Курсовая: Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней - текст курсовой. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Курсовая

Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней

Банк рефератов / Радиоэлектроника

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Курсовая работа
Язык курсовой: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 1035 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникальной курсовой работы

Узнайте стоимость написания уникальной работы

4 Содержание С. Введение 5 1 Общие принципы построения топологии биполярных ИМС 6 1.1 Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС 7 1.2 Основные правила проектирования топологии ИМС 9 2 Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС 13 2.1 Проектирование и расчет биполярных интегральных транзисторов 13 2.2 Расчет геометрических размеров резисторов 16 3 Разработка библиотеки элементов генератора 18 3.1 Расчет геометрических размеров биполярного n - p - n транзистора 18 3.2 Расчет геометрических размеров биполярного p - n - p транзистора 19 3.3 Расчет геометрических размеров диффузионного резистора 21 3.4 Расчет геометрических размеров транзистора с инжекционным питанием 22 4 Проектирование топологии ИМС 25 Заключение 26 Список использованных источников 27 Приложение А Принципиальная электрическая схема генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней Приложение Б Эскиз топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней. введение Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС явл я ется увеличение степени интеграции. Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появля ю щегося большего числа ошибок на стадии проектирования. Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и отве т ственной операцией при проектировании любой ИМС. В практике проектирования топологии существует много подходов. К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования: получение исходных данных; расчет геометрических размеров активных и пассивных элементов; разработка эскиза топологии; разработка предварительных вариантов топологии; выбор окончательного варианта топологии и его оптимизация. Целью данного курсового проекта является расчет геометрических размеров элементов генератора ИМС, проектирование топологии данной схемы. Исходными данными при этом являются: схема электрическая при н ципиальная и технологические параметры. Научной новизны курсовой проект не имеет. Практическая значимость заключается в том, что разработана топология полупроводниковой ИМС с заданными, в задании на проектирование, параметрами. Разработанная топология полупроводниковой ИМС – это законченный элемент ИМС, который можно использовать при проектировании аналог о вых микросхем. 1 Общие принципы построения топологии биполярных Имс Общего подхода к проектированию биполярных транзисторов нет и быть не может, каждый тип характеризуется своими особенностями. Транз и сторы даже однотипных конфигураций отличаются тем, в каких схемах они используются. 1.1 Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС Основной структурой, определяющей электрические параметры и х а рактеристики микросхемы, является транзистор. Поэтому, исходя из треб о ваний, предъявляемых к транзистору, производят выбор физической стру к туры различных областей [1], т.е. задаются определенными электрофизич е скими параметрами, к числу которых относятся: концентрация легирующих примесей, подвижность носителей заряда, время жизни и скорость повер х ностной рекомбинации неосновных носителей заряда, удельное сопротивл е ние материала, диэлектрическая проницаемость материала. Для расчета остальных элементов используется выбранная физическая структура осно в ного транзистора. В настоящее время существуют два основных вида физической стру к туры ИМС: микросхемы на основе биполярных транзисторов и микросхемы на основе МОП - структуры. Наибольшее количество слоев имеют микр о схемы на основе биполярных транзисторов (рис. 1.1). Это скрытый n + -слой, эпитаксиальный, p + - разделительный, базовый, эмиттерный, специальный резистивный, и т.д.. Для изготовления микросхем на основе МОП – транз и сторов необходим лишь один диффузионный слой. Рисунок 1.1 - Физическая структура биполярного n - p - n транзистора со скр ы тым n + -слоем Удельное сопротивление подложки выбирается исходя из требований к рабочему напряжению коллекторного перехода транзистора. При этом напряжение пробоя перехода коллектор-подложка должно быть больше, чем пробивное напряжение перехода коллектор-база. Удельное сопротивление подложки должно быть как можно большим. Это обеспечивает одновреме н но малую паразитную емкость перехода коллектор-подложка, но и надо иметь в виду, что одновременно будет увеличиваться сопротивление тела подложки, а это есть паразитный параметр, который сказывается на часто т ных свойствах. Удельное сопротивление подложки с - должно выбираться компромиссным путем из диапазона 1...10 Ом
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Мне кажется, что в скором будущем, если россиянин доживет до пенсии, он должен будет заплатить за это штраф...
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Обратите внимание, курсовая по радиоэлектронике "Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней", также как и все другие рефераты, курсовые, дипломные и другие работы вы можете скачать бесплатно.

Смотрите также:


Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru