Контрольная: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - текст контрольной. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Контрольная

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Контрольная работа
Язык контрольной: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 1960 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникальной работы

Узнайте стоимость написания уникальной работы

2 УПИ – УГТУ Кафедра радио приёмные устройства. Контрольная работа № 2 по дисциплине : “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “. Вариант № 17 Шифр : Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс : 3 Работу не высылать. УПИ – УГТУ Кафедра радиоприёмные устройства. Контрольная работа № 2 по дисциплине : “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “. Вариант № 17 Шифр : Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс : 3 Работу не высылать. Аннотация. Целью работы является активизация самостояте льной учебной работы , развитие умений выполнять информационный поиск , пользоваться справочной литературой , определять параметры и характеристики , эквивалентные схемы полупроводниковых приборов. Исходные данные : Тип транзистора …………………………………………… …………………… ГТ 310Б Величина напряжения питания Е п …………………………………………… ... 5 В Сопротивление коллекторной нагрузки R к …………………………………… 1,6 кОм Сопротивление нагрузки R н …………………………………………………… . 1,8 кОм Схема включения транзистора с о бщим эмиттером , с фиксированным током базы , с резистивно - ёмкостной связью с нагрузкой. Биполярный транзистор ГТ 310Б. Краткая словесная характеристика : Транзисторы германиевые диффузионно - сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты . Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами . Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 г.. Электрические параметры. Коэффициент шума при ѓ = 1,6 МГц , U кб = 5 В , I Э = 1 мА не более …………… . 3 дБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при U кб = 5 В , I Э = 1 мА , ѓ = 50 – 1000 Гц ……………………………… .. 60 – 180 Модуль коэффициента передачи тока H 21э при U кб = 5 В , I Э = 5 мА , ѓ = 20 МГц не менее ………………………… ... 8 Постоянная времени цепи обратной связи при U кб = 5 В , I Э = 5 мА , ѓ = 5 МГц не более ………………………….… 300 пс Входное сопротивление в схеме с общей базой при U кб = 5 В , I Э = 1 мА …………………………………………………… 38 Ом Выходная проводимость в схеме с общей базой при U кб = 5 В , I Э = 1 мА , ѓ = 50 – 1000 Гц не более …………………… .. 3 мкСм Ёмкость коллектора при U кб = 5 В , ѓ = 5 МГц не более ………………………… 4 пФ Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение коллектор - эмиттер : при R бэ = 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В при R бэ = 200 кОм ……………….……………………………………… .. 6 В Постоянное напряжени е коллектор - база ……………………………………… ... 12 В Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ……… ... 20 мВт Тепловое сопротивление переход - среда ……………………………………… ... 2 К /мВт Температура перехода …………………………………………………………… . 348 К Температура окружающей среды ……………………………………………… ... От 233 до 328 К Примечание . Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора , мВт , при Т = 308 – 328 К определяется по формуле : P К.макс = ( 348 – Т )/ 2 Входные характеристики. Для температуры Т = 293 К : I б , мк А 200 160 120 80 40 0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 U бэ ,В Выходные характеристики. Для температуры Т = 293 К : I к , мА 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 1 2 3 4 5 6 U кэ ,В Нагрузочная прямая по постоянному току. Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером : Построим нагрузочную прямую по двум точкам : при I к = 0, U кэ = Е п = 9 В , и при U кэ = 0, I к = Е п / R к = 9 / 1600 = 5,6 мА I к , мА 6 5 4 А 3 I к0 2 1 0 1 2 3 4 5 U кэ0 6 7 8 9 Е п U кэ ,В I б , мк А 50 40 30 I б0 20 10 0 0,15 0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27 0,29 U бэ0 0,31 U бэ ,В Параметры режима покоя (рабочей точки А ): I к0 = 3 мА , U кэ0 = 4,2 В , I б0 = 30 мкА , U бэ0 = 0,28 В Величина сопротивления R б : Определим H – параметры в рабочей точке. I к , мА 6 5 4 Д I к0 3 Д I к 2 1 0 1 2 3 4 5 U кэ0 6 7 8 9 Е п U кэ ,В Д U кэ I б , мк А 50 40 Д I б 30 I б0 20 10 0 0,15 0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27 0,29 U бэ0 0,31 U бэ ,В Д U бэ Д I к0 = 1,1 мА , ?I б0 = 10 мкА , ?U бэ = 0,014 В , Д I б = 20 мкА , ?U кэ = 4 В , ?I к = 0,3 мА H -параметры : Определим G – параметры. Величины G -параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц : G -параметр : G 11э = 1,4 мСм , G 12э = - 0,4*10 – 6 G 21э = 0,15 , G 22э = 4,1*10 – 3 Ом Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора. Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора : Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными ): Собственная постоянная времени транзистора : Крутизна : Определим граничные и предельные частоты транзистора. Граничная частота коэффициента передачи тока : Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером : Максимальная частота генерации : Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером : Предельная частота проводимости прямой передачи : Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую. Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току : Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя I к0 = 3 мА , U кэ0 = 4,2 В и точку с координатами : I к = 0, U кэ = U кэ0 + I к0 *R ~ = 4,2 + 3*10 – 3 * 847 = 6,7 В I к , мА 6 5 4 А 3 I к0 2 1 0 1 2 3 4 5 U кэ0 6 7 8 9 Е п U кэ ,В Определим динамические коэффициенты усиления. I к , мА 6 5 А 4 Д I к 3 I к0 2 1 0 1 2 3 4 5 U кэ0 6 7 8 9 Е п U кэ ,В Д U кэ I б , мк А 50 40 Д I б 30 I б0 20 10 0 0,15 0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27 0,29 U бэ0 0,31 U бэ ,В Д U бэ Д I к = 2,2 мА , ?U кэ = 1,9 В , ?I б = 20 мкА , ?U бэ = 0,014 В Динамические коэффициенты усиления по току К I и напряжению К U определяются соотношениями : Выводы : Данная работа активизировала самостоятельную работу , развила умение выполнять инф ормационный поиск , пользоваться справочной литературой , определять параметры и характеристики , эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов , дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах. Библиографический список. 1) “Электронные приборы : учебник для вузов” Дулин В.Н ., Аваев Н.А ., Демин В.П . под ред . Шишкина Г.Г . ; Энергоатомиздат , 1989 г.. 2) Батушев В.А . “ Электронные приборы : учебник для вузов” ; М .: Высш.шк ., 1980г. 3) Батушев В.А . “ Электронные приборы : уче бник для вузов” ; М .: Высш.шк ., 1969г. 4) Справочник “ Полупроводниковые приборы : транзисторы” ; М .: Энергоатомиздат , 1985г.. 5) Справочник по полупроводниковым диодам , транзисторам и интегральным схемам ; М .: Энергия , 1976г .. 6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ” ; М .: Радио и связь , 1981г..
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
- Доктор, а я могу от секса похудеть?
- Если муж узнает, то да!
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, контрольная по радиоэлектронике "Элементная база радиоэлектронной аппаратуры", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru