Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Курсовая работа*
| Код |
311907 |
| Дата создания |
08 июля 2013 |
| Страниц |
13
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 20 мая в 12:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Содержание
Оглавление
Введение
1. Разработка электрической схемы цифрового устройства и оценка его параметров.
1.1. Упрощение и преобразование исходных уравнений задания.
1.2. Формальная электрическая схема устройства.
1.3. Выбор типа логики и конкретных серий.
2. Электрический расчет цифровой схемы.
2.1. Таблица истинности для всех комбинаций входных сигналов.
2.2. Таблица состояний всех активных элементов.
2.3. Расчет параметров электрической схемы.
3. Разработка топологии ИМС.
Заключение
Литература
Введение
Разработка интегрального цифрового устройства
Фрагмент работы для ознакомления
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Такая таблица истинности соответствует операции И-НЕ. Таким образом схема выполняет операцию И-НЕ.
2.2. Таблица состояний всех активных элементов.
х1
х2
х3
х4
у
VT1
VT2
VT3
VT4
VT5
VD1
VD2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2.3. Расчет параметров электрической схемы.
a) Х1=Х2=Х3=Х4=0. На входах установлен уровень логического нуля .
В такой схеме при заданных сигналах на входе эмиттеры и коллектор VT1 и VT2 имеют низкие потенциалы, а на базу через резисторы R1 и R2 подается напряжение питания. Такое сочетание вроде бы должно обеспечить прямое включение и эмиттерных, и коллеторных переходов и протекание токов через эти переходы. Транзисторы при этом должны находиться в режиме насыщения.
Но при открытых эмиттерных переходах разность потенциалов между любым эмиттером и базой равна 0,7 В и потенциал точки А и точки В автоматически станет равным:
В тоже время для протекания тока через VD1 и VD2 необходимо, чтобы и коллекторные переходы VT1 и VT2, и диоды, и переходы эмиттер-база VT3 и VT4 были в прямом включении, а для этого потенциал должен быть равен:
Имеющего потенциала явно недостаточно для протекания тока через цепь коллектора, поэтому VT1 и VT2 будут находиться в режиме насыщения, но как бы с разорванной коллекторной цепью. Весь ток базы будет проходить через эмиттерные переходы во входые цепи источников сигналов.
Ток базы равен:
Ток каждого из эмиттеров равен:
Так как ток, втекающий в базу VT3 и VT4, пренебрежительно мал, то эти транзисторы находятся в режиме отсечки.
Потенциал
Список литературы
Литература
1.Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1991.
2.Аванесян Г.Р., Левшин В. П. Интегральные микросхемы ТТЛ, ТТЛШ. Справочник. М.: Машиностроение,1993.
3.Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. М: Радио и связь, 1990.
4.Бобровский Ю.Л. и др. Под ред. Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. – М.: Радио и связь, 1998.
5.Мальцев П.П. и др. Цифровые интегральне микросхемы. Справочник. – М.: Радио и связь, 1994.
6.Степаненко И.И. Основы микроэлектроники. Лаборатория Базовых Знаний, 2001.
7.Удальцов А.Н. Разработка интегрального цифрового устройства: Практикум/ СибГУТИ. – Новосибирск, 2008.
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00433