Реферат: Приборы полупроводниковые - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Приборы полупроводниковые

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 237 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Приборы полупроводниковые Термины и определения ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80) Физические элементы полупроводниковых приборов Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang ( Sperrschicht ), Junction ) – переход ный слой в полупроводниковом материале между двумя о б ластями с различными типами электропроводн ости или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть мета л лом). Электронно-дырочный переход ( p - n переход, pn - Ubergang , P - N Junction ) – электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n-т ипа, а другая p-типа. Электронно-электронный переход ( n - n + переход, n - n + - Ubergang , N - N + junction ) – электрический переход между двумя областями полупроводн и ка n-типа, об ладающими различными значениями удельной электрической пр о водимости. Дырочно-дырочный переход ( p - p + переход, p - p + - Ubergang , P - P + junction ) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обл а дающими различными значениями удельной электрической проводимо сти. Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной элек трической проводимостью. Резкий переход ( Steiler Ubergang , Abrupt junction ) – электрический пер е ход, в котором толщина области изменения кон центрации примеси знач и тельно мен ьше толщины области пространственного заряда. Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении гради ента концентрации примеси. Плавный переход ( Stetiger Ubergang , Graded junction ) – электрический переход, в котором т олщина области изменения концентрации примеси сра в нима с толщиной области пространственного заряда. Плоскостной переход ( Flachenubergang , Surface junction ) – электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, знач и тельно больше толщины. Точечный переход ( Punktubergang , Point - contact junction ) – электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определя ю щей физические процессы в переходе и в окруж ающих его областях. Диффузионный переход ( Diffundierter Ubergang , Diffused junction ) – эле к трический переход, полученный в результате диффузии атомов прим еси в п о лупроводнике. Планарный переход ( Planarubergang , Planar junction ) – диффузионный п е реход, образованный в результате д иффузии примеси сквозь отверстие в з а щитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника. Конверсионный переход ( Konversionsubergang , Conversion junction ) – электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванно й обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов п римеси. Сплавной переход ( Legierter Ubergang , Alloyed junction ) – электрический переход, образованн ый в результате вплавления в полупроводник и последу ю щей рекристаллизации металла или сплава, со держащего донорные и (или) а к цептор ные примеси. Микросплавной переход ( Mikrolegierter Ubergang , Micro - alloy junction ) – сплавной переход, образованный в результате вплавления на ма лую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на пов ерхность пол у проводника. Выращенный переход ( Gezogener Ubergang , Grown junction ) – электр и че c кий переход, образ ованный при выращивании полупроводника из расплава. Эпитаксиальный переход ( Epitaxieubergang , Epitaxial junction ) – электр и ческий переход, образованный эпитаксиал ьным наращиванием. Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке слоя полупрово д ника, сохраняющего кристаллическу ю структуру подложки. Гетерогенный переход (гетеропереход, Heteroubergang , Heterogenous junction ) – элек трический переход, образованный в результате контакта пол у проводников с различной шириной запрещенно й зоны. Гомогенный переход (гомопереход, Homogener Ubergang , Homogenous junction ) – электрический переход, образованн ый в результате контакта пол у прово дников с одинаковой шириной запрещенной зоны. Переход Шоттки ( Schottky Ubergang , Schottky junction ) – электрический переход, образованн ый в результате контакта между металлом и полупроводн и ком. Выпрямляющий переход ( Gleichrichterubergang , Rectifying junction ) – электричес кий переход, электрическое сопротивление которого при одном направлен ии тока больше, чем при другом. Омический переход ( Ohmischer Ubergang , Ohmic junction ) – электрич е ский переход, электрическое сопротивление которого не зав исит от напра в ления тока в заданном диапазоне значений токов. Эмиттерный переход ( Emitterubergang , Emitter junction ) – электрический переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибо ра. Коллекторный переход ( Kollektorubergang , Collector junction ) – электр и ческий переход между базовой и коллектор ной областями полупроводникового прибора. Дырочная область ( p -область, Defektelektronengebiet , P - region ) – область в полупроводнике с преобла дающей дырочной электропроводностью. Электронная область ( n -область, Elektronengebiet , N - region ) – область в полупроводнике с преобла дающей электронной электропроводностью. Область собственной электропроводности ( i -область, Eigenleitungsgebiet , Intrinsic region ) – область в полуп роводнике, обладающая свойствами собстве н ного полупроводника. Базовая область (База, Basisgebiet , Base region ) – область полупрово дн и кового прибора, в которую инжект ируются неосновные для этой области нос и тели заряда. Эмиттерная область (Эмиттер, Emittergebiet , Emitter region ) – область пол упроводникового прибора, назначением которой является инжекция носит е лей заряда в базовую область. Коллекторная область (Коллектор, Kollektorgebiet , Collector region ) – о б ласть полупроводникового прибора, назна чением которой является экстракция носителей из базовой области. Активная часть базовой области биполярного транзисто ра ( Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors , Active part of base region ) – часть б а зовой области бип олярного транзистора, в которой накопление или рассасыв а ние неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному перехо ду. Пассивная часть базовой области биполярного транзист ора ( Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors , Passive part of base region ) – часть б а зовой области бип олярного транзистора, в которой для накопления или расс а сывания неосновных носителей заряда необхо димо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к к оллекторному переходу. Проводящий канал ( Kanal , Channel ) – область в полупроводнике, в кот о рой регулируется поток носителей заряда. Исток ( Source , Sourse ) – электрод по левого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители з аряда. Сток ( Drain , Drain ) – электрод пол евого транзистора, через который из проводящего канала вытекают носите ли заряда. Затвор ( Gate , Gate ) – электрод пол евого транзистора, на который подае т ся электрический сигнал. Структура полупроводникового прибора (Структура, Struktur eines Halbleiterbauelementes , Structure ) – последователь ность граничащих друг с др у гом обла стей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значе нию удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупрово д ник о вым прибором его функций. Примечания: 1. Примеры структур полупроводниковых приборов: p - n ; p - n - p ; p - i - n ; p - n - p - n и др. 2. В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик. Структура металл-диэлектрик-полупроводник (Структура МДП, Metall - Dielektrikum - Halbleiter - Struktur ( MIS - Struktur ), MIS - Strusture ) – структура, сост о ящая из последовательного сочетания металл а, диэлектрика и полупрово д ника. Структура металл-окисел-полупроводник (Структура МОП, Metall - Oxid - Halbleiter - Struktur ( MOS - Struktur ), MOS - Strusture ) – структура, состоящая из п о следовательного сочетания металла, окис ла на поверхности полупроводника и полупроводника. Мезаструктура ( Mesastruktur , Mesa - structure ) – структура, имеюща я фо р му выступа, образованного удал ением периферийных участков кристалла пол у проводника либо наращиванием. Обедненный слой ( Verarmungsschicht , Depletion layer ) – слой полупр о водника, в котором концентрация основ ных носителей заряда меньше разности концентрации ионизированных дон оров и акцепторов. Запирающий слой ( Sperrschicht , Barrier region ( layer )) – обедненный слой между двумя област ями полупроводника с различными типами электропрово д ности или между полупроводником и металлом. Обогащенный слой ( Anreicherungsschicht , Enriched layer ) – слой полупр о водника, в котором концентрация основ ных носителей заряда больше разности концентрации ионизированных дон оров и акцепторов. Инверсный слой ( Inversionsschicht , Invertion layer ) – слой у поверхно сти полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от ти па эле к тропроводности в объеме пол упроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных сост ояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности пот енциалов. Явления в полупроводниковых пр иборах Прямое направле ние для p - n перехода ( Durchlassrichtung des pn - Uberganges , Forward direction of a P - N junction ) – направление приложения напряжения, при котором происходит по нижение потенциального барьера в p - n переходе. Направление п остоянного тока, в котором p - n переход имеет наименьшее сопр отивление. Обратное направление для p - n перехода (Sperrichtung des pn -Uberganges, Reverse direction of а P-N junction) – направление приложения напряжения, пр и котором происходит повышение потенциального барьера в p - n переходе. Направление постоянного тока, в котором p - n переход имеет наибольшее с о п ротивление. Пробой p - n перехода (Durchbruch des pn-Uberganges, Breakdown оf a P-N junction) – явление р езкого увеличения дифференциальной проводимости p - n перехода при достижения обратным напряжением (током) критическог о для данного прибора значения. (Необратимые изменения в переходе не явл яются необходимым следствием пробоя). Электрический пробой p - n перехода (Elektrischer Durchbruch des pn-Uberganges, P-N junction eltctrical breakdown) – пробой p - n перехода, обу сло в ленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом. Лавинный пробой p - n перехода (Lawinendurchbruch des pn-Uberganges, P-N junction avalanche breakdown) – электрический пробой p - n перехода, в ы званный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля. Туннельный пробой p - n перехода (Tunneldurchbruch des р n -Uberganges, Zenner (tunnel) breakdown) – электрический пробой p - n перехода, вызванный туннельным эф фектом. Тепловой пробой p - n перехода (Thermischer Durchbruch des pn-Uberganges, P-N junction thermal breakdown) – пробой p - n перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выд е ляемым в p - n переходе и отводимым от него теплом. Модуляция толщины базы (Modulation der Basisbreite, Base thickness m odulation) – изменение толщины базовой области, вызванное изменен ием толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряже ния, приложенного к коллекторному переходу. Эффект смыкания ("прокол базы", Durchgreifeffekt, punch-through) – см ы кание обедненного слоя колл екторного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой о бласти с обедненным слоем эмиттерного перехода. Накопление неравновесных носителей заряда в базе (Speicherung von Uberschussladungstragern in der Basis, Minority carrier st o rage in the base) – увел и чение концентрации и величины зарядов, образ ованных неравновесными нос и телям и заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате ген е рации носителей заряда. Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе (Abbau von U berschussladungstragern in der Basis, Excess carrier resorption in the base) – уменьшение концентрации и величины зарядов, об разованных неравновесными носителями заряда в базе в результате умень шения инжекции или в результате рекомбинации. Восстановление прямого сопротивления полупроводник ового диода (Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halblelterdiode, Forward recovery) – переходный проце сс, в течение которого прямое сопротивление перехода пол у проводникового диода устанавливается до по стоянного значения после быстр о го включения перехода в прямом направлении. Восстановление обратного сопротивления диода (Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode, Reverse recovery) – переходный процесс, в течение котор ого обратное сопротивление перехода полупроводникового ди о да восстанавливается до постоянного значен ия после быстрого переключения перехода с прямого направления на обрат ное. Под словом "быстрый" понимается изменение тока или напряжения за время, с равнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установл ения или восстановления сопротивления. Закрытое состояние тиристора (Blockierzustand eies Thyristors, Off-state of a thyristor) – состояние тиристора, соответствующее участку прям ой ветви вол ь тамперной характерис тики между нулевой точкой и точкой переключения. Открытое состояние тиристора (Durchlasszustand eines Thyristors, On-state of a thyristor) – состояние тиристора, соответствующее низковольтн ому и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной характеристики. Непроводящее состояние тиристора в обратном направле нии (Sperrzustand eines Thy ri stors, Reverse blocking state of a thyristor) – состояние т и ристора, соответствующее участку вольтамперной характеристики при обра т ных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя . Переключение тиристора (Umschalten eines Thyristors, Switching of a t hyristors) – переход тиристора из зак рытого состояния в открытое при отсу т ствии тока управления на выводе управляющего электрода. Включение тиристора (Zunden eines Thyristors, Gate triggering of a t hyristor) – переход тиристора из закрыт ого состояния в открытое при подаче тока управления. Выключение тиристора (Ausschalten eines Thyristors, Gate turning-off of a thyristor) – переход тиристора из открытого состояния в закрыт ое при прилож е нии обратного напряж ения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления. Виды полупроводниковых прибо ров Полупроводниковый прибор (Halbleiterbauelement, Semiconductor device) – прибор, действие которого основано на ис пользовании свойств пол у проводни ка. Силовой полупроводниковый прибор (Halbleiterleistungsbauelement, S emiconductor power device) – полупрово дниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электр отехнических устройств. Полупроводниковый блок (Semiconductor assembly) – совокупность п о лупроводниковых приборов, соединенных по оп ределенной электрической сх е ме и с обранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов. Набор полупроводниковых при боров (Semiconductor assembly set) – сов о купность полупроводниковых приборов, собранных в единую констру кцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным вывод ам. Полупроводниковый диод (Halbleiterdiode, Semiconductor diode) – пол у про водниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Точечный полупроводниковый диод (Halbleit erspitzendiode, Point contact d iode) – полупроводниковый диод с точечным пе реходом. Плоскостной полупроводниковый диод (Halbleiterflachendiode, Junction d iode) – полупроводниковый диод с плоскостны м переходом. Выпрямительный полупроводниковый диод (Halbleiterleichrichterdiode, S emiconductor rectifier diode) – пол упроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного т ока в постоянный. Лавинный выпрямительный диод ( Avalanche rectifier diode ) – выпрям и тельный полупроводниковый диод с заданн ыми характеристиками минимальн о г о напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение огранич е н ной длительности импульса мощно сти в области пробоя вольтамперной хара к теристики. Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируе мым лави н ным пробоем ( Controlled - avalanche rectifier diode ) – выпрямительный пол упр о водниковый диод с заданными ха рактеристиками максимального и минимал ь ного напряжения пробоя, предназначенный для работы в установи вшемся р е жиме в области пробоя обра тной ветви вольтамперной характеристики. Выпрямительный полупроводниковый столб (Semiconductor rectifier stack) – совокупност ь выпрямительных полупроводниковых диодов, соедине н ных последовательно и собранных в единую кон струкцию, имеющую два выв о да. Выпрямительный полупроводниковый блок (Semiconductor rectifier assembly) – полупроводниковый блок, собранный из выпрямительны х полупр о водниковых диодов. Импульсный полупроводниковый диод (Halbleiterimpulsdiode, Signal diode) – полупроводниковый диод, имеющий малую длительность перех одных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы. Полупроводниковый диод с резким восстановлением обра тного сопр о тивления (Ladungsspeicherdiode, Snap-off (step-recovery) diode) – полупроводн и ковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обла дающий эффектом резкого восстановления обратного сопротивления, котор ый испол ь зуют для целей умножения ч астоты и формирования импульсов с малым врем е нем нарастания. Диод с накоплением заряда ( Snap - off ( step recovery ) diode ) – импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при п ротекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восста новления при подаче обра т ного напр яжения, который используется для формирования импульсов с малым времен ем нарастания. Туннельный полупроводниковый диод (Halbleitertunneldiode, Tunnel diode) – полупроводниковый диод на основе вырожденного полупрово дника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперно й характ е ристике при прямом направ лении участка отрицательной дифференциальной проводимости. Обращенный полупроводниковый диод (Halbleiterunitunneldiode, U nitunnel (backward) diode) – полупроводниковый диод на основе пол упрово д ника с критической концент рацией примеси, в котором проводимость при о б ратном напряжении вследствие туннельного эффекта значите льно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины прибли зительно равны. Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод (UHF-Halbleiterdiode, Microwave diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для пр еобраз о вания и обработки сверхвыс окочастотного сигнала. Лавинно-прол етный полупроводниковый диод (Halbleiterlawinenlaufzeitdiode, Impact avalanche-(and-) transit time diode) – пол у проводниковый диод, работающи й в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещени и электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысоко частотных колебаний. Инжекционно-пролетный полуп роводниковый диод (Halbleiterinjektionslaufzeitdiode, Injection (and-) transit time diode) – полупрово д никовый диод, работающий в режиме и нжекции носителей заряда в область з а порного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотн ых колеб а ний. Переключательный полупроводниковый диод (Halbleiterschaltdiode, Switching diode) – полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала ни з кое сопротивление при прямом см ещении и высокое сопротивление – при о б ратном, предназначенный для управления уровнем мощности сигнала. Смесительный полупроводниковый диод (Halbleite r mischdiode, Semiconductor mixer diode) – полупроводн иковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигна лов в сигнал промежуточной частоты. Диод Ганна (Gunn-Element, Gunn diode) – полупроводников ый диод, де й ствие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивл е ния под воздействием сильного электрического поля, пред назначенный для г е нерирования и ус иления сверхвысокочастотных колебаний. Коммутационный полупроводниковый диод (Halbleiter-HF-Schaltdiode) – полупроводниковый диод, предназначенный для коммутац ии высокочастотных цепей. Регулируемый резистивный полупроводниковый диод (PIN-Diode, PIN d iode) – полупро водниковый p-i-n диод, применяемый для регулирования с о противления в тракте передачи сигнала, активное сопро тивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянн ым током прямого смещения. Детекторный полупроводниковый диод (Halbleiterdemodulatordiode, Detector diode) – полупроводниковый диод предназначенный для детектиро в а ния сигнала. Ограничительный полупроводниковый диод (Halbleiterbegrenzerdiode, M icrowave limiting diode) – полупроводниковый диод с лавинны м пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения. Умножительный полупроводниковый диод (Halbleitervervielfacherdiode, Semiconductor frequency multiplication diode) – полупроводниковый диод, пре д назна ченный для умножения частоты. Модуляторный полупроводниковый диод (Halbleitermodulatordiode, S emiconductor modulator diode) – полупроводниковый диод, предназначе нный для модуляции высокочастотного сигнала. Диод Шоттки (Schottky-Diode, Schottky (-barrier) diode) – полупроводн и ковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на в заимодействии металла и обедненного слоя полупроводника. Варикап (Kapazitatsdiode, variable capacitance diode) – полупроводни к о вый диод, действие которого основ ано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и кот орый предназначен для применения в качестве элемента с электрически уп равляемой емкостью. Параметрический полупроводниковый диод (Параметрический диод, Halbleitervaraktordiode, Semiconductor parametric diode) – варикап, предназн а ченный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметр ических усилителях. Полупроводниковый стабилитрон (Стаби литрон, Ндп. Зенеровский диод, Kalbleiter-Z-Diode, Voltage reference diode) – полупроводниковый диод, на пр я жение на котором сохраняется с о пределенной точностью при протекании через него тока в заданном диапаз оне, и предназначенный для стабилизации напр я жения. Полупроводниковый шумовой диод (Halbleiterrauschdiode, Semiconductor noise diode) – полупроводниковый прибор являющийся источником шума с з а данной спектральной плотность ю в определенном диапазоне частот. Биполярный транзистор (Транзистор , Bipolarer Transistor, Bipolar transistor) – полупроводниковый прибор с двумя взаимодействуюшими п ерех о дами и тремя или более выводам и, усилительные свойства которого обусловл е ны явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заря да. Примечание. Работа биполярного транз истора зависит от носителей обеих полярностей. Бездрейфовый транзистор (Ндп. Диффузи онный транзистор, Diffusionstransistor, Di ffu sion transistor) – биполярный транзистор, в ко тором п е ренос неосновных носителе й заряда через базовую область осуществляется в основном посредством д иффузии. Дрейфовый транзистор (Drifttransistor, Drif (diffased) transistor) – бип о лярный транзистор, в котором перенос неосновных носител ей заряда через б а зовую область осу ществляется в основном посредством дрейфа. Точечный транзистор (Ндп. Точечно-конт актный триод, Spitzentransistor, Point contact transistor) – б иполярный транзистор с точечными переходами. Плоскостной транзистор (Flachentransistor, Junction transistor) – биполя р ный транзистор с плоскостными переходами. Лавинный транзистор (Lawinentransistor, Avalanche transistor) – биполя р ный транзистор, действие которого основано на использов ании режима лави н ного размножения носителей заряда в коллекторном переходе. Полевой транзистор (Ндп. Канальный тра нзистор, Feldeffekttransistor (FET), Field-effect transistor) – полупроводниковый прибор, усилительные сво й ства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый э лектрическим полем. Примечание. Действие полевого транзи стора обусловлено носителями заряда одной полярности. Полевой транзистор с изолированным затвором (Feldeffekttranastor mit isoliertelem Gate, Insulated-gate FET) – полевой транзистор, имеющий один или неск олько затворов, электрически изолированных от проводящего канала. Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупровод ник (МДП-транзистор, MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET), MIS-transistor) – полевой транз и стор с изолированным затвором, в котор ом в качестве изоляционного слоя ме ж ду каждым металлическим затвором и проводящим каналом используе тся д и электрик. Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник (МОП-транзистор, MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET), MOS-transistor) – полевой транзистор с и золированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между ка ждым металлическим затвором и проводящим каналом использ у ется окисел. Симметричный транзистор (Bidirektiona l transistor, Bi-directiona l transi s tor) – биполярный или полевой транзистор со храняющий свои электрич е ские хара ктеристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмитт е ра или истока и коллектора или стока. Тиристор (Thy ri stor, Thyristo r ) – полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может п е реключаться из закрытого состоян ия в открытое и наоборот. Диодный тиристор (Динистор, Th y ristordiode, Diode thy ri stor) – тиристор, име ющий два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой струк туры. Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлени и (Ruckwarts sperrende Тhyristordiode, Reverse blockings diode thyristor) – диодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а находи т ся в обратном непроводящем состоянии. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts l e i tende Thyristordiode, Reverse conducting diode thyristor) – диодный тиристор, который при отрицат ельном анодном напряжения не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжен и ем в открытом состоянии. Симметричный диодный тиристор (Диак , Zweirichtungsthyristordiode, Bi-directional diode thyristor) – диодный тиристор, способный переключаться как в пр ямом, так и в обратном направлениях. Триодный тиристор (Тринистор , Thristordiode, Triode thyristor) – тир и стор, имеющий два в ывода от анодной и катодной областей полупроводниковой структуры и оди н вывод от управляющей. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлен ии (Ruckwart sperrende Thyristortriode, Reverse blocking triode thyristor) – триодный тиристор, который пр и отрицательном анодном напряжении не переключается, а находи т ся в обратном непроводящем состоянии. Примечание. Для триодных тиристоров, н е проводящих в обратном направлении, допускается применять термин «тир истор», если исключается возможность другого толкования. Триодный тир истор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts leitende Thyristortriode, Reverse conducting triod e thyristor) – триод ный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключ ается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с п рямим напряжен и ем в открытом состо янии. Симметричный триодный тирис тор (Триак, Zweirichtllngsthmstortrio, Bi-directional tri ode thyristor Triac) – триодный тиристор, который при подаче си г нала на его управляющий электрод включается как в прямом, так и в обратном направлениях. Запираемый т иристор (Abschaltbarer Thyristor, Turm-off thyristor) – тир и стор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот при подаче на управляющий электрод управляющих си гналов соо т ветс т вующей полярности. Тиристор с инжентирующим упр авляющим электродом p-типа (Anodenseitig gesteuerter Thyristor, Р-gate thyristor) – тиристор, у которого вывод управляющего электрода соединен с p -областью, ближайшей к катоду, который пер еводится в открытое состояние при подаче на управляющий электрод пол о жительного, по отношению к катоду с игнала. Тиристор с ннжектируюшнм управляющим электродом n-тип а ( A nodenseitig gesteuerter Thyristor, N-gate thyristor) – тиристор, у к оторого вывод управляющего электрода соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющ ий электрод отр и цательного по отно шению к аноду сигнала. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном н аправлении ( Avalanche reverse blocking thyristor ) – тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначен ный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощн ости в области пробоя вольтамперной характеристики обратного непровод ящего состояния. Комбинированно-выключаемый тиристор – тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном во здействии обратного анодного напряжения. Импульсный тиристор (Pulse thyristo r ) – тиристор, имеющий малую дл и тельность переходных процессов и предназначенный для применения в импул ь сных режимах работы. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор (Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Semiconductor optoelectronic device) – полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий когерентное или некогерентное эле к тромагнитн ое излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасн ой и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов. Полупроводниковый излучатель (Halblelterstrahler, Semiconductor photoemitter) – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразу ющий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения в оп тической области спектра. Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор ( Semiconductor character display ) ГОСТ 25066-81 Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронн ого прибора (Приемник излучения) – оптоэлектронный пол упроводниковый прибор, прео б разую щий энергию оптического излучения в электрическую энергию от пол у проводникового излучателя и работающ его в паре с ним. Оптопара (Optoelektronischer Koppler, Photocoupler, optocoupler) – опт о электронный полупроводниковый прибор, с остоящий из излучающего и фот о прие много элементов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена э лектрическая изоляция. Резисторная оптопара – оптопара с фо топриемным элементом, выпо л ненном на основе фоторезистора. Диодная оптопара – оптопара с фотопр иемным элементом, выполненном на основе фотодиода. Транзисторн ая оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выпо л ненном на основе фототранзистора. Тиристорная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выпо л ненном на основе фототиристора. Полупроводниковый прибор отображения информации (Lichtemitteranzeige (LEA), Semiconductor optoelectronic display) – полупрово д никовый излучатель энергии видимой области спектра, предна значенный для отображения визуальной информации. Дифференциальная диодная оптопара – диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фото диода принимают световой поток от одного излучателя. Тиристорная оптопара с симметричным выходом – тиристорная оптопара с симметричным диодным или триодным ф ототиристором. Светоизлучающий диод (Lichtemitterdiode (LED), Light-emitting diode (LED)) – полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектр а в результате рекомбинации электронов и дырок. Полупроводниковый экран (Semiconductor analog indicator) – полупр о водниковый прибор, состоящ ий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержа щий n строк светоизлучающих диодов, предназн а ченный для использования в устройствах отображения аналог овой и цифровой информации. Инфракрасный излучающий диод (Infrarotemitterdiode (IRED), Infra-red-emitting diode) – полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфрак ра с ном диапазоне спектра в результ ате рекомбинации электронов и дырок. Фотодиод – ГОСТ 21934-83 Фототранзистор Фоторезистор Фототиристор – тиристор, в котором ис пользуется фотоэлектрический эффект. Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала опт оэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и прие мника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе. Оптоэлектронный коммутатор нагрузки оптоэлектронный полупрово д никовый прибор, состоящ ий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выхо де. Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока оптоэл ектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянно го тока. Оптоэлектронный коммутатор переменного тока оптоэл ектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменно го тока. Оптоэлектронный переключатель логических сигналов оптоэлектро н ный полупроводниковы й прибор, состоящий из излучателя и приемника изл у чения со схемой логического ключа на выходе. Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор оптоэле к тронный полупроводниковы й прибор, состоящий из дифференциальной опт о пары или двух диодных оптопар и предназначенный для преобразо вания сигн а лов, изменяющихся по зак ону непрерывной функции. Октрон оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в ко тором о п тическая связь между излуч ателем и приемником излучения осуществляется по открытому оптическому каналу. Отражательный октрон октрон, в котором приемник и злучения прин и мает световой поток, отраженный от излучателя. Щелевой октрон октрон, в котором между излучателем и пр иемником излучения для управления световым потоком устанавливают свет онепроница е мую заслонку. Волстрон оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором о п тическая связь между изл учателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптиче скому каналу. Примечание. Излучатель и приемник изл учения могут иметь схемы электронного обрамления. Оптопреобразователь оптоэлектронный полупроводнико вый прибор с одним или несколькими p - n переходами, работающий в режиме передачи и (или) приема оптического излучения. Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов – совокупность оптоэлектронных полупроводниковых пр иборов, расположенных с заданным шагом на одной линии. Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов – совоку п ность оп тоэлектронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам. Элементы конструкции Вывод полупроводникового пр ибора (Anschluss eines Halbleiterbauelementes, Terminal of a semiconductor device) – элемент констру к ции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соо т ве тствующего электрода с внешней электрической цепью. Основной вывод полупроводникового прибора (Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes, Main terminal) – вывод, через который протекает осно в ной ток. Катодный вывод полупроводникового прибора (Katodenanschluss eines Halbleiterbauelementes, Cathode terminal of a semiconductor device) - вывод, от к о торого прямой ток течет во внешнюю электрическую цепь. Анодный вывод полупроводникового прибора (Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes, Anode terminal of a semiconductor device) – вывод, к кот о рому прямой ток течет из внешней электрической цепи. Управляющий вывод полупроводникового прибора (Gate terminal of a semiconductor device) – вывод, через который течет, только ток управлени я. Корпус полупроводникового прибора (Gehause eines Halbleiterbauelementes, Package of a semiconductor device) – часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с п о мощью выводов. Бескорпусный полупроводниковый прибор (Gehauseloses Halbleiterbauelement, Beam lead semiconductor device) – полупроводниковый прибор, защищенный корп усом и предназначенный для использования в г и бридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре. Полупроводниковый излучающий элемент – часть полупроводникового прибора отображения информация, сос тоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электри ческой схеме. Электрод полупроводникового прибора ( Electrode of a semiconductor d e vice ) – часть полупроводникового прибора , обеспечивающая электрический контакт между определенной областью по лупроводникового прибора и выв о до м.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Человек компетентный — это тот, кто заблуждается по всем правилам.
© Поль Валери
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru