Реферат: Интегральные микросхемы серии 500 - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Интегральные микросхемы серии 500

Банк рефератов / Математика

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 94 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Интегральные микросхемы сер ии 500 . Серия 500 является системой быс тродейств ующих логических запоми нающих и специальных элементов ЭСЛ-типа. Интегральные микросхемы серии 500 предназначены для применения в технических средствах и используют ся для построения быстродействующих устройств (процессоры,кана лы,устройства управле ния оперативными и внешними ЗУ и т.п .) Единой Системой ЭВМ. ОТЛИЧИТЕЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЭСЛ ТИПА. ИМС серии 500 обладают рядом положительны х качеств , которые обеспечивают их оптимальное исполь зование в быстродействующей цифро вой аппарат уре : 1) высоким бы стродействием ; 2) широкими логическими возможностями ; 3) постоянством потребления мощности при повышении частоты ; 4) большой нагрузочной способностью ; 5) постоянством тока потребления от источ ника основного напряжения ; 6) малой критичностью дина мических па раметров к технологии производства ; 7) хорошим соотношением фронта сигнала к его задержке ; 8) высокой стабильностью динамических параме тров в диапазоне рабочих температур и при и зменении напряжения электропитания ; ОПИСАНИЕ БАЗОВОГО ЭЛЕМ ЕНТА По выходу У 1 реализуется функция "И-НЕ " (инв ерсный выход ), по выходу У 2 реализуется функция "И " (прямой выход ). Схема элемента состоит из то кового переключателя,содержащего две ветви : первая ветвь на транзис торах Т 1,Т 2; вторая - на транзисторе Т 3. Мощность токового переключа теля равняется 10 мВт. Логические уровни "0" и "1" - 0,8 и 1,6 В соответс твенно. ПРИНЦИП РАБОТЫ БАЗОВОГ О ЭЛЕМЕНТА Случай 1: На все вход ы элемента одновременно подаются сигналы соответствующие логической единице , транзисто ры Т 1 и Т 2 закрываются, а транзистор Т 3 открывается , так как напряжение на его базе выше , чем на базах транзисторов Т 1,Т 2, и через него проходит ток , задаваемый сопротивлени ем Rо . Этот ток , уменьшенный на значение тока базы тран зистора Т 3, создает на сопротивлении R к 2 падение напряжения,равное -0,8 В . С учетом падения напряжения на переходе ба за-эмитер транзис торов эмитерных повторителей Uбэо =-0,8 В получим на прямом выходе -1.6 В , а на инверсном выходе - 0,8 В . Случай 2: На один вход элемента , например вход 1, по дается сиг нал , соответствующий логическому нулю , транзи стор Т 1 открывается , а транзистор Т 3 закрывается . В этом случае на прямом выходе У 2 урове нь напряж ения будет -0,8 В , а на инверсном -1,6 В. ОПИСАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ПАРА МЕТРОВ Транзисторы элемента работ ают в диапазоне от -1,3В до -0,3В . В активной области меньше -1,3 В транзисторы работают в отсечке , выше -0,3 В входят в режим насыщения.Транзисторы работа ют в ненасыщенном режиме , благодаря чему из з адержек переключения исключается рассасы вание заряда в транзисторе , увеличивается скоро сть переключения из одного логического состояния в другое . Порог переключения элемента составляет -1,2 В . Выходные эмиттерные повторители обеспечивают малое в ыходное сопротивление микросхемы , что удобно при согласовании эле ментов в процессе построения многокаскадных схем . Сопротивление Rк 1=365 Ом выбрано меньше сопротивления Rк 2 = 416 Ом из-за разницы напря жений на базах в токовом переключателе , так на базах т ранзисторов Т 1,Т 2 напряжение -0,8 В а на базе Т 3 постоянно -1,2 В . Если допустить изменение сопр отивления Rк 1 в большую сторону , то увеличи тся напряже ние на базе соответствующего эмиттерного повторителя и он призакроет ся,и если транзистор Т 1 или Т 2 открыты,то у величится напряжение на инверсном выходе . (В этом и послед нем предложении напряжение рассмат ривается как разность потенциалов ). В случае изменения сопротивления Rк 2 - с итуация аналогична , из менение сопротивления R о в большую сторону приводит к уменьшению то ка,протекающего по открытому транзистору,и уменьшению напряжения на базе эмиттерного повторителя , соответственно уменьшается выходное напряжение. ОПИСАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ Динамические параметры базового элемента зависят от сопротивле ния и емкости на грузки . При емкости нагрузки , равной нулю , и увели че нии сопротивления нагрузки,врем я фронта нарастания и спада сигнала , а также вр емя переключения элемента - уменьшается . Это пр оисходит из-за того , что уменьшается входная емкость и вместе с ней время переходно го процесса . Но при емкости нагрузки , отличн ой от нуля , характер пе реходных процессов изменяется . Время фронта Uвых (t+) при увеличении сопротивления нагрузки продолжает немного уменьшаться , а время фронта и время пе реключения Uвых (t-) начинает рости , и колебательн ый процесс на выходе Uвых (t+) стано вится более выраженным . Для уравнивания вре мени пере ключения с "1" в "0" и с "0" в "1", а также дл я уменьшения бросков напряжения на Uвых (t+) при перехо дных процессах выбирается Rн =100 Ом. РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА Важнейшими характеристиками ИМС серии 500 являются входная,пере даточная и выходная ха рактеристики. ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА Входная характеристика используется для определения нагрузочной способности элементов при рабо те на аналогичные элементы или при под ключении их в качестве нагрузки к специальным элементам , а также для оценки помехоз ащищенности элементов . Входная характеристика пре дстав ляет собой зависимость входного тока от входного напряжения. На входной характерист ике ЭСЛ эле мента можно выделить четыре об ласти , соот ветствующие четырем возможным режимам работы входной цепи ИС : 1 - входной транзистор закрыт ; входной ток определяется сопро тивлением базового резистора,подключенного ко входу ; 2 - происходит отпирание входного транзистора ; нелинейный участок определяется воз растающим базовым током вход ного транзистора ; 3 - входной транзистор открыт ; входной т ок незначительно увеличивается из-за увеличения эмиттерно го тока ТП и увеличения тока через ба зовый резистор ; 4 входной транзистор открыт до насыщения ; базовый ток транзистора зна чите льно увеличивается при повышении входного нап ряжения (режим нерабочий ). ПЕРЕДАТОЧНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА Передаточная характеристика представляет с обой зависимость вы ходного напряжения м икросхем от входного напряжения при п ереключении схемы из одного состояния в другое . На передаточной характеристике можно выделить четыре области : 1 - область установившгося значения низкого выходн ого напряжения лог ."1" для прямого и высоког о напряжения л ог ."0" для инверсного выхо дов ; 2-зона переключения из "1" в "0" для прямого и из "0" в "1" инверсного выходов ; 3 - область устано вившегося значения "0" для прямого и "1" для инверсного выходов ( в этой области характеристика им еет некоторый наклон , вслед ствие неидеаль ности генератора тока ТП ) ; 4 - область насыщения для инверсн о го плеча ТП. Передаточная характеристика основного элемен та может быть ис пользована для анализа выходных уровней напряжения в различных ре жи мах работы , оценки формирующих средс тв и помехозащищенности элемен тов , о пределения их совместной работы с другими логическими элемен тами или специальными э лементами. РАСЧЕТ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМ ЕТРОВ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА На положительном фронте при активно-емк остной нагрузке наблюда ется коле бательны й режим . Чем больше Cн , тем этот процес с наиболее выражен ,также наблюдается наибольший выб рос и время установления tф (+) открытого транзистора. На tф (-),соответствующему фронту запирания транзистора характер переходного процесса может изм ениться, в зависимости от того закрыва ется или нет ЭП . Если ЭП не закрыт на tф (-),то характер процесса повторяется как д ля tф (+) (колебательный режим ). Если tф (-) ЭП закрыт , то характер переходного процесса резко наруш ается и имеет вид эк споненциальной функц ии разряда Cн на Rн. Характер процесса можно определить по следующим формулам : tф > Cн х Rн - колебательный (транзистор открыт ) tф < Cн х Rн - переходной (транзистор закрыт ) Высокое быстродействие ИМС серии 500 обес печивается специальной схемотехникой ЭСЛ ИМС - ра ботой транзистора в ненасыщенном режиме, малой амплитут ой сигнала,низкими выходным сопротивлением и технологи ей изготовления ИМС. Основными динамическими параметрами ИМС с ерии 500 являются за держка распростронения инфо рмайии в элементе и фронт п ереключени я из о дного логического состояния в другое. Динамические параметры ИМС серии 500,рабо тающие в составе аппа ратуры,определяются в основном параметрами элементов , величинами наг рузочного сопротивления Rн и суммарной на грузочной емкости Сн , под кл юченных к выходу элемента . Динамические параметры ИМС серии 500 незначительно зависят от отклонения напря жения электропитания и изменения температуры окружающей среды .
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Лучше стоять, как вкопанному, чем лежать, как выкопанному.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по математике "Интегральные микросхемы серии 500", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru