные резисторы . Сопоставляя физические свойства пленок с техническими требованиями к параметрам резист о ра , выбирают подходящий материал . При этом руководствуются следующими соображениями : не обходимо , чтобы резистор занимал возможно меньшую площадь , а развиваемая в нем темп е ратура не должна нарушать стабильность параметров , ускорять процессы старения , выводить величину сопротивления за рамки допуска . По возможности стараются применить более то л стые пленки , т.к . у очень тонких ухудшается стабильность сопротивления . Из сказанных выше соображений выбираем сплав РС -3710, у которого имеются следующие характеристики : диапазон сопротивлений 10… 20000 Ом , Удельное сопротивление 100… 2000 Ом / , Удельная мощность 20 мВт /мм 2 , ТКС M = 3.5*10 -4 , = 1.5*10 -4 , коэффициент стар е ния M КСТ = 2*10 -6 ч -1 , КСТ = 0.1*10 -6 . Так же имеются конструкционные и технологические ограничения : минимальная длинна р е зистора l 0 = 0.1 мм , минимальная ширина резистора b 0 = 0.05 мм , минимальная длинна контак т ного перехода l к = 0.1 мм , минимальное расстояние между краями перекрывающих друг друга пленочных элементов h = 0.05 мм . Для дальнейшего расчета резисторов необходимо знать их рассеиваемую мощност ь . Для этого воспользуемся , как бы , упрощенным методом . Для этого все реактивные элементы заменяем на их эквивалент по средней частоте работы схемы , т.е . схема будет выглядеть следующим обр а зом Рис 2: Необходимые для расчета номиналы берем из исходных данн ых стр . 3, допустимое относ и тельное отклонение сопротивления от номинального значения для всех резисторов составляет . Для дальнейшего расчета мощности можно в оспользоваться следующей формулой : (1) а для расчета тока в цепи воспользуемся законом Ома : (2). Определим ток в цепи резисторов R 9 и R 10, для чего подставим в формулу (2) соответств у ю щие данные : Далее определим мощность резисторов R 9 и R 10 в отдельности , для этого воспользуемся формулой (1): Для резистора R 9: мВт. Для резистора R 10: мВт. Аналогично и для остальных резисторов : Ток в цепи R 7 и R 8: Мощно сть : Для резистора R 7: мВт. Для резистора R 8: мВт. При помощи уравнений Кирхофа находим остальные токи : Ток в цепи R 1 и R 2: А. Мощность : Для резистора R 1: мВт. Для резистора R 2: мВт. Ток в цепи R 4 А. Мощность : Для резистора R 4: мВт. Ток в цепи R 3 А. Мощность : Для резистора R 3: мВт. Ток в цепи R 5 А. Мощность : Для резистора R 5: мВт. Дальнейший расчет резисторов будем проводить в соответствии с [ ]. R 1 и R 10 = 12 k Ом. Зададимся коэффициентом влияния = 0.03 и вычислим коэффициенты влияния : ; ; ; . Определим среднее значение и половины полей рассеяния относительной погрешности сопр о тивления , вызва нной изменением температуры по следующим формулам : ; (3). где - среднее значение температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки. , - верхняя и нижняя предельные температуры окружающей среды. ; (4). ; (5). Таким образом , подставляя исходные данные в формулы (3) – (5) получаем следующее : ; ; ; ; . Определим среднее значение и половину поля рассевания относительной погрешности сопр о тивления , вызванное старением резистивного материала по формулам : (7); (6), где - среднее значение коэффициента старения резистивной пленки сопротивления. - половина поля рассеяния коэффициента старения сопротивления резистивной пленки. ; (7). ; (8). Таким образом , получаем следующее : (9); (9); ; (1 0 ) Определи м допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния суммарной отн о сительной погрешности сопротивления по следующей формуле : ; (11) где : , , Положив М R ПР = 0, тогда : ; (12) Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производстве н ной относительн ой погрешности сопротивления по следующей формуле : (13) По дставим вычисленные выше значения в данную формулу , получим : Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности коэффициента формы , по следующей формуле : (14) Подставим значения и получим : Определим расчетное значени е коэффициента форм резистора : (15) Определим ширину резистивной пленки : мм. мм . (16) мм. мм .(17) мм. мм. (18) Определим сопротивление контактного перехода резистора : (19) (20) Проверим следующее условие : (21) Определим длину резистора : мм. мм .(22) Теперь определим среднее значение коэффициента формы : (23) Определим среднее значение М R ПР и половину поля рассеяния R ПР относительной произво д ственной погрешности : (24) % (24) (25) (26) (27) Определим граничные условия поля рассеяния относительной погрешности сопротивления р е зистора : % % (28) % (29) % (30) Определяем длину резистивной пленки и площадь резистора : мм. мм 2 . (31) Определим коэффициент нагрузки резистора : (32) (33) Подобно этому расчету рассчитываем остальные резисторы , а результаты заносим в таблицу № 1. Таблица № 1 Резисторы L ,мм b , мм S, мм P , мВт R1, R10 2.6 0.2 0.52 0.22 R2 1.7 0.2 0.34 0.17 R3 1.2 0.2 0.24 0.06 R4, R7 3.2 0.2 0.64 0.32/0.39 R5 0.9 0.35 0.315 0.11 R6 0.55 0.7 0.385 0.26 R8 0.4 0.65 0.26 0.19 R9 0.75 0.2 0.15 0.35 Конденсаторы Конденсаторы являются широко распространенными элементами гибридных микросхем . Пленочный конденсатор представляет собой последовательно нанесенные на подложку и друг на друга пленки проводника и диэлектрика . Такая конструкция пленочных конденсаторов дел а ет их более сложными элементами микросборок по сравнению с резисторами . Применен ие многослойных конденсаторов с большим числом обкладок приводит к усложн е нию технологии , снижению надежности , электрической прочности конденсаторов и повышение их стоимости . Поэтому в пленочных микросборках в основном применяются лишь трехслойные конденса торы . Все характеристики пленочных конденсаторов зависят от выбранных матери а лов . Диэлектрическая пленка должна иметь высокую адгезию к подложке и металлическим о б кладкам , обладать высокой электрической прочностью и малыми диэлектрическими потерями и многи ми другими требованиями и характеристиками . Под наши номиналы конденсаторов более подходит боросиликатное стекло (ЕТО .035.015.ТУ ) с удельной емкостью 150… 400 пФ /мм 2 , диэлектрической проницаемостью 0 = 4, tg д 0.1… 0.15 10 2 , электрической прочностью Е ПР = 300… 400 В /мкм , ТКЕ 10 4 М д = 0.36, д = 0.01, коэффициентом старения 10 -5 М к д = 1, к д = 0.5. Также имеем технологические ограничения на размеры обкладок : l = b = 0.005мм . – максимальное отклонение размеров о б кладок , М со = 0.01 – среднее значение производственной относительной погрешности удельной емкости , со = 0.005 – половина поля рассеивания производственной от носительной погрешн о сти удельной емкости. Вычислим среднее значение относительной погрешности удельной емкости , Вызванной изм е нением температуры , М cotb при верхней и М cotn при нижней предельной температуре : % % (34) Среднее значение относительной погрешности емкости , вызванной изменением температуры (2.17; 2.18 [5] ): (35) % % Половины полей рассеяния относительной погрешности предельной емкости , вызванной изменением темпер атуры : % (36) Половины полей рассеяния относительной погрешности емкости , вызванной измен ением температуры (2.20; 2.21 [5]): (37) % Среднее значение относительной погрешности удельной емкости , вызванной старением д и электрической пленки : % (38) Среднее значение относительной погрешности емкости , вызванной старением диэлектр и ч е ской пленки (2.23; 2.24 [5]): (39) % Половина поля рассеяния относительной погрешности удельной емкости , вызванной старен и ем диэлектрической пленки : % (40) Половина полей рассеяния относител ьной погрешности емкости , вызванной старением д и электрической пленки (2.26; 2.27 [5]): (41) % Найдем сумму сред них значений относительных погрешностей : % (42) % (43) Вв едем коэффициент запаса на уход емкости под действием не учетных факторов : Определим допустимое значение половины поля рассеяния , производственной относительн ой погрешности активной площади : % % - минимальное значение двух предыдущих. Допустимый коэффициент формы активной площади конденсатора : (46) Коэффициент формы берем из условия 2.39 [5]: (47) К = 1. Определим максимальную удельную емкость , обусловленную заданным допуском на емкость по техническим параметрам : пФ /мм 2 (48) Коэффициент запаса электрической прочности конденсатора принимаем равный 2: Определим максимальную удельную емкость , обусловленную электрической прочностью межслойного диэлектрика и рабочим напряжением : пФ /мм 2 (49) мм . – минимальная толщина диэлектрика , тогда максимальная удельная емкость из допустимого уровня производственног о брака : пФ /мм 2 (50) Определим минимальную удельную емкость , приняв значение максимальной толщины д и электрика : мм. Тогда : пФ /мм 2 (51) Выберем удельную емкость из условия : (52) пФ /мм 2 Определим соответствующую С 0 толщину диэлектрика : мм . (53) Определим расчетную активную площадь конденсатора : мм 2 (54) Определим расчетное значение длины и ширины верхней обкладки конденсатора при выбир а ем коэффициенте формы : мм. мм . (55) С учетом масштаба фото оригинала : мм. мм. = 0.2 мм . – минимальное расстояние краем нижней и верхней обкладок , обусловленное в ы бранной технологией. Определим расчетное значение длины и ширины нижней обкладки конденсатора : мм. мм . (57) С учетом масштаба фото оригинала : мм. мм. мм . – минимальное расстояние между краем нижней обкладки и диэлектрическим сл о ем , обусловленное выбранной технологией. Определим расчетное значение длины и ширины диэлектрического слоя конденсатора : мм. мм . (59) С учетом масштаба фото оригинала : мм. мм. Определим площадь , занимаемую конденсатором : мм 2 (61) Определим точность емкости сконструированного конденсатора . Для этого определим среднее значение относительной погрешности активной площади : (62) Определим среднее значение производственной погрешности : (63) определим поле рассеяния относительной погрешности активной площа ди : (64) Определим поле рассеяния производственной погрешности : (65) Определим положительное и отрицательное значение предельного отклонения емкости : (66) (67) Предельное отклонение емкости будет равно максимальному из этих значений : Проверим условие : Как видно это условие выполняется , из этого следует , что выбранный материал нам подх о дит по своим характеристикам. Пользуясь этим расчетом рассчитываем остальные конденсаторы , а результаты запишим в таблицу № 2. Таблица № 2. L 1 B 1 L 2 B 2 L д B д S S P С 1 ; C 4 14.55 14.55 14.15 14.15 14.75 14.75 217.563 200 С 2 ; C 5 7.15 7.15 6.75 6.75 7.35 7.35 54.022 45.333 С 3 ; C 6 3.55 3.55 3.15 3.15 3.75 3.75 14.063 10 Заключение В ходе данного кур сового проекта была разработана конструкция микросборки усилителя промежуточной частоты . Проведен расчет топологии микросборки (расчет пассивных элементов схемы и их расположения на подложке ). Разработана маршрутная технология микросборки . Сделан анализ к о нструкции микросборки . Таким образом , все требования технического зад а ния были выполнены. Список литературы 1. Коледов Л.А . Конструирование и технология микросхем . Курсовое проектирование . М : «Высшая школа» 1984 г. 2. Парфенов О.Д . Технология микросхем М :«Высшая школа» 1986 г. 3. Сажин Б.Н . Конструирование пассивных элементов плёночных микросборок Рязань РРТИ 1987 г. 4. Сажин Б.Н . Фотолитография в технологии тонкоплёночных микросхем и микросборок Рязань РРТИ 1993 г. 5. Сёмин А.С . Конструирование пассивных элементов плёночных микросборок Рязань РРТИ 1983 г. 6. Сёмин А.С . Конструкция и технология микросхем Рязань РРТИ 1978 г. 7. Сёмин А.С . Конструкция и технология микросхем ч .1. Рязань РРТИ 1981 г. 8. Сёмин А.С . Конструкция и техно логия микросхем ч . 2. Рязань РРТИ 1981 г. 9. Сёмин А.С . Оформление конструкторской документации на плёночные микросборки Рязань РРТИ 1983 г. 10. Сёмин А.С . Методические указания к курсовому проекту по курсу «конструирование и расчет микросхем» Рязань РРТИ 1971 г.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Ну вот и подняли тарифы ЖКХ. А ведь кое-кто утверждал, что наше правительство совсем забыло о своем народе...
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, курсовая по радиоэлектронике "Усилитель промежуточной частоты", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru