Реферат: Свойства арсенида индия - текст реферата. Скачать бесплатно.
Банк рефератов, курсовых и дипломных работ. Много и бесплатно. # | Правила оформления работ | Добавить в избранное
 
 
   
Меню Меню Меню Меню Меню
   
Napishem.com Napishem.com Napishem.com

Реферат

Свойства арсенида индия

Банк рефератов / Химия

Рубрики  Рубрики реферат банка

закрыть
Категория: Реферат
Язык реферата: Русский
Дата добавления:   
 
Скачать
Microsoft Word, 360 kb, скачать бесплатно
Заказать
Узнать стоимость написания уникального реферата

Узнайте стоимость написания уникальной работы

1 Арсенид индия . Свойства , применение . Особен ности получения эпитакси альных пленок. Введение. Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники . Высок ая подвижность электронов в арсениде индия прямозонная структура позволяют использовать е го для изготовления высокоэффективных электронны х и оптоэлек тронных приборов , в частно сти быстродействующих транзисторов и интегральны х схем , фотоприемных детекторов ИК - диапазона , инжекционных лазеров с длиной волны 3,5 мкм. Однако широкое использование тонкопл еночных структур арсен ида индия сдерживае тся отсутствием полуизолирующих подложек в св язи с малой шириной запрещенной зоны арсе нида индия . Следует также отметить недостаточ ную механическую прочность материала . Указанные проблемы могут быть преодолены , по крайней мере частично, при гетероэпитаксиал ьном выращивании арсенида индия . В этом сл учае , как правило , эпитаксию проводят на п одложках арсенида галлия с ориентацией поверх ности (001). Значительное рассогласование параметров решеток арсенида индия и арсенида галлия 7.4% привод ит при получении гетероэпитаксиа льных пленок арсенида индия и арсенида га ллия методами газотранспортной и жидкофазной эпитаксии к формированию переходного слоя зна чительной толщины и к большей плотности м орфологических и структурных дефектов . Это об услов л ено ограничениями как физическо го характера , присущим данным эпитаксиальным технологиям , так и ограничениям , связанными с “ненаблюдаемостью” процесса роста. Электрофизические свойства объе много арсенида индия. Зонная структура арсенида инд ия. Зона проводи мости. Арсенид индия является прямозонным полупр оводником , у которого зона проводимости сфери чески симметрична и минимум ее находится в центре зоны Бриллюэна . Вблизи минимума к ривизна зоны велика , вследствие чего эффектив ная масса электрона очень мала и р авна m e 0.026 m 0 . Зона проводимости имеет не-параболичную ф орму , кривизна ее уменьшается с увеличением энергии . Экспериментальные результаты подтверждают непараболичность зоны проводимости . Измерение эффективной массы на повер хности уровн я Ферми , приведенное для образцов с различ ной концентрацией электронов , показало увеличение эффективной массы с ростом n-кол-личеством носителей заряда (рис .1). Рис .1. Зависи мость эффективной массы электрона от концентрации электронов. Валентная зона. Расчеты зоной структуры валентной зоны показали , что зона тяжелых дырок состоит из двух подзон , сдвинутых относительно точк и =0 в направлении [111] на величину 0.008 а -1 б . В максимумах энергии не более чем на 0.006 эВ превышает энергию , соответствующую центру зоны Бриллюэна . Зона легких дырок в ырождена с зоной тяжелых дырок при =0. Имеется также третья зона , положение которой обусловлено спин-орбитальным взаимодействием . Величина эффективных масс и некоторые характеристики зонной с труктуры приведены ниже : Ширина запрещенной зоны E g =0.35 эВ (300 К ) Температурная зависимость E g =(0.44-2.8 10 -4 T)эВ Эффективная масса электрона m e * =0.026 m 0 Эффективная масса тяжелой дырки m p * =0.41 m 0 Эффективная масса легкой дырки m i * =0.025 m 0 Эффективная масса дырки в зоне спин-орбитального расщепления m j * =0.083 m 0 Энергия спин-орбитального расщепле ния E g =0.43 эВ. Оптические свойства арсенида индия. Наибольший практический интерес представляет спектрал ьный диапазон в б лизи края собственного поглощения . Именно в этой области длин волн (3-5 мкм ) работают ф отоприемники , изготовленные из эпитаксиальных стр уктур арсенида индия. Поглощение света в толстом полупроводника может быть описано выражением ------I=I 0 (1-k) exp(- X),------(1) где I 0 - интенсивн ость падающего излучения , k - коэффициент отражения , - коэф фициент поглощения , X - координата. Величина коэффициента отраж ения в близи края собственного поглощения не прев ышает 30-40% и может быть оценена из выражения ------(2) где n - показатель преломления. В полупроводниках , как правил о , од новременно работает несколько механизмов поглоще ния света . Основные из них : собственное или фундаментальное поглощение ; эксионное ; поглощение свободными носителями ; решетчатое ; внутризонное. Полный коэффициент поглощения в случае одновременного участи я нескольких механизм ов поглощения равен : . ------(3) В указанном диапазоне длин волн 3-5 мкм и обычно используемой области температур 77-300 К работает в основном дв а механиз ма : собственное поглощение и поглощение на свободных носителях . В области собственного поглощения прямозонная структура арсенида инди я обуславливает резкую зависимость коэффициента поглощения от энергии : , (4) где e - заряд электрона , h - постоянная Планка , с - скорость света . В арсениде индия n-т ипа величина Е g =0.35 эВ при Т =300 К , а показатель степени в выражении для =0.85 n=1, в материале р-типа Е g =0.36 эВ , а n=0.5. В легированных образцах за счет малой эффективной массы электронов с увеличением концентрации носителей происходит быстрое за пол нение зоны проводимости электронами , в следствии чего уровень Ферми находится в ыше дна зоны проводимости на величину эне ргии E n . В этом с лучае коэффициент поглощения описывается выражен ием ------(5) т.е . происходит сдвиг края поглощения в сторону больших энергий . Поглощение на свободных носителях в о бласти длин волн , превышающих 3 мкм , хотя сл абее , чем собственное , тем не менее может играть значительную роль в сильно легированных образцах . В этом случае описывается в ыражением ------(6) где n - показатель преломления , - проводимость , - длина вол ны , Оценки показывают , что при =3 мкм и n=10 18 см -3 в пластине арсенида индия толщиной 400 мкм поглотится около 80% свет ового потока. Подвижность в арсениде индия. Подвижность носителей заряда в кристаллах арсенида индия ограничивается нес колькими механизмами рассеивания : рассеянием на оптических и акустиче ских фононах ; на ионных примесях ; на нейтральных примесях : на дефектах кристаллической решетки (дисл окациях ): на носителях заряда. В приближении времени релаксации подвижность вычисляется по формуле ------ ------(7) где - вычисляется для каждого механизма расс еивания отдельно. В монокристаллических объемных образцах а рсенида индия достигнуты следующие значения подвижности : n-тип , =30000 см 2 /В с (300К ), р-тип , =450 см 2 /В с (300К ). Сростом концентрацией примесей подвижность падает. Методы глубокой очистки инд ия и мышьяка. Для получения монокриста лл ов арсенида индия с высокими и стабильным и электрофизическими параметрами необходимо испо льзовать высокочистые исходные материалы. Арсенид индия с трудом поддается очис тке кристаллизационными методами в следствие высокого давления диссоциации при темпера туре плавления , высокой химической активности индия и мышьяка при температуре выращивания и близких к единице значений коэффициент ов распределения основных примесей в исходных элементах , таких как сера , селен , цинк и др ., а также из-за загрязнением кремни е м из кварца при высокой темп ературе. Методы глубокой очистки индия . В индии предназначенном для синтеза полупроводниковых соединений , лимитирующим и являются следующие примеси : алюминий , медь , магний , кремний , серебро , кальций , серебро и сера. Применяемые методы очистки индия мо жно разделить на химические и физические . Методы первой группы - субхлоридный , экстракционный , электролитический и перекристаллизация солей из растворов . Химические методы требуют нал ичия сверхчистых вспомогательных материалов кисл о т , щелочей , органических растворителе й . Методы второй группы (физические ) - термообра ботка , ректификация , вытягивание из расплава и зонная плавка - включают воздействие на и ндий каких-либо вспомогательных химических реакти вов. При применении для приготовле нии электролита особо чистого натрия электролитическ ое рафинирование индия позволяет получить инд ий чистотой 99,9999% (выход по току 90%). Субхлоридный метод получения индия высок ой чистоты позволяет получать индий чистотой 99,9999%. Для успешного осущест вления метода вакуумной термообработки необходимо выполнения следующих условий : материал контейнера должен быть достаточн о чистым и не взаимодействовать с расплав ленном индием ; термообработка должна проводится в услови ях высокого вакуума (10 -6 мм рт.ст .) и в остаточной атмосфере , не содержащей углеводородов. Термообработка индия проводится в интерва ле температур 500-900 О С . Верхний предел температурного интервал а ограничивается взаимодействием расплавленного индия с кварцем и значительным увеличение упругост и пара индия. Вакуумная термообработка позволяет получить индий чистотой 99,9999%. Зонная плавка электрически рафинированного индия позволяет осуществлять дальнейшую очистк у его от примесей. При вытягивании кристаллов индия по м етоду Чохральского эффективн ая очистка пр оисходит при выращивании кристаллов с большим и скоростями вращения затравки (60-100 об /мин ) и скоростью роста 2см /ч . Чистота индия в ыращенного по методу Чохральского , выше 99,9999%. При менение только одного способа очистки индия может оказать с я недостаточным , и возможно потребуется сочетание различных спо собов (физических и химических ). Методы получения мышьяка и его соедин ений высокой степени чистоты. Общее содержание примесей в мышьяке используемом для синтеза арсенида индия , не должно прев ышать 1 10 -5 %, суммарное содержание селена и теллура должно быть < 1 10 -6 % каждого в отдельности. Наиболее перспективными технологиями очистки мышьяка являются хлоридная и гидридная с получением п ромежуточных высоко чистых продуктов треххлористого мышьяка или гидрида мышьяка . Хлоридная схема получения чистого мышьяка включает : хлорирование металлического мышьяка хлором или взаимодействие трехокиси мышьяка с сол яной кислотой ; очистку трихлорида мышь яка ректификац ией ; восстановление очищенного трихлорида мышьяка водородом до компактного металлического мышь яка. Перед ректификацией треххлорида мышьяка п роводят сорбционную очистку. Для получения особо чистых гидрида мы шьяка и элементарного мышьяка испол ьзуетс я гидридная схема . Гидридная технология мышья ка имеет ряд преимуществ : содержание мышьяка в гидриде выше , чем в любом другом соединении ; разложение гидрида мышьяка происходит при невысоких температурах и отсутствует необход имость в восстановлении ; ги дриды имеют малую реакционную с пособность по отношению к конструкционным мат ериалам при температурах синтеза и очистки. Недостатками гидрида мышьяка являются выс окая токсичность и взрывоопасность. Гидридная технология очистки мышьяка сост оит из следующих э тапов : синтез арсенида металла II группы ; гидролиз арсенида с получением арсина ; очистка арсина сорбцией ; вымораживание и ректификация ; разложение арсина до металлического мышья ка. Мышьяк , полученный по приведенным схемам , с успехом используется для синтез а арсенида индия . Кроме того , треххлористый мышьяк находит широкое применение для нараши вания эпитаксиальных слоев арсенида индия. Эпитаксиальное наращивание арсе нида индия из газовой фазы. Газотранспортные процессы , в ос нове которых лежат обратимые хим ические реакции , широко применяются для получения эпитаксиальных структур полупроводниковых соединен ий А 3 В 5 . Основными достоин ствами процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида индия из газовой фазы в прото чной системе являются : простота конструктивно го оформления п роцесса ; низкое пересыщение вещества над растущим кристаллом ; сравнительно невысокие температуры кристалли зации , возможность предотвращения загрязнения мат ериалом контейнера ; возможность управления процессом роста из менением скорости потока и концентрации транспортирующего агента ; широкие возможности легирования слоев раз личными примесями ; возможность автоматизации процесса ; осуществление непрерывного процесса ; возможность получение многослойных структур и заданной морфологии. Суммарные реакц ии , наиболее часто используемых для осаждения эпитаксиальных слоев арсенида индия и переноса компонентов , в общем виде мощно представить следующим о бразом : 4InГ 3 +As 4 +6H 2 4InAs+12HГ ;------(8) 3As+2InГ 3 +3/2H 2 3AsГ +2In+3HГ ,----------(9) 3AsГ +2In 2InAs+AsГ 3 ;------(10) In+As InAs;------------(11) 2InAs+3Г 2 InГ 3 +As 2 ;------(12) 2InAs+H 2 O In 2 O+As 2 +H 2 ;------(13) где Г - галоген . Арсенид индия в ви де эпитаксиальных слоев получают методами тра нспортных реакций либо синтезом из элементов , либо пересублимацией соединения . Для перенос а чаще всего используют галоиды (трихлориды элементов III и V групп , хлористый водород ) и воду . Галоидные системы (хлоридные , йоди дные ) имеют преимущества перед системой H 2 O-H, поскольку хлор и йод являются нейтральными примесями для арсенида индия . Система In-AsCl 3 -H 2 . Достоинствами системы можно сч итать : мал ое число исходных компонентов в системе ; устранение предварительного получения InAs, испол ьзуемого в качестве источника ; возможность глубокой очистки AsCl 3 ректификацией ; получение хлористого водорода и мышьяка высокой степени чистоты восстановлением AsCl 3 водородом. Реактор имеет три зоны нагрева , причем печь сконструирована таким образом , что и сточник индия можно наблюдать во время пр оцесса . Водород барботирует через испаритель с хлористым мышьяком при температуре 20 О С , и смесь AsCl 3 +H 2 поступает в печь . В зоне 1 печи протекает реакция : 2AsCl 3 +3H 2 6HCl+1/2As 4 .------(14) В зане 2 пары мышьяка взаимодействуют с индием . Смесь газов поступает в зону источника индия и проходят реакции : 2In+2HCl InCl+H 2 ;------(15) In+As 4 4InAs.------------(16) Взаимодействие источника индия с газовой смесью происходит до насыщения индия мыш ьяком . Когда индий полностью насыщается мышья ком , на поверхности расплава образуется пленк а а рсенида индия , при этом избыточный мышьяк поступает в реактор и конденсируе тся на холодных стенках реактора вне печи . В течении периода насыщения индия мышьяк ом подложка находится вне реактора . Продолжит ельность насыщения определяется количеством инди я , е г о температурой и скоростью поступления пара мышьяка к поверхности инд ия . При использовании не полностью насыщенног о источника индия состав газовой фазы в зоне осаждения непостоянен. При выращивании арсенида индия n-типа в системе In-AsCl 3 -H 2 в газовый пото к вводится смесь H 2 S+H 2 . Концентрацией H 2 S определяется уровень легирования . Для получения пленок р-типа используется элемент арный цинк и кадмий , вводимые в виде л егирующей добавки из испарителя с отдельной зоной нагрева. Система In-HCl-AsH 3 -H 2 . Принципи альными технологическими преимущ ествами гидридов являются следующие : летучие ковалентные гидриды можно получат ь из всех наиболее важных в полупроводник овой технике элементов ; свойства гидридов позволяют успешно приме нять очистку , основанную на трех фазовых переходах (жидкость - пар , твердое - пар , твердое - жидкость ), а также эффективные мето ды газовой очистки (сорбции , ионного обмена ); содержание основного элемента в гидриде выше , чем в любом другом соединении ; гидриды имеют малую реакционную способнос ть по о тношению к конструкционным мат ериалам. Недостатками гидридов являются их высокая токсичность и взрывоопасность. При выращивании эпитаксиальных слоев этой системы мышьяк при комнатной температуре находится в газообразном состоянии , что обе спечивает постоянс тво состава газовой фаз ы и гибкость процесса легирования . xIn+HCl xInCl+(1-x)HCl+x/2H 2 ,------(17) где х - мольная доля HС l участвующая в реакции (сильно зависит от температуры ). Следует отметить , что реакция протекает не до конца , т.е . химическое равнове сие не наступает . Наиболее вероятной причиной н аблюдаемого отклонения от химического равновесия является геометрия установки и значительные скорости потока газа . Гидриды элементов V группы , в том числе и AsH 3 , термически неустойчивы при т емпературах , обычн о используемых при выра щивании эпитаксиальных слоев . Основные реакции осаждения следующие : 3InCl+1/4As 4 +1/2H 2 InAs+HCl.(18) При получении эпитаксиальных слоев арсени да индия с помощью системы In-HCl-AsH 3 -H 2 является гибким методом наращив ания . Качество слоев , полученных с помощью этой системы , обычно эквивалентно или даже превосходит качество слоев , полученных с уч астием других систем и методов , за исключе нием хлоридной системы In-AsCl 3 -H 2 . Система InAs-SiCl 4 -H 2 . Эпитаксиа льные пленки арсе нида индия высокой чистоты можно получать с использованием в качестве транспортирующего агента тетрахлорид кремния. Водород , насыщенный тетрахлоридом кремния , при температуре -30С О , подается во внутреннюю трубку реа кционной камеры . Продукт ы разложения (водо род , хлористый водород и дихлорид кремния ) вместе с остатком тетрахлорида кремния посту пают во внешнюю реакционную трубу , где вза имодействуют с первым источником арсенида инд ия . При этом на источнике растет пористая пленка кремния и обра з уется хлорид индия мышьяк . На втором источнике , предназначенном для полного восстановления хлори дов кремния , также осаждается небольшое колич ество кремния . Эпитаксиальное наращивание пленок арсенида индия проводится на одноименные подложки , расположенные з а вторым источником . Этот процесс можно представить следующим Последовательным решением : в реакционной камере SiCl 4 SiCl 2 +2HCl,------------(19) с источник арсенида индия 2InAs+ SiCl 4 + SiCl 2 2Si+2InCl+1/4As 4 ,(20) 2InAs+SiCl 4 4InCl+As 4 ,------------(21) на подложке 2InCl+As 2 +H 2 2InAs+HCl.------(22) Тетрахлорид кремния как транспортный аге нт в газотранспортных ре акциях имеет преимущество перед другими хлоридами : может быть получен особо высокой степ ени чистоты ; имеет высокое парциальное давление при относительно невысоких температурах ; не дает донорных уровней в эпитаксиал ьном слое. Пиролиз МОС. Значительный инт ерес предс тавляют реакции металлоорганических соединений . П роцессы такого рода проводятся при низких температурах , что существенно повышает чистоту , синтезируемого соединения , кроме того синтез многих МОС носит избирательный характер , а так как целый ряд примесей , в лияющих на электрофизические параметры полупрово дниковых материалов , не образуют аналогичных соединений , то уже в процессе самого синте за МОС происходит очистка от нежелательных примесей до уровня 10 -5 -10 -6 вес %. Основными реакциями , приводящим и к образованию арсенида индия при участии МОС , можно назвать следующие : термическое разложение индивидуального МОС по схеме R n InAs InAs+nRH------(23) разложение происходит в атмосфере водород а ; реакции элементоорганических пр оизводных , имеющими подвижный водород по схеме (C 2 H 5 ) 3 In+AsH 3 InAs+3C 2 H 6 ;------(24) совместное разложение двух или более МОС или гидридов , приводящее к образованию твердых растворах на их основе. В качестве источников индия и м ышьяка для выращивания эпитаксиальных структур используются метил - и этил производные , эфир аты триметил индия . Последние соединения в сравнении с триметилиндия более технологичны , так как менее реакционно способны и уд обнее как в процессе очистки , так и при проведении процесса эпитаксиальн ого наращивания. Как правило , процесс осаждения термически м разложением МОС осуществляется в атмосфере водорода . Возможно проведение процесса также в смеси водорода и азота или только в азоте. В зависимости от условий пр оведен ия процесса термического разложения арсенид и ндия может быть получен как в виде по рошка , так и в виде эпитаксиально выращенн ых слоев. Одним из преимуществ метода является легкость проведения легирования в процессе эп итаксиального наращивания . С этой целью применяют широкий ассортимент алкильных соединен ий элементов. Из рассмотренных диаграмм парциальных дав лений для хлоридного , хлоридно-гидридного метода и пиролиза триметилиндия с арсином в в одороде следует , что максимальную область оса ждения арсенида индия имеет система (CH 3 ) 3 In-(CH 3 ) 3 As-H 2 , минимальную система In-AsCl 3 -AsH 3 -H 2 . Из этого следует , чт о с учетом ограничений связанных с кинети кой , процесс получения эпитаксиальных структур арсенида индия с использованием МОС менее критичен к температуре , д авлению и концентрации реагентов , а осуществление этого процесса возможно в более широком диапаз оне , чем в случае хлоридного метода. Важным вопросом с точки зрения развит ия метода получения эпитаксиальных структур а рсенида индия с использованием МОС являет ся возможность загрязнения слоев углеродо м . Термодинамическим анализом процесса получения арсенида индия по реакции (CH 3 ) 3 In+AsH 3 InAs+3CH 4 ------(25) показано , что переход углерода в слои арсенида индия за счет вторичных превр ащений углеводородов (метана , этана , этилен а ) в присутствии избытка арсина и водорода невозможно. Получение эпитаксиальных полупрово дниковых структур с использованием МОС открыв ает возможности стимулирования процессов газофаз ного выращивания под воздействи ем электро магнитного поля , лазерного и ультрафиолетового облучения. Основными особенностями и преимуществами метода являются : простота конструкции реактора с одной высокотемпературной зоной ; более низкая температура процесса , что уменьшает эффект самолегир ования , улучшает профиль распределения концентрации по толщин е слоя ; возможность независимой регулировки исходных компонентов , что обеспечивает возможность по лучения эпитаксиальных слоев с любым заданным профилем распределения концентрации носителей заряда по толщине слоя ; отсутствие травящих агентов (HС l) в сист еме позволяет осуществлять рост эпитаксиальных слоев на гетероподложках ; возможность получать субмикронные эпитаксиал ьные слои (0.2-0.8 мкм ), величина переходной области подложка-слой составляет 0. 03-0.1 мкм. Жидкофазная эпитаксия арсенида индия. Несмотря на то , что получен ие эпитаксиальных слоев из паровой фазы я вляется основным направлением в технологии из готовления полупроводниковых приборов процесс эп итаксиального оста из жидкой фазы в ряде сл учаев обладает некоторыми преимущества ми к примеру при получении сильнолегированных слоев ; p-n переходов высокого качества. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия производится с использованием легкоплавк их металлов или их смесей , которые могут бы ть как донорными так и акцепто рными примесями в получаемых слоях . На качество и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев , выращиваемых из жидкой фазы , влияют следующие факторы : скорость охлаждения раствора-расплава ; начальная равновесная температу ра рас твора-расплава ; увеличение веса растворяющего вещества св ерх равновесного значения ; соотношение объема расплава и контактирую щей площади поверхности подложки с расплавом ; физико-химическая природа растворителя и растворимого вещества ; металлографичес кое состояние поверхности подложки ; чистота используемых в процессе веществ и конструкционных материалов. Электронографические и металлографические ис следования установили , что слои выращенные в высокотемпературных областях , имеют более со вершенную структу ру по сравнению с те ми , которые которые получены в низкотемперату рных областях. Молекулярно лучевая эпитаксия арсенида индия. МЛЭ - один из современных и много обещающих технологических методов выра щивания тонких монокристаллических полупроводниковых ст руктур . Для осаждения эпитаксиальных пленок в МЛЭ используются управляемое испарение из термического источника (или одновременное испарен ие из нескольких источников ) в условиях св ерхвысокого вакуума. Держатель подложки и источники атомных или молекулярных пучков - испарительные яч ейки - находятся в условиях сверхвысокого ваку ума , получаемого ионной откачкой . Испарительные ячейки представляют собой небольшие нагреваемы е камеры (“стаканы” ), открытые в сторону по дложки . С целью уменьшения теплового взаимоде й с твия и предотвращения взаимного загрязнения испарительные ячейки разделяют экр анами , охлаждаемыми жидким азотом . Такой же экран помещают позади держателя образца дл я уменьшения загрязнения остаточной атмосферы в камере . С этой же целью держатели источнико в , подложки изготавливают из материалов с низким давлением паров , таких , как алунд , тантал , графит . Рабочий вакуум в ростовой камере близок к 10 -8 Па. Для контроля молекулярных или атомных пучков и выращиваемых слоев непосредственно в процессе выращивания используются дифр актометр электронов высоких энергий “на отраж ение” , масс-спектрометр , оже-спектрометр и ионный вакуумметр , контролирующий нейтральные атомные пучки. Возможность контроля непосредственно в пр оцессе выращивания - одно из значительных преи му ществ МЛЭ . В случае МЛЭ температура подложки может быть сравнительно невысокой (500-600 О С ), что приводит к низкой скорости роста (порядка 0.1 нм /с ) и низкой скорости объемной диффу зии . Основная заслонка и заслонки испарительн ых ячеек позволяют очень быстро перекры вать пучки . Это дает возможность изменять состав или уровень легирования выращиваемых с труктур буквально на межатомном расстоянии. При выращивании слоев арсенида индия методом МЛЭ атомы индия и молекулы As 2 и As 4 попадают на подложку арсенида галли я (100). К поверхности прилип ают практически все атомы индия . Поток ато мов мышьяка является избыточным и только один атом As на каждый атом In остается на подложке , формируя стехиометрический состав выр ащиваемого слоя . Интенсивность молекулярных пучко в и, следовательно , скорость осаждения можно варьировать , меняя температуру индиево го источника . Обычно плотность потока индия близка к 10 15 атом .(см 2 с ), а мышьяка она в 5-10 раз выше. В качестве доноров при выращивании ар сенида индия методом МЛЭ используют эле менты IV групп , такие , как Si, Ge и Sn. Они могут входить в подрешетку индия или мышьяка , и тип легирования будет зависить от соот ношения вакансий индия и мышьяка . Наименее чувствительно к этому соотношению олово , вв едение к оторого дает материал n-типа . Самой распространенной донорной примесью , по- видимому , кремний , при его использовании дости гается наиболее высокая подвижность при темпе ратуре жидкого азота , которая обычно считаетс я основным параметром , характеризующим качес т во арсенида индия. Концентрация электронов в слоях арсенида индия , выращенных методом МЛЭ , может прев ышать 5 10 18 см -3 , что значительно больше той концентрации , которая достигается при использовании газофазной эпитаксии. Еще о дним преимуществом МЛЭ являе тся сглаживание поверхности арсенида индия в процессе роста . Благодаря этому свойству метод МЛЭ особенно удобно использовать при выращивании гетеропереходов , сверхрешеток и мно гослойных структур . Как и в случае остальн ых эпитак с иальных методов , решающим для качества будущей пленки является качес тво приготовления подложки.
1Архитектура и строительство
2Астрономия, авиация, космонавтика
 
3Безопасность жизнедеятельности
4Биология
 
5Военная кафедра, гражданская оборона
 
6География, экономическая география
7Геология и геодезия
8Государственное регулирование и налоги
 
9Естествознание
 
10Журналистика
 
11Законодательство и право
12Адвокатура
13Административное право
14Арбитражное процессуальное право
15Банковское право
16Государство и право
17Гражданское право и процесс
18Жилищное право
19Законодательство зарубежных стран
20Земельное право
21Конституционное право
22Конституционное право зарубежных стран
23Международное право
24Муниципальное право
25Налоговое право
26Римское право
27Семейное право
28Таможенное право
29Трудовое право
30Уголовное право и процесс
31Финансовое право
32Хозяйственное право
33Экологическое право
34Юриспруденция
 
35Иностранные языки
36Информатика, информационные технологии
37Базы данных
38Компьютерные сети
39Программирование
40Искусство и культура
41Краеведение
42Культурология
43Музыка
44История
45Биографии
46Историческая личность
47Литература
 
48Маркетинг и реклама
49Математика
50Медицина и здоровье
51Менеджмент
52Антикризисное управление
53Делопроизводство и документооборот
54Логистика
 
55Педагогика
56Политология
57Правоохранительные органы
58Криминалистика и криминология
59Прочее
60Психология
61Юридическая психология
 
62Радиоэлектроника
63Религия
 
64Сельское хозяйство и землепользование
65Социология
66Страхование
 
67Технологии
68Материаловедение
69Машиностроение
70Металлургия
71Транспорт
72Туризм
 
73Физика
74Физкультура и спорт
75Философия
 
76Химия
 
77Экология, охрана природы
78Экономика и финансы
79Анализ хозяйственной деятельности
80Банковское дело и кредитование
81Биржевое дело
82Бухгалтерский учет и аудит
83История экономических учений
84Международные отношения
85Предпринимательство, бизнес, микроэкономика
86Финансы
87Ценные бумаги и фондовый рынок
88Экономика предприятия
89Экономико-математическое моделирование
90Экономическая теория

 Анекдоты - это почти как рефераты, только короткие и смешные Следующий
Работаю в ресторане Петербурга. После первого дня саммита к нам нагрянула вся верхушка Киргизии при всех телохранителях. Очень хитро было с их стороны. Потому что Главного КИРГИЗА мы так и не узнали...
Anekdot.ru

Узнайте стоимость курсовой, диплома, реферата на заказ.

Банк рефератов - РефератБанк.ру
© РефератБанк, 2002 - 2016
Рейтинг@Mail.ru