Реферат: Расчет характеристик канала вывода СИ - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Расчет характеристик канала вывода СИ

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 172 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

Московский Государственный Институт Электрон ной Техники технический университет Кафедра Субмикронной технологи и Курсовая работа Расчет оптических характеристик канала вывод а СИ Выполнил студент гр . МТ -42 Гав рилов А . В. Принял Матвеев В . М. Москва 1996г. Основные свойства синхротронного изл учения. Синхротронное излучение (СИ ) испускается заряженными частицами (электронами , протонами , позитронами ), движущимися с релятивистскими ско ростями по искривлен ным траек ториям . Гене рация СИ обусловлена наличием у частицы ц ентростремитель ного ускорения . Предсказанное в ко нце прошлого века и открытое почти 50 лет назад (1945г .) СИ рассматривалось вначале как “помеха” в работе циклических ускорителей - синхротронов . Только в последние 10 15 лет СИ привлекло внимание исследователей исключительным богатством своих специфических свойств и возможностью их примене ния. Структура накоп ителя электронов. ПМ - поворотные магниты ; В - магнитное поле ; Р - вектор поляризации фо тонов , излу чаемых в плоскости орбиты электрон ов ; Щ - щель канала вывода , ограничивающая ширину пучка СИ по горизонтали. Си обладает следующими уникальными свойствами : СИ - излучение с исключительно высокой колли мацией пучка . Пучок СИ испускается электроном по касательной к траектории и имеет угловую расходимость -1 , где - релятивистск ий фактор (отношение энергии электронов Е в накопителе к энергии покоя электрона Е 0 =0.511 МэВ ); для типичных значений Е 1 ГэВ имеем 10 3 и 1 мра . СИ обладает широким , непрерывным , легко пере страиваемым спектром , перекры вающим практически в есь рентгеновский диапазон и область уль трафиолетового излуче ния (0.1 100нм ). Для описания сп ектральных свойств СИ вводится понятие крити ческой длины волны с . Это длина волны , которая делит энергетический спектр СИ на две равные час ти (суммарная энергия излучаемых фотонов с длинами волн меньше с равна суммарной энерги и фотонов с длинами волн больше с ). СИ обладает очень высокой интенсивностью . И нтенсивность СИ в наибо лее важ ном дл я исследований и технологии рентгеновском диа пазоне более чем на пять порядков превыша ет интенсивность рентгеновских трубок. СИ обладает естественной поляризацией : строго линейной на оси пучка (вектор электрического поля лежит в плоскости орбиты элек тронов ) и строго циркулярной на его перифе рии . Поляризация СИ играет важную роль во многих прецизионных методах исследования мат ериалов и структур микроэлектроники. Перечисленные выше уникальные свойства синхротронного излучения позволяют под н ять на новый качественны й уровень субмикронную микротехнологию и анал итические методы диагностики субмикронных функци ональных структур. Контраст в системах экспонирования с применением синхротронного излучения. Рентгенолитография с применением синхро тронно го излучения - это многофакторный те хнологический процесс , в котором важную роль играют параметры многих компонен тов литогра фической системы : источника излучения , канала вывода , рентгеношаблона , рентгенорезиста. Главный фактор , определяющий потенциальные возможности того или иного лито графическ ого метода в микротехнологии СБИС - разрешение или минимальный размер надежно воспроизводим ого в резисте элемента рентгеношаблона . В рентгенолитографии разрешение определяется , с одн ой стороны , волновой природой р е нт геновского излучения (дифракционные искажения ), с другой стороны , нелокальным характером форми рования реального скрытого изображения (генерация фото - и оже - электронов рентгеновскими фо тонами и вторичное экспонирование резиста эти ми электронами ). Кроме того , реаль ное технологическое разрешение очень сильно зависи т от процесса проявления полученного скрытого изображения. Для оценки эффективности работы рентгенол итографической системы экспонирова ния в той или иной области спектра нужно учитывать не тольк о спектральную эффек тивность рен тгенорезиста , но и рентгеновскую прозрачность , то есть оптические характеристики литографическо го канала вывода СИ . Поэтому в системах экспониро вания с применением рентгеновского и злучения (например , в рентгенолитографиче с ких системах экспонирования ) одним из важных параметров является контраст получаемого рентгеновского изображения (например контраст скрытого изображения в рентгеноре зисте ). Схема рентгеног рафической системы экспонирования в пучках СИ . 1 - вакуумное окно ; 2 - мембрана рентгеношаблона ; 3 - маска ; 4 - резист ; 5 - рабочая пластина.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Между теплом и отопительным сезоном нам еще матюгаться и матюгаться.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, реферат по радиоэлектронике "Расчет характеристик канала вывода СИ", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru