Реферат: Проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах

Банк рефератов / Технологии

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 175 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВ АНИЕ СБИС НА БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТА ЛЛАХ В данном реферате рассмат риваются технологии , связанные с особенностями проектирования СБИС на базовых матричных к ристаллах . Рассказывается о самом понятии баз ового матричного кристалла . Анализируются основны е этапы автоматизированного процесса прект ирования. ПОТРЕБНОСТЬ ЭФФЕКТИВНОГО ПРЕКТИРОВАНИЯ СБИС. СТАНДАРТНЫЕ И ПОЛУЗАКАЗНЫЕ ИС. БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ТИПОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. Характерной тенденцией развития элементной базы современной электронно-вычислительной аппарат уры является быстрый рост степени инт еграции . В этих условиях актуальной становитс я проблема ускорения темпов разработки узлов аппаратуры , представляющих собой БИС и СБ ИС . При решении данной проблемы важно учит ывать существование двух различных классов ин тегральных схем : стандартных (или кру п носерийных ) и заказных . К первым относ ятся схемы , объем производства которых достиг ает миллионов штук в год . Поэтому относите льно большие затраты на их проектирование и конструирование оправдываются . Этот класс схем включает микропроцессоры , различного ви д а полупроводниковые устройства памят и (ПЗУ , ОЗУ и т.д .), серии стандартных мик росхем и др . Схемы , принадлежащие ко второ му классу , при объеме производства до неск ольких десятков тысяч в год , выпускаются д ля удовлетворения нужд отдельных отраслей про мышлен н ости . Значительная часть стоим ости таких схем определяется затратами на их проектирование. Основным средством снижения стоимости проектирования и , главное , ускорения темпов ра зработки новых видов микроэлектронной аппаратуры являются системы автоматизирова нного про ектирования (САПР ). В результате совместных дей ствий конструкторов , направленных на уменьшение сроков и снижение стоимости проектирования БИС и СБИС , появились так называемые по лузаказные интегральные микросхемы , в которых топология в значительно й степени оп ределяется унифицированной конструкцией кристалла . Первые схемы , которые можно отнести к д анному классу , появились в 60-х годах . Они изготавливались на унифицированном кристалле с фиксированным расположением функциональных элем ентов . При этом п р оектирование зак лючалось в назначении функциональных элементов схемы на места расположения соответствующих функциональных элементов кристалла и проведени и соединений . Такой кристалл получил название базового , поскольку все фотошаблоны (исключая слои комму т ации ) для его изго товления являются постоянными и не зависят от реализуемой схемы . Эти кристаллы , однако , нашли ограниченное применение из-за неэффект ивного использования площади кристалла , вызванног о фиксированным положением функциональных элемен тов на к р исталле. Для частичной унификации топологии инт егральных микросхем (ИС ) использовалось также проектирование схем на основе набора типовых ячеек . В данном случае унификация состоял а в разработке топологии набора функциональны х (типовых ячеек , имеющих станд артизованны е параметры (в частности , разные размеры п о вертикали ). Процесс проектирования при этом заключался в размещении в виде горизонта льных линеек типовых ячеек , соответствующих ф ункциональным элементам схемы , в размещении л инеек на кристалле и реали з ации связей , соединяющих элементы , в промежутках между линейками . Ширина таких промежутков , наз ываемых каналами , определяется в процессе тра ссировки . Отметим , что хотя в данном случа е имеет место унификация топологии , кристалл не является базовым , посколь к у вид всех фотошаблонов определяется в ходе проектирования. Современные полузаказные схемы реализуются на базовом матричном кристалле (БМК ), соде ржащем не соединенные между собой простейшие элементы (например , транзисторы ), а не функ циональные элементы ка к в рассмотренном выше базовом кристалле . Указанные элементы располагаются на кристалле матричным способом (в узлах прямоугольной решетки ). Поэтому т акие схемы часто называют матричными БИС . Как и в схемах на типовых ячейках топ ология набора логических эл е ментов разрабатывается заранее . Однако в данном сл учае топология логическиго элемента создается на основе регулярно расположенных простейших элементов . Поэтому в ходе проектирования ло гическимих элемент может быть размещен в любом месте кристалла , а для с о здания всей схемы требуется изготовить только фотошаблоны слоев коммутации . Основные достоинства БМК , заключающиеся в снижении стоимости и времени проектирования , обусловлены : применением БМК для проектирования и изг отовления широкого класса БИС ; уменьшен и ем числа детализированных решений в х оде проектирования БИС ; упрощением контроля и внесения изменений в топологию ; возможностью эффективного использования автоматизированных м етодов конструирования , которая обусловлена однор одной структурой БМК. Наряду с отмеченными достоинствами БИС на БМК не обладают предельными для данного уровня технологии параметрами и , как правило , уступают как заказным , так и стандартным схемам . При этом следует разл ичать технологические параметры интегральных мик росхем и функциона л ьных узлов (уст ройств ), реализованных на этих микросхемах . Хот я технологические параметры стандартных микросхе м малой и средней степени интеграции наиб олее высоки , параметры устройств , реализованных на их основе , оказываются относительно низк ими. ОСНОВНЫЕ ТИПЫ БМК Базовый кристалл представляет собой пр ямоугольную многослойную пластину фиксированных размеров , на которой выделяют периферийную и внутреннюю области . В периферийной области располагаются внешние контактные площадки (ВКП ) для осуществления внешн его подсоединени я и периферийные ячеики для реализации бу ферных схем . Каждая внешняя ячейка связана с одной ВКП и включает диодно-транзисторную структуру , позволяющую реализовать различные буферные схемы за счет соответствующего соед инения элементов этой с труктуры . В общем случае в периферийной области могут находиться ячейки различных типов . Причем периферийные ячейки могут располагаться на БМК в различных ориентациях (полученных пов оротом на угол , кратный 90', и зеркальным отр ажением ). Под базовой ориент а цией ячейки понимают положение ячейки , расположенной на нижней стороне кристалла. Во внутренней области кристалла матричным способом располагаются макроячейки для реали зации элементов проектируемых схем . Промежутки между макроячейками используются для элек трических соединений . При матричном распо ложении макроячеек область для трассировки ес тественным образом разбивается на горизонтальные и вертикальные каналы . В свою очередь в пределах макроячейки матричным способом располагаются внутренние ячейки для реал и зации логических элементов . Причем наряду с размещением ячеек "встык " применяется р азмещение с зазорами , в которых могут пров одиться трассы электрических соединений. Особенностью ячейки является специальное расположение выводов , согласованное со структур о й макроячейки . А именно , ячейки разме щаются таким образом , чтобы выводы ячеек о казались на периферии макроячейки . Так , в одной из макроячеек выводы каждой ячейки дублируются на верхней и нижней ее сторон ах . При этом имеется возможность подключения к любом у выводу с двух стор он ячейки , что создает благоприятные условия для трассировки . Последнее особенно важно при проектировании СБИС. В другой макроячейке выводы ячейки ра сполагаются только на одной стороне , т . е . выводы ячеек верхнего ряда находятся на верхн ей стороне макроячейки , а нижнег о -- на нижней . Применение таких макроячеек позволяет сократить требуемую площадь кристалла , но приводит к ухудшению условий для трассировки . Поэтому данный тип макроячеек ис пользуется лишь при степени интеграции , не превыш а юшей 100 - 200 вентилей на кристалл . Отметим , что в некоторых типах БМК , к роме однотипных макроячеек , во внутренней обл асти могут присутствовать специализированные мак роячейки , реализующие типовые функциональные узлы (например , запоминающее устройство ). П омимо ячеек , являющихся заготовкам и для реализации элементов , на БМК могут присутствовать фиксированные части соединений . К ним относятся шины питания , земли , син хронизации и заготовки для реализации частей сигнальных соединений . Например , для макрояче ек ( b) шины питания и земли пров одятся вдоль верхней и нижней сторон соот ветственно . Для макроячеек (a,d) шины проводятся в доль линии , разделяюшей верхний и нижний р яды ячеек , что приводит к уменьшению потер ь площади кристалла . Для реализации сигнальны х соеди н ений на БМК получили распространение два вида заготовок : фиксированное расположение однонаправленных (горизонтальных ил и вертикальных ) участков трасс в олном сло е ; фиксированное расположение участков трасс в одном слое и контрактных окон , обеспечив аюших в ы ход фиксированных трасс в о второй слой. В первом случае для реализации ком мутации проектируемой схемы не требуется разр аботка фотошаблона фиксированного слоя , т . е . число разрабатываемых фотошаблонов уменьшается на единицу . Во втором случае число разр абат ываемых фотошаблонов уменьшается на д ва (не требуется также фотошаблон контактных окон ). Отметим , что в настоящее время получили распространение различные виды формы и расположения фиксированных трасс и конта ктных окон . Целесообразность использования того или иного вида определяется типом макроячеек , степеныо интеграции кристалла и объемом производства. При реализации соединений на БМК ч асто возникает необходимость проведения трассы через область , занятую макроячейкой . Такую т рассу будем называть транзитно й . Для о беспечения такой возможности допускается : проведе ние соединения через область , занятую ячейкой , проведение через зазоры между ячейками . Первый способ может применяться , если в яч ейке не реализуется элемент , или реализация элемента допускает исполь з ование ф иксированных трасс и неподключенных выводов д ля проведения транзитной трассы. Таким образом , в настоящее время ра зработано большое многообразие типов БМК , кот орые имеют различные пераметры . При проектиро вании микросхем на БМК необходимо учитывать конструктивно-технологические характеристики к ристалла . К ним относятся геометрические пара метры кристалла , форма и расположение макрояч еек на кристалле и ячеек внутри макроячее к , расположение шин и способ коммутации си гнальных соединений. Итак , следует о тметить , что зада ча определения структуры БМК является достато чно сложной , и в настоящее время она р ешается конструктором преимущественно с использо ванием средств автоматизации. РЕАЛИЗАЦИЯ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА БМК Выше было показано , что БМК предста в ляет собой заготовку , на которой опре деленным образом размещены электронные приборы (транзисторы и др .). Следовательно , проектирование микросхемы можно было бы вести и на приборном уровне . Однако этот способ не находит распространения на практике по с леду ю щим причинам . Во-первых , возникает задача большой размерности . Во-вторых , учитыва я повторяемость структуры частей кристалла и логической схемы , приходится многократно реш ать однотипные задачи . Поэтому применение БМК предполагает использование библиотеки т и повых логических злелентов , которая разра батывается одновременно с конструкцией БМК . В этом отношении проектирование матричных БИС подобно проектированию печатных плат на базе типовых серий микросхем. Таким образом , при применении БМК п роектируемая схема описывается на уровне логических элементов , а каждый элемент соде ржится в библиотеке . Эта библиотека формирует ся заранее . Она должна обладать функционально й полнотой для реализации широкого спектра схем . Традиционно подобные библиотеки содержат следующие э лементы : И-НЕ , ИЛИ-НЕ , триггер , входные , выходные усилители и др . Для реализации элемента используется одна или несколько ячеек кристалла , т . е . размеры элемента всегда кратны размерам ячейки . Топ ология элемента разрабатывается на основе кон струкции ячейк и и представляет собо й совокупность трасс , которые совместно с имеющимися на кристалле постоянными частями р еализуют требуемую функцию . Именно описание у казанных соединений и хранится в библиотеке. В зависимости от того , на каких ячейках реализуются элемен ты , можно выдел ить внешние (согласующие усилители , буферные с хемы и др .) и внутренние , или просто ло гические элементы . Если внешние элементы имею т форму прямоугольников независимо от типа кристалла , то для логических элементов суше ствует большое разнообра з ие форм , которое определяется типом макроячеек . При эт ом следует иметь в виду , что каждая фо рма может быть реализована с поворотом от носительно центра макроячейки на угол , кратны й 90'. Для расширения возможностей наилучшего ис пользования площади кристалла для каж дого логического элемента разрабатываются вариан ты тапологии , позволяющие его реализовать в различных частях макроячейки . Поскольку структу ра макроячейки обладает симметрией , то эти варианты топологии , как правило , могут быть получены из базового в р ащением относительно осей симметрии. При проектировании на уровне элементов существенными данными являются форма логичес кого элемента и расположение его выводов ( цоколевка ). СИСТЕМЫ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ МАТРИЧНЫХ БИС . ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ПРОЕ КТИРОВАНИЯ Задача конструирования матричных БИС с остоит в переходе от заданной логической схемы к ее физической реализации на основ е БМК . При этом исходные данные представля ют собой описание логической схемы на уро вне библиотечных логических элементов , тр ебования к его функционированию , описание кон струкции БМК и библиотечных элементов , а т акже технологические ограничения . Требуется получ ить конструкторскую документацию для изготовлени я работоспособной матричной БИС . Важной харак теристикой любой электронн о й аппарату ры является плотность монтажа . При проектиров ании матричных БИС плотность монтажа определя ется исходными данными . При этом возможна ситуация , когда искомый вариант реализации не существует . Тогда выбирается одна из двух альтернатив : либо матричн а я БИС проектируется на БМК больших размеров , ли бо часть схемы переносится на другой крис талл , т . е . уменьшается объем проектируемой схемы. Основным требованием к проекту являетс я 100%-ная реализация соединений схемы , а тра диционным критерием , оценивающими проект , су ммарная длина соединений . Именно этот показат ель связан с такими эксплуатационными парамет рами , как надежность , помехоустойчивость , быстродей ствие . В целом задачи конструирования матричн ых БИС и печатных плат родственны , что определяется заране е заданной формой элементов и высоким уровнем унификации к онструкций . Вместе с тем имеют место следу ющие отличия : - элементы матричных БИС имеют более сложную форму (не прямоугольную ); - наличие нескольких вариантов реализации одного и того же типа элемента ; - позиции для размещения элементов групп ируются в макроячейки ; - элементы могут содержать проходы для транзитных трасс ; - равномерное распределение внешних элементо в по всей периферии кристалла ; - ячейка БМК , не занятая элементом , мо жет использоваться дл я реализации соедине ний ; - число элементов матричных БИС значител ьно превышает значение соответствующего параметр а печат ных плат. Перечисленные отличия не позволяют неп осредственно использовать САПР печатных плат для проектирования матричных БИС . Поэтому в настоящее время используются и разрабаты ваются новые САПР , предназначенные для проект ирования матричных БИС , а также дорабатываютс я и модернизируются уже действующие САПР печатных плат для решения новых задач . Реа лизация последнего способа особенно упр о щается , когда в системе имеется набор программ для решения задач теории графов , возникающих при конструировании. Поскольку трассировка соединений на БМ К ведется с заданным шагом на дискретном рабочем поле (ДРП ), то необходимо чтобы выводы элементов попада ли в клетки ДРП . Однако внешние выводы макроячеек могут располагаться с шагом , не кратным шагу ДРП . В этом случае используется простой пр ием введения фиктивных контактных площадок , с вязанных с внутренними частями ячейки . Если трасса к макроячейке не подхо д ит , то область фиктивной площадки остается свободной. При разработке САПР БИС на БМК не обходимо учитывать требования к системам , дик туемые спецификой решаемой задачи . К ним о тносятся : 1. Реализация сквозного цикла проектирования от схемы до комплектов маш инных документов на изготовление , контроль эксплуатацию матричных БИС. 2. Наличие архива данных о разработках , хранимого на долговременных машинных носителях информации. 3. Широкое применение интерактивных режимов на всех этапах проектирования. 4. Обесп ечение работы САПР в режи ме коллективного пользования . Учитывая большую размерность залачи проектирования , большинство существующих САПР матричных БИС реализовано н а высокопроизводительных ЭВМ . Однако в послед нее врем все больше зарубежных фирм приме няет и мини-ЭВМ. ОСНОВНЫЕ ЭТАПЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ Процесс проектирования матричных БИС т радиционно делится на следующие укрупненные э тапы : 1. Моделирование функционирования объекта пр оектирования. 2. Разработка топологии. 3. Контроль результатов проектирования и доработка. 4. Выпуск конструкторской документации. Рассмотрим каждый шаг в отдельности . Поскольку матричная БИС является ненастраиваем ым и не ремонтоспособным объектом , то необ ходимо еще на этапе проектирования обеспечить его правильное функционирование. Достижение этой цели возможно двумя способами : созда нием макета матричных БИС на основе дискр етных элементов и его испытанием и матема тическим моделированием . Первый способ связан с большими временными и стоимостными затрата ми . Поэтому макет используется тогда , когда он специально не разрабатывается , а уже существует (например , при переходе от реализации устройств на печатных платах к матричным БИС ). Второй способ требует со здания эффективной системы моделирования схем большого размера , так как при модели р овании необходимо учитывать схемное окружение матричных БИС , которое по числу элементов во много раз больше самой схемы. Этап разработки топологии связан с решением следуюших задач : размещение элементов на БМК , трассировка соединений , корректировка тополо гии . Иногда в качестве предварите льного шага размещения решается специальная з адача компоновки (распределения элементов по макроячейкам ). В этом случае возможны различны е методы решения задачи размещения . Первый метод состоит в том , чтобы после компон овки размещать группы элементов , соотв етствующих макроячейкам , а затем размещать эл ементы внутри каждой макроячейки . При этом критерий оптимальности компоновки вклкючает со ставляющие , определяемые плотностью заполнения ма кроячеек и связностью элементов макрояч е йки . Достоинствами этого метода являются сокращение размерности задачи размещения и сведение исходной задачи к традиционным задачам компоновки и размещения . Возможность применения традиционных методов компоновки предо пределяется тем , что условие существов а ния реализации группы элементов в мак роячейке для получивших распространение БМК л егко выражается через суммарную площадь элеме нтов и отношение совместимости пар элементов . Отметим , что так как расположение элемен тов внутри макроячеек существенно влияет н а условия трассировки соединений ме жду макроячейками , рассмотренный метод решения задачи размещения для некоторых типов БМК может давать сравнительно низкие результаты. Другой метод размещения состоит в распределении элементов по макроячейкам с уче том коор динат макроячеек . В этом случа е в ходе компоновки определяются координаты элементов с точностью до размеров макроя чеек и появляется возможность учета положения транзитных трасс . Для матричных схем небо льшой степени интеграции (до 1000 элементов на кристал л е ) применяются модификации традиционных алгоритмов размещения и трассировки . Для СБИС на БМК необходима разработка специальных методов. Задача корректировки топологии возникает в связи с тем , что существующие алгорит мы размещения и трассировки могут не на йти полную реализацию объекта проектирова ния на БМК . Возможна ситуация , когда алгор итм не находит размещение всех элементов на кристалле , хотя суммарная площадь элементо в меньше площади ячеек на кристалле . Это положение может быть обусловлено как сло жност ь ю формы элементов , так и необходимостью выделения ячеек для реализации транзитных трасс . Задача определения минимал ьного числа макроячеек для размещения элемент ов сложной формы представляет собой известную задачу покрытия. Возможность отсутствия полной тр ас сировки обусловлена эвристическим характером при меняемых алгоритмов . Кроме того , в отличие от печатных плат навесные проводники в ма тричных БИС запрещены . Поэтому САПР матричных БИС обязательно включает средства корректиро вки топологии . При этом в проце с се корректировки выполненяются следующие операции : выделение линии содиняемых фрагментов ; изменение положения элементов и трасс с контролем вносимых изменений ; автоматическая тр ассировки указанных соединений ; контроль соответс твия результатов трассировки и сходной схеме . Уже сейчас актуальной является задач а перепроектирования любого фрагмента топологии . Для матричных БИС таким фрагментом может быть канал для трассировки , или макроячей ка , в которой варьируется размещение элементо в и др . Решение последней за д а чи , помимо реализации функций проектирования с заданными граничными условиями (определяемыми окружением фрагмента ), требует разработки аппар ата формирования подсхемы , соответствующей выделе нному фрагменту. На этапе контроля проверяется адекватн ость получ енного проекта исходным данным . С этой целью прежде всего контролируется соответствие топологии исходной принципиальной (логической ) схеме . Необходимость данного вида контроля обусловлена корректировкой топологии , выполненной разработчиком , поскольку этог процесс может сопровождаться внесением ош ибок . В настоящее время известны два спосо ба решения рассматриваемой задачи . Первый сво дится к восстановлению схемы по топологии и дальнейшему сравнению ее с исходной . Эта задача близка к проверке изоморфизма графо в . Однако на практике для е е решения может быть получен приемлемый п о трудоемкости алгоритм ввиду существования ф иксированного соответствия между некоторыми элем ентами сравниваемых объектов . Дополнительная слож ность данной задачи связана с тем , что в проце с се проектирования происход ит распределение инвариантных объектов (например , логически эквивалентных выводов элементов ), п оэтому для логически тождественных схем могут не существовать одинаковые описания и , сл едовательно , требуются специальные модели , отоб р ажающие инвариантные элементы . В общем случае универсальные модели для предста вления инвариантных элементов не известны , чт о и явилось одной из причин развития второго способа , согласно которому проводится повторное логическое моделирование восстановленно й схемы. Функционирование спроектированной схемы мо тает отличаться от требуемого не только и з-за ошибок , внесенных конструктором , но и в результате образования паразитных элементов . Поэтому для более полной оценки работоспос обности матричных БИС при восста новлении схемы по топологии желательно вычислять значения параметров паразитных емкостей и соп ротивлений и учитывать их при моделировании на логическом и схемотехническом уровнях. Существуют причины , по которым перечисл енные методы контроля не позволяют г а рантировать работоспособность матричных БИС . К ним относятся , например , несовершенства моделей и методов моделирования . Поэтому контроль с помощью моделирования дополняется контролем опытного образца . Для этого на этапе лроектирования с помощью специальн ы х программ осуществляется генерация тестов для проверки готовых БИС . Отметим , что при проектировании матричных БИС проведение трудое мкого геометрического контроля не требуется , так как трассировка ведется на ДРП , а топология элементов контролируется при и х разработке. Заключительным этапом проектирования матри чных БИС является выпуск конструкторской доку ментации , которая содержит информацию (на соот ветствующих носителях ) для управления технологиче скими станками-автоматами и сопроводительные черт ежи и табли цы , состав и содержание которых регламентируются ГОСТами , а оформление - требованиями ЕСКД . Для автоматизированного в ыпуска графической и текстовой документации о бычно разрабатывается входной язык , который п озволяет : компактно и наглядно описывать отде льн ы е фрагменты документа ; размещать отдельные фрагменты на площади документа ; извлекать требуемую информацию из архива и включать ее во фрагменты документов ; расп ечатывать требуемый документ.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Неизвестное существо напало вчера вечером на сантехника Петровича, ударило его по почкам, забрало остатки получки, обозвало пьяным козлом и скрылось обратно в "бобик".
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru