Курсовая: Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней - текст курсовой. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Курсовая

Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Курсовая работа
Язык курсовой: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 1035 kb, скачать бесплатно
Обойти Антиплагиат
Повысьте уникальность файла до 80-100% здесь.
Промокод referatbank - cкидка 20%!
Заказать
Узнать стоимость написания уникальной курсовой работы

Узнайте стоимость написания уникальной работы

4 Содержание С. Введение 5 1 Общие принципы построения топологии биполярных ИМС 6 1.1 Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС 7 1.2 Основные правила проектирования топологии ИМС 9 2 Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС 13 2.1 Проектирование и расчет биполярных интегральных транзисторов 13 2.2 Расчет геометрических размеров резисторов 16 3 Разработка библиотеки элементов генератора 18 3.1 Расчет геометрических размеров биполярного n - p - n транзистора 18 3.2 Расчет геометрических размеров биполярного p - n - p транзистора 19 3.3 Расчет геометрических размеров диффузионного резистора 21 3.4 Расчет геометрических размеров транзистора с инжекционным питанием 22 4 Проектирование топологии ИМС 25 Заключение 26 Список использованных источников 27 Приложение А Принципиальная электрическая схема генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней Приложение Б Эскиз топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней. введение Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС явл я ется увеличение степени интеграции. Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появля ю щегося большего числа ошибок на стадии проектирования. Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и отве т ственной операцией при проектировании любой ИМС. В практике проектирования топологии существует много подходов. К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования: получение исходных данных; расчет геометрических размеров активных и пассивных элементов; разработка эскиза топологии; разработка предварительных вариантов топологии; выбор окончательного варианта топологии и его оптимизация. Целью данного курсового проекта является расчет геометрических размеров элементов генератора ИМС, проектирование топологии данной схемы. Исходными данными при этом являются: схема электрическая при н ципиальная и технологические параметры. Научной новизны курсовой проект не имеет. Практическая значимость заключается в том, что разработана топология полупроводниковой ИМС с заданными, в задании на проектирование, параметрами. Разработанная топология полупроводниковой ИМС – это законченный элемент ИМС, который можно использовать при проектировании аналог о вых микросхем. 1 Общие принципы построения топологии биполярных Имс Общего подхода к проектированию биполярных транзисторов нет и быть не может, каждый тип характеризуется своими особенностями. Транз и сторы даже однотипных конфигураций отличаются тем, в каких схемах они используются. 1.1 Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС Основной структурой, определяющей электрические параметры и х а рактеристики микросхемы, является транзистор. Поэтому, исходя из треб о ваний, предъявляемых к транзистору, производят выбор физической стру к туры различных областей [1], т.е. задаются определенными электрофизич е скими параметрами, к числу которых относятся: концентрация легирующих примесей, подвижность носителей заряда, время жизни и скорость повер х ностной рекомбинации неосновных носителей заряда, удельное сопротивл е ние материала, диэлектрическая проницаемость материала. Для расчета остальных элементов используется выбранная физическая структура осно в ного транзистора. В настоящее время существуют два основных вида физической стру к туры ИМС: микросхемы на основе биполярных транзисторов и микросхемы на основе МОП - структуры. Наибольшее количество слоев имеют микр о схемы на основе биполярных транзисторов (рис. 1.1). Это скрытый n + -слой, эпитаксиальный, p + - разделительный, базовый, эмиттерный, специальный резистивный, и т.д.. Для изготовления микросхем на основе МОП – транз и сторов необходим лишь один диффузионный слой. Рисунок 1.1 - Физическая структура биполярного n - p - n транзистора со скр ы тым n + -слоем Удельное сопротивление подложки выбирается исходя из требований к рабочему напряжению коллекторного перехода транзистора. При этом напряжение пробоя перехода коллектор-подложка должно быть больше, чем пробивное напряжение перехода коллектор-база. Удельное сопротивление подложки должно быть как можно большим. Это обеспечивает одновреме н но малую паразитную емкость перехода коллектор-подложка, но и надо иметь в виду, что одновременно будет увеличиваться сопротивление тела подложки, а это есть паразитный параметр, который сказывается на часто т ных свойствах. Удельное сопротивление подложки с - должно выбираться компромиссным путем из диапазона 1...10 Ом
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
— Я считаю, что ты неправ.
— Пересчитай.
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, курсовая по радиоэлектронике "Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2017
Рейтинг@Mail.ru